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公开(公告)号：CN116102065A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310137992.1
申请日：2023-02-20
申请人： 河北东同光电科技有限公司 , 中国矿业大学(北京)
IPC分类号： C01G33/00
摘要： 本发明公开了一种高纯度五氧化二铌超细粉体的制备方法，将氢氧化铌用草酸溶解支撑草酸铌溶液，随后通过微反应器与氨水反应，将产物经老化、脱水、洗涤、干燥和煅烧后，得到具有较好分散性、高纯度的五氧化二铌超细粉体，粉体纯度比原料大大提高，五氧化二铌百分含量>99.995％。
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公开(公告)号：CN115745603A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211270785.5
申请日：2022-10-17
申请人： 河北东同光电科技有限公司
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622 , C23C14/34 , C04B35/645
摘要： 本发明提供一种大尺寸高性能氧化铌靶材的制备方法，属于光电材料技术领域，所述制备方法是取氧化铌粉体、活化剂碳粉和还原剂混匀后，所得粉体均匀装入模具中，经单片初压，所得粗坯升温至1100～1150℃，再采用多段、双向加压的方式加压至25～38MPa进行真空热压烧结，再以1.8～2.2℃/min慢降温至580～620℃，然后泄压、自然降温，即得所述大尺寸高性能氧化铌靶材。本发明制备的大尺寸高性能氧化铌靶材的最大面积可达1900cm2，性能均一，解决了大尺寸靶材质量不匀的问题。
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公开(公告)号：CN111499381B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010336636.9
申请日：2020-04-26
申请人： 河北东同光电科技有限公司
IPC分类号： C04B35/488 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/645 , C23C14/35
摘要： 本发明公开了一种磁控溅射用高致密性导电氧化锆陶瓷靶材的制备方法，包括以下步骤：对氧化锆粉体进行掺杂及粉体预处理，得到稳定的四方晶型粉体；对粉体进行气氛烧结处理得到导电氧化锆粉体；将导电粉体通过等静压设备根据模具尺寸进行初压成型得到粗坯；将粗坯装入石墨模具中，而后装入真空热压烧结炉内进行烧结，烧结完成后，阶梯降温泄压出炉，得到粗靶；最后精加工得到磁控溅射专用高致密性导电氧化锆陶瓷靶材。本发明制作过程简单、易操作、安全无污染，制备的氧化锆靶材导电性、致密性和稳定性良好，完全符合磁控溅射工艺用靶材的需求，为实现产业化镀膜提供了可靠保障。
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公开(公告)号：CN111499381A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010336636.9
申请日：2020-04-26
申请人： 河北东同光电科技有限公司
IPC分类号： C04B35/488 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/645 , C23C14/35
摘要： 本发明公开了一种磁控溅射用高致密性导电氧化锆陶瓷靶材的制备方法，包括以下步骤：对氧化锆粉体进行掺杂及粉体预处理，得到稳定的四方晶型粉体；对粉体进行气氛烧结处理得到导电氧化锆粉体；将导电粉体通过等静压设备根据模具尺寸进行初压成型得到粗坯；将粗坯装入石墨模具中，而后装入真空热压烧结炉内进行烧结，烧结完成后，阶梯降温泄压出炉，得到粗靶；最后精加工得到磁控溅射专用高致密性导电氧化锆陶瓷靶材。本发明制作过程简单、易操作、安全无污染，制备的氧化锆靶材导电性、致密性和稳定性良好，完全符合磁控溅射工艺用靶材的需求，为实现产业化镀膜提供了可靠保障。
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公开(公告)号：CN104557021A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510016571.9
申请日：2015-01-14
申请人： 河北东同光电科技有限公司
IPC分类号： C04B35/46 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及一种高致密性的二氧化钛靶材，其由以下质量百分比原料制成：二氧化钛粉体97.5～99.5％；活化剂铌粉0.5～2.5％。该二氧化钛靶材，密度≥4.15g/cm3，相对密度≥98.8％，致密性均一、无坑点。具体通过混合-常压烧结预处理-真空热压烧结工序制成。该制备方法生产周期短，效率高，能耗低，成本低。
