公开(公告)号：CN117916895A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202280061118.8

申请日：2022-07-01

Applicant: 模拟电力转换有限责任公司

Inventor： A·金德伦-汉森 ,  D·G·斯德鲁拉

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/40 ,  H01L29/66

Abstract: 一种半导体器件，包括衬底、形成在衬底上的半导体层，以及高压终端。高压终端包括多个浮动场环、深沟槽和设置在深沟槽内的介电材料。多个浮动场环形成在半导体层中，并分别围绕半导体层的一区域设置。深沟槽形成在半导体层中，并围绕多个浮动场环中的最外侧浮动场环同心设置。高压终端还可以包括设置在浮动场环、深沟槽或这两者上方的场板。

公开(公告)号：CN118235326A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202280075779.6

申请日：2022-09-09

Applicant: 模拟电力转换有限责任公司 ,  株式会社京三制作所

Inventor： 大智山姆诚一郎 ,  高田哲也 ,  让原逸男 ,  米山知宏 ,  细山田佑

IPC: H03K5/1252 ,  H03K3/037 ,  H03K19/21 ,  H03K5/00

Abstract: 响应于开关信号的断言，通过断言控制信号、在开关信号的断言之后等待自适应延迟、响应于自适应延迟期满解除断言控制信号、以及响应于根据控制信号生成的电流变为零而重新断言控制信号，可以产生控制信号。自适应延迟可以根据使用电流生成的电压来调整。电路可以包括从开关信号和置位复位触发器(SRFF)的输出产生控制信号的XOR门、当使用控制电路生成的电流变为零时复位SRFF的零检测电路、以及在断言开关信号之后的自适应延迟对SRFF进行设置，并根据电流产生的电压调整自适应延迟的延迟电路。

公开(公告)号：CN117981089A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202280064486.8

申请日：2022-07-14

Applicant: 模拟电力转换有限责任公司

Inventor： D·G·斯德鲁拉 ,  A·金德伦-汉森

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66

Abstract: 一种场效应晶体管(FET)可包括具有第一导电类型的半导体衬底、在衬底上形成的第一导电类型的半导体层、以及在半导体层中形成的具有与第一导电类型相反的第二导电类型的一对掺杂体。在掺杂体之间的区域内形成填有沟槽电介质的沟槽。FET可为垂直金属氧化物半导体FET(VMOSFET)，包括设置于掺杂体之间的区域以及沟槽上的栅极电介质，以及设置在栅极电介质上的栅极电极，其中所述沟槽用于避免栅极电介质击穿，或者FET可为结型FET。所述FET可设计为用于在射频频率或重离子轰击下工作。所述半导体衬底与半导体层可包括宽带隙半导体，如碳化硅。

公开(公告)号：CN118339764A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202280075885.4

申请日：2022-09-09

Applicant: 模拟电力转换有限责任公司 ,  株式会社京三制作所

Inventor： 大智山姆诚一郎 ,  D·G·斯德鲁拉 ,  W·A·顾 ,  高田哲也 ,  让原逸男 ,  米山知宏 ,  细山田佑

IPC: H03F3/217 ,  H03F3/193 ,  H03F3/21 ,  H03F1/56

Abstract: 全桥D类放大电路包括第一至第四功率器件。所述第一、第三功率器件的第一导通端耦合至第一电源电压，所述第二、第四功率器件的第二导通端耦合至第二电源电压。所述第一功率器件的第二导通端和所述第二功率器件的第一导通端耦合到第一放大器输出。第三功率器件的第二导通端和第四功率器件的第一导通端耦合到第二放大器输出。分别设置在第一功率器件左、右两侧相邻的左、右驱动装置具有分别耦合到设置在第一功率器件左、右两侧的左、右控制端的输出。

公开(公告)号：CN117941067A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202280061247.7

申请日：2022-07-01

Applicant: 模拟电力转换有限责任公司

Inventor： A·金德伦-汉森 ,  D·G·斯德鲁拉 ,  L·L·塞派希

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/78

Abstract: 半导体器件包括基底和设置在基底上方的多个有源区。所述多个有源区具有第一总面积。一个或更多个非有源区也设置在基底上方。所述一个或更多个非有源区具有第二总面积。第二总面积大于或等于第一总面积的1.5倍。有源区可以形成在形成于基底上方的外延层中。有源器件的多个单元可以设置在所述多个有源区中。非有源区可以仅包括当半导体器件按照其设计的功能运行时不消耗大量功率的结构。

公开(公告)号：CN118476019A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202280087009.3

申请日：2022-10-21

Applicant: 模拟电力转换有限责任公司

Inventor： A·金德伦-汉森 ,  D·G·斯德鲁拉 ,  L·L·塞派希

IPC: H01L23/367 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66

Abstract: 一种半导体器件的盆部，包括具有第一预计操作温度的冷区和具有大于第一预计操作温度的第二预计操作温度的热区。设计参数在冷区中具有第一值和在热区中具有不同于第一值的第二值。该差值配置为使得盆部在半导体器件的操作期间在热区中耗散的热量少于如果第一值和第二值相等所耗散的热量。设计参数可以是例如盆部宽度、源极结构宽度、JFET区域宽度、沟道长度、沟道宽度、栅极的长度、栅极的中心相对于JFET区域的中心的位移、掺杂剂浓度或它们的组合。

公开(公告)号：CN118251768A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202280075813.X

申请日：2022-09-09

Applicant: 模拟电力转换有限责任公司 ,  株式会社京三制作所

Inventor： A·金德伦-汉森 ,  D·G·斯德鲁拉 ,  L·L·塞派希 ,  高田哲也 ,  让原逸男 ,  米山知宏 ,  细山田佑

IPC: H01L27/07 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

Abstract: 一种半导体器件包括具有第一区域和第二区域的半导体管芯，其中第二区域的工作温度低于第一区域的工作温度。多个第一槽分别设置在第一区域、第二区域或两者中。半导体器件还包括包含多个功率器件单元的功率器件，和具有多个二极管单元的二极管。功率器件单元设置在第一区域中的槽或槽的部分内，二极管单元设置在第二区域中的槽或槽的部分内。功率器件可以包括垂直金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，并且二极管可以包括垂直肖特基势垒二极管(SBD)。

公开(公告)号：CN114586247A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202080072068.4

申请日：2020-09-08

Applicant: 模拟电力转换有限责任公司

Inventor： S·S·奥基

IPC: H01R13/719 ,  H03H1/00 ,  H03H7/42

Abstract: 瞬态降噪滤波器包括电缆，该电缆包括一个或多个双绞线导体和一个或多个共模扼流圈(CMC)。所述一个或多个CMC由相应的多匝电缆形成。每个CMC可以是磁性CMC，其中，多匝电缆缠绕在磁芯上；或者每个CMC可以是空芯CMC，其中，多匝电缆不缠绕在磁芯上，而是设置在非磁性材料(例如，空芯)周围。