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公开(公告)号：CN105301015A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510435019.3
申请日：2015-07-22
Applicant: 株式会社SNU精密
IPC: G01N21/956
Abstract: 本发明涉及一种图案缺陷检查方法，该图案缺陷检查方法利用对主板通过光学系统多次拍摄后进行结合而成的主图像，能够容易地检查基板上形成的缺陷，其中包括：准备步骤，准备不存在缺陷的主板；登记步骤，利用光学系统，对所述主板的彼此不同的区域进行多次拍摄并进行结合后，登记为主图像；拍摄步骤，对在检查对象基板中推定为存在缺陷的检查区域，通过所述光学系统，以与所述主图像相同的倍率进行拍摄后，登记为检查图像；及匹配步骤，对所述主图像与所述检查图像进行匹配后，检索所述检查区域内的缺陷。
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公开(公告)号：CN101657893B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200880009848.3
申请日：2008-04-17
Applicant: 株式会社SNU精密
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N21/9501 , G01N21/94 , G01N21/95607
Abstract: 本发明公开了一种半导体晶圆的异物检测和修复系统及其方法。该系统包括：移送臂，用于移送并对准晶圆；检测装置，其安置晶圆，用于获取晶圆表面的图像；分析模块，用于分析出现在由所述检测装置获取的图像上的异物；以及修复装置，用于根据所分析的异物信息修复异物。该方法包括以下步骤：移送并对准晶圆；向经过对准的晶圆照射光线以获取晶圆的表面图像；读取表面图像以生成异物信息(位置、高度、直径)；将读取的异物信息与基准数据进行比较；将根据比较结果被判定为修复对象的异物的信息传送到修复装置；根据接收到的异物信息修复该异物。通过本发明的简单的结构检测及修复晶圆上的异物，能够节约费用，防止制造装备损耗，并提高半导体芯片的产率。
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公开(公告)号：CN101427173B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200780014478.8
申请日：2007-07-10
Applicant: 株式会社SNU精密
IPC: G02F1/13
CPC classification number: G01N21/88 , G01N21/8901 , G01N21/8903 , G01N2201/104
Abstract: 本发明提供一种视觉检查系统和用于检查各类工件的工件检查方法。该视觉检查系统包括平台、第一移送装置、摄像机、第二移送装置和计算机。该第一移送装置安装在平台的上表面上，具有用于支撑工件的工作台，并在第一位置和第二位置之间直线移动该工作台。摄像机布置在平台上面，用于取得工件的图像，以输出图像数据。第二移送装置安装在平台的上表面上，用于在第一位置和第二位置之间直线移动摄像机。计算机控制第一移送装置，以将工作台从第一位置移动至第二位置，并控制第二移送装置，将摄像机从第二位置移动至第一位置。
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公开(公告)号：CN104205405B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201380009667.1
申请日：2013-02-14
Applicant: 株式会社SNU精密
Inventor： 尹铉植
CPC classification number: H01L51/56 , H01L51/5253
Abstract: 本发明涉及一种薄膜封装装置，通过喷嘴向基板上喷射从外界供给的单体而封装薄膜，其特征在于，包括：壳体，内部设置有收容空间，并且设置有供所述单体从所述喷嘴喷向基板的开口部；头部，接收所述单体并将所述单体收容在内部，能够旋转地设置在所述壳体的内部的所述收容空间中，所述头部的外周面形成有所述喷嘴，当所述喷嘴位于与所述开口部对应的位置上时，喷射所述单体；门部，在所述头部的外周面上与所述喷嘴在圆弧方向上隔开设置，在至少一个以上的表面上形成有斜面，被设置为能够在上下方向上移动，当位于与所述开口部对应的位置上时，关闭所述开口部；及导向件，设置在所述壳体和所述头部之间，隔开于所述开口部的一侧而被设置为至少一个以上，通过与形成在所述门上的斜面接触，沿所述开口部开放或者关闭的方向引导所述门。由此，提供一种随着头部在壳体内部的旋转，能够选择性地开放喷嘴而喷射单体，或者关闭形成在壳体上的开口部而将单体与外界隔离，从而防止单体固化的薄膜封装装置。
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公开(公告)号：CN102027315B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200880121148.3
申请日：2008-04-01
Applicant: 株式会社SNU精密
IPC: G01B11/06
CPC classification number: G01B11/0675
Abstract: 本发明涉及一种厚度测定方法，本发明所涉及的厚度测定方法利用干涉计测定层叠在基底层上的对象层的厚度，上述厚度测定方法包括：通过由与上述对象层实质上相同的材质构成并具有相互不同厚度的诸多样品层，获得对于上述样品层厚度的相位差的关系式的步骤；在空气层和基底层的分界面上，求出对于入射到上述基底层的光轴方向的第一干涉信号的步骤；在上述对象层和上述基底层的分界面上，求出对于上述光轴方向的第二干涉信号的步骤；对于上述光轴方向，在实质上相同的高度上，求出上述第一干涉信号的相位和上述第二干涉信号的相位之间的相位差的步骤；以及将上述相位差代入上述关系式来确定上述对象层厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101802545A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880104955.4