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公开(公告)号：CN103668068A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310728752.5
申请日：2013-12-25
申请人： 河北东同光电科技有限公司
摘要： 一种高致密性氧化铌旋转靶材的制备方法，它涉及一种以氧化铌为基料的陶瓷成型制品的制备方法。本发明是要解决传统喷涂工艺生产出的旋转靶材密度低的技术问题。本发明的制备方法按以下步骤进行：一、将氧化铌粉体进行预处理；二、采用热压烧结工艺和高温脱模工艺制得旋转靶粗品；三、对旋转靶粗品进行精加工。本发明制备旋转靶材的方法成本低、周期短、能耗低且生产效率高，本发明制得的旋转靶材密度不低于4.59g/cm3，电阻率小于9×10-3Ω.cm，导电性好，成品率高。本发明用于太阳能电池、液晶显示器、离子显示器、手机触屏、光学玻璃和气体传感器领域。
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公开(公告)号：CN103643207A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310731271.X
申请日：2013-12-26
申请人： 河北东同光电科技有限公司
摘要： 一种高性能ZAO旋转靶材的制备方法，它涉及一种含氧化锌掺铝的陶瓷靶材成型的制备方法。本发明是要解决目前制备ZAO旋转靶材采用喷涂方法设备昂贵，制备的靶材密度低的技术问题。本发明的制备方法按以下步骤进行：一、将ZAO粉体在模具中压制成粗坯；二、采用真空热压烧结工艺制得ZAO旋转靶材。本发明的制备方法方法简便易行、效率高、耗能低，且制备过程中无需添加任何助剂；本发明制备的ZAO旋转靶材致密性好、电阻率低。本发明可用于防结雾风挡玻璃、隔热防辐射玻璃、液晶显示器、触屏玻璃和增透减反玻璃等领域。
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公开(公告)号：CN115745603B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202211270785.5
申请日：2022-10-17
申请人： 河北东同光电科技有限公司
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/645
摘要： 本发明提供一种大尺寸高性能氧化铌靶材的制备方法，属于光电材料技术领域，所述制备方法是取氧化铌粉体、活化剂碳粉和还原剂混匀后，所得粉体均匀装入模具中，经单片初压，所得粗坯升温至1100～1150℃，再采用多段、双向加压的方式加压至25～38MPa进行真空热压烧结，再以1.8～2.2℃/min慢降温至580～620℃，然后泄压、自然降温，即得所述大尺寸高性能氧化铌靶材。本发明制备的大尺寸高性能氧化铌靶材的最大面积可达1900cm2，性能均一，解决了大尺寸靶材质量不匀的问题。
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公开(公告)号：CN108585868B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201810568118.2
申请日：2018-06-05
申请人： 河北东同光电科技有限公司
IPC分类号： C04B35/547 , C04B35/622 , C23C14/34
摘要： 一种硫化钨靶材的制备方法，属于非金属靶材的技术领域，采用真空热压烧结制备，包括以下步骤：A、硫化钨的预处理：将硫化钨与二硫化钼粉体、碳粉混合均匀，得混合物料，备用；B、真空热压烧结：将步骤A得到的混合物料装入模具中，置于烧结炉中进行烧结，控制烧结温度1300‑1550℃，烧结压力25‑38MPa，并保温保压2‑5h，烧结完成后，降温至810‑850℃，撤压，降温到150℃以下时，出炉，得到粗坯；C、精加工：将步骤B得到的粗坯经过切割、平面磨加工，得到硫化钨靶材。本发明简单、易操作，安全无污染，填补了硫化钨靶材制备的空白，且制备的硫化钨靶材密度高、稳定性好。
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公开(公告)号：CN108640685A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810795425.4
申请日：2018-07-19
申请人： 河北东同光电科技有限公司
IPC分类号： C04B35/547
摘要： 本发明公开了一种二硫化钼靶材的制备方法，包括以下步骤：二硫化钼粉体的预处理，得混合物料；对混合物料进行等静压成型压制成块状粗坯；将块状粗坯放入气氛烧结炉中进行煅烧，送入球磨机进行球磨粉碎，得到粒径在30μm以下的粗粉；将粗粉进行200目过筛，筛下的粉体为备用粉体；将备用粉体用等静压设备根据模具尺寸进行初压成型，粗坯厚度根据使用厚度进行压制；将粗坯装入石墨模具中，而后装入真空热压烧结炉内进行烧结；烧结完成后，降温泄压出炉，得到粗靶；最后精加工得到二硫化钼靶材。本发明制作过程简单、易操作、安全无污染，制备的二硫化钼靶材不导电，致密性和稳定性好，表面光滑，为实现二硫化钼镀膜提供了可靠保障。
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