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公开(公告)号：CN119556761B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510128101.5
申请日：2025-02-05
Applicant: 无锡硅动力微电子股份有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及一种基于沟道长度调制效应补偿的带隙基准电压电路。本发明包括齐纳稳压源模块，用于对外部输入电压进行初步降压，生成初级参考电压；线性稳压源模块，线性稳压源模块耦接于齐纳稳压源模块，用于生成线性稳压源；一阶带隙基准电路模块，一阶带隙基准电路模块耦接于线性稳压源模块，用于生成经过一阶温度补偿的第一电流；λ调制效应高阶补偿电路模块，分别耦接于齐纳稳压源模块以及线性稳压源模块，λ调制效应高阶补偿电路模块通过沟道长度调制效应产生高阶非线性温度系数的第二电流；启动电路模块，用于在带隙基准电压电路上电过程中提供启动电压和驱动电流。本发明能够实现超低温度系数的参考电压。
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公开(公告)号：CN119556761A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202510128101.5
申请日：2025-02-05
Applicant: 无锡硅动力微电子股份有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及一种基于沟道长度调制效应补偿的带隙基准电压电路。本发明包括齐纳稳压源模块，用于对外部输入电压进行初步降压，生成初级参考电压；线性稳压源模块，线性稳压源模块耦接于齐纳稳压源模块，用于生成线性稳压源；一阶带隙基准电路模块，一阶带隙基准电路模块耦接于线性稳压源模块，用于生成经过一阶温度补偿的第一电流；λ调制效应高阶补偿电路模块，分别耦接于齐纳稳压源模块以及线性稳压源模块，λ调制效应高阶补偿电路模块通过沟道长度调制效应产生高阶非线性温度系数的第二电流；启动电路模块，用于在带隙基准电压电路上电过程中提供启动电压和驱动电流。本发明能够实现超低温度系数的参考电压。
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公开(公告)号：CN111224647B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202010176828.8
申请日：2020-03-13
Applicant: 无锡硅动力微电子股份有限公司
IPC: H03K17/0812 , H03K17/687
Abstract: 本发明提供一种高可靠的GaN功率管快速门极驱动电路，包括：驱动电流调节电路的控制端与反相器INV115的输入端接门极驱动电路的输入端；门极驱动电路的输入端用于输入控制信号On；反相器INV115的输出端接第一MOS开关Q111的控制端以及关断延时电路的输入端；关断延时电路的输出端接第二MOS开关Q113的控制端；驱动电流调节电路输出两路电流源iCp、iDrv，分别接到电荷泵电容C120两端的节点a和节点b；第一MOS开关Q111的一个开关端接节点a，另一个开关端接参考地；第二MOS开关Q113的一个开关端接节点b，另一个开关端接参考地；节点b作为门极驱动电路的输出端；本发明能够提升GaN功率管工作可靠性。
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公开(公告)号：CN118713440B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411178357.9
申请日：2024-08-27
Applicant: 无锡硅动力微电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种谷底锁定控制电路。本发明的第一比较器的正端接误差放大器的输出端，第一比较器的负端接锯齿波信号SAW；选择器的通道接第一比较器的输出端；谷底锁存电路的VOK端接选择器的通道，谷底锁存电路的LOCK端接选择器的控制端；触发器的置位端接选择器的输出端；第二比较器的正端和负端分别接输出电流反馈信号和电流基准信号，第二比较器的输出端接触发器的复位端；驱动电路的输入端接触发器的输出端，驱动电路的输出端输出驱动波形；第三比较器的正端和负端分别接基准电压源和输出电压反馈信号。本发明能够在每个开关周期内精确锁定谐振谷底，提高系统转换效率，有效地降低能量损耗。
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公开(公告)号：CN118449512B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410906626.2
申请日：2024-07-08
Applicant: 无锡硅动力微电子股份有限公司
IPC: H03K19/0185 , H03K19/20 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种多级电平转换器电路，涉及集成电路领域，该多级电平转换器电路包括：第一反相器电路C001，用于将输入信号VIN反相后输出给下拉电路C002；下拉电路C002，用于基于输入信号VIN的电压高低，选择性控制两条回路其中的一条回路接地导通；本发明的有益效果是：第一自适应保护电路C003和第二自适应保护电路C006能有效的保护第一电平钳位电路C004与第二电平钳位电路C005中MOS器件的栅氧，同时确保下拉电路C002与正反馈上拉电路C007的漏极免受不同工艺平台高低压器件关断电流Ioff不匹配带来的风险，从而显著提升了电平转换器电路的稳定性和可靠性；不再需要大电阻占用过多芯片面积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118316446A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410737663.5
申请日：2024-06-07
Applicant: 无锡硅动力微电子股份有限公司
IPC: H03M1/06
Abstract: 本发明涉及改善分段式电容型电荷再分配SAR ADC精度和线性度的结构。本发明包括比较器、逻辑控制模块、误差调整模块、电容阵列开关、悬空控制开关、桥接电容Cb以及通过桥接电容Cb相连的低段电容阵列和高段电容阵列；比较器用于比较高段电容阵列的电容上极板电压与基准电压VR；低段电容阵列的电容下极板通过电容阵列开关连接至待转换电压VIN、基准高端VRH和基准低端VRL；高段电容阵列的电容下极板依次通过悬空控制开关、电容阵列开关连接至待转换电压VIN、基准高端VRH和基准低端VRL；逻辑控制模块与比较器输出端相连；误差调整模块与逻辑控制模块相连。本发明能够降低桥接电容实际容值和理论目标容值的偏差造成的影响，可以达到更高的转换精度。
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公开(公告)号：CN110677017B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201910978703.4
申请日：2019-10-15
Applicant: 无锡硅动力微电子股份有限公司
IPC: H02M1/08 , H02M1/44 , H03K17/687 , H03K17/16
Abstract: 本发明提供一种低EMI常通型SiCJFET的驱动电路，包括驱动电流调节电路、驱动电压钳位模块、驱动功率管Q2、驱动电压关断功率管Q3、反相器INV1；驱动功率管Q2的漏极接常通型SiCJFET功率管Q1的源极，驱动功率管Q2的源极接SiCJFET功率管Q1的栅极并接地；驱动功率管Q2的栅极接驱动电压vDrv；驱动电流调节电路110接开关信号In，驱动电流调节电路110的电流输出端接驱动功率管Q2的栅极；驱动电压钳位模块140接驱动功率管Q2的栅极；反相器INV1的输入端接开关信号In，输出端接驱动电压关断功率管Q3的栅极，Q3的源极接地，漏极接驱动功率管Q2的栅极；本发明实现一种低损耗、低EMI的常通型SiC JFET驱动电路。
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公开(公告)号：CN117458889B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311776007.8
申请日：2023-12-22
Applicant: 无锡硅动力微电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种反激式开关电源控制电路，包括控制电路、变压器、输出整流电路、第一采样反馈电路、第二采样反馈电路、功率管、供电二极管、电容和功率管电流采样电路；输出整流电路与变压器的次级绕组电性连接；输出整流电路设置在变压器初级绕组的负端；供电二极管与变压器的辅助绕组电性连接；供电二极管设置在变压器辅助绕组的负端；采用初级负端采样对应次级负端整流，芯片供电脚VCC作为交流地，采集VCC与电阻分压信号FB的压差，其值对应输出电压；由于芯片供电脚VCC并不是真正的地，控制电路工作状态下其波动会影响采样准确性，本发明采用先信号放大后采样的方式消除采样带来的误差，采样位置由采样保持信号来进行自动调节。
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公开(公告)号：CN116259653A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310504414.7
申请日：2023-05-08
Applicant: 无锡硅动力微电子股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及一种晶体管功率器件及其制备方法，包括第一导电类型衬底，所述第一导电类型衬底的下表面设置有漏极金属，所述第一导电类型衬底的上表面设置有述第一导电类型外延层；所述第一导电类型外延层上表面自左至右依次间隔布置有第一栅极沟槽、第二栅极沟槽、第三栅极沟槽和第四栅极沟