申请日：2008-08-11
Applicant: 株式会社SNU精密
IPC: G01B11/24
CPC classification number: G01B11/2518
Abstract: 提供了一种利用LCD的三维形貌测量装置，将正弦波图案形成在测量物上，借此用摄像机及上述正弦波图案获得测量物的影像信息，然后分析影像信息来测得测量物的形貌，所述装置包括LCD投影仪，该LCD投影仪包括：向前方照射光的光源；位于光源的前方，产生具有多个相位和多个周期的正弦波图案的LCD面板；配置在LCD面板的前方及后方的偏转板；隔开配置在LCD面板的前方，使由LCD面板产生的正弦波图案成像在测量物上的第一聚焦透镜；以及支承上述光源、LCD面板、偏转板及第一聚焦透镜的壳体。
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公开(公告)号：CN100540217C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710108956.3
申请日：2007-06-08
Applicant: 株式会社SNU精密
IPC: B24B21/10 , B24B13/015 , B24B21/18 , B24B7/24
Abstract: 本发明公开了可通过研磨正确除去作为基片的缺陷而存在的突起的基片的修理装置及其方法。该装置具备滑架，滑架以相对于在基片上突出的突起可沿X轴、Y轴及Z轴方向运动的方式设在基片上。研磨带供给装置安装于滑架上，并将在表面上涂敷有研磨材料层的研磨带向突起的上方输送。接触式位移传感器具备以位于由研磨带供给机构输送的研磨带上方的方式安装于滑架上并按压研磨带的背面而使研磨材料层接触突起的按压具，且检测按压具的位移。位移控制器以控制由按压具的按压而被施加给突起的压力的方式控制按压具的位移。通过在补偿将研磨带按压到基片的突起上的按压具的位移和压力的同时进行突起的研磨，而可正确控制并研磨突起的研磨量，且可快速研磨突起。
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公开(公告)号：CN101427173A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200780014478.8
申请日：2007-07-10
Applicant: 株式会社SNU精密
IPC: G02F1/13
CPC classification number: G01N21/88 , G01N21/8901 , G01N21/8903 , G01N2201/104
Abstract: 本发明提供一种视觉检查系统和用于检查各类工件的工件检查方法。该视觉检查系统包括平台、第一移送装置、摄像机、第二移送装置和计算机。该第一移送装置安装在平台的上表面上，具有用于支撑工件的工作台，并在第一位置和第二位置之间直线移动该工作台。摄像机布置在平台上面，用于取得工件的图像，以输出图像数据。第二移送装置安装在平台的上表面上，用于在第一位置和第二位置之间直线移动摄像机。计算机控制第一移送装置，以将工作台从第一位置移动至第二位置，并控制第二移送装置，将摄像机从第二位置移动至第一位置。
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公开(公告)号：CN101085508A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200710108956.3
申请日：2007-06-08
Applicant: 株式会社SNU精密
IPC: B24B21/10 , B24B13/015 , B24B21/18 , B24B7/24
Abstract: 本发明公开了可通过研磨正确除去作为基片的缺陷而存在的突起的基片的修理装置及其方法。该装置具备滑架，滑架以相对于在基片上突出的突起可沿X轴、Y轴及Z轴方向运动的方式设在基片上。研磨带供给装置安装于滑架上，并将在表面上涂敷有研磨材料层的研磨带向突起的上方输送。接触式位移传感器具备以位于由研磨带供给机构输送的研磨带上方的方式安装于滑架上并按压研磨带的背面而使研磨材料层接触突起的按压具，且检测按压具的位移。位移控制器以控制由按压具的按压而被施加给突起的压力的方式控制按压具的位移。通过在补偿将研磨带按压到基片的突起上的按压具的位移和压力的同时进行突起的研磨，而可正确控制并研磨突起的研磨量，且可快速研磨突起。
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公开(公告)号：CN105547131A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510694947.1
申请日：2015-10-22
Applicant: 株式会社SNU精密
Abstract: 本发明涉及沉积用磁体检查装置，本发明的沉积用磁体检查装置为用于检查在沉积工艺中对准基板和掩模时使用的磁体的装置，包括：掩模，由金属材料形成有规定的图案；基板，对准安装于所述掩模的上面；固定部，设置为使与所述掩模对准的所述基板的上面接触并被临时固定，在固定部的内部沿上下方向可移动地收容有所述磁体；及检查部，配置在所述掩模的下方，用于检测根据所述磁体和所述掩模之间距离的磁通密度和图案的下垂现象中的至少一个。由此，本发明提供一种在与向上式沉积环境相同的环境下检查在对准基板和掩模时使用的磁体，并且使在检查中可能会产生的震动最小化，从而能够获得精密及高可靠性的磁体检查结果的沉积用磁体检查装置。
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