Invention Grant
- Patent Title: 一种磁控溅射用高致密性导电氧化锆陶瓷靶材的制备方法
-
Application No.: CN202010336636.9Application Date: 2020-04-26
-
Publication No.: CN111499381BPublication Date: 2022-04-29
- Inventor: 康明生 , 崔娜
- Applicant: 河北东同光电科技有限公司
- Applicant Address: 河北省石家庄市循环化工园区化工中路100号
- Assignee: 河北东同光电科技有限公司
- Current Assignee: 河北东同光电科技有限公司
- Current Assignee Address: 河北省石家庄市循环化工园区化工中路100号
- Main IPC: C04B35/488
- IPC: C04B35/488 ; C04B35/622 ; C04B35/626 ; C04B35/645 ; C23C14/35

Abstract:
本发明公开了一种磁控溅射用高致密性导电氧化锆陶瓷靶材的制备方法,包括以下步骤:对氧化锆粉体进行掺杂及粉体预处理,得到稳定的四方晶型粉体;对粉体进行气氛烧结处理得到导电氧化锆粉体;将导电粉体通过等静压设备根据模具尺寸进行初压成型得到粗坯;将粗坯装入石墨模具中,而后装入真空热压烧结炉内进行烧结,烧结完成后,阶梯降温泄压出炉,得到粗靶;最后精加工得到磁控溅射专用高致密性导电氧化锆陶瓷靶材。本发明制作过程简单、易操作、安全无污染,制备的氧化锆靶材导电性、致密性和稳定性良好,完全符合磁控溅射工艺用靶材的需求,为实现产业化镀膜提供了可靠保障。
Public/Granted literature
- CN111499381A 一种磁控溅射用高致密性导电氧化锆陶瓷靶材的制备方法 Public/Granted day:2020-08-07
Information query
IPC分类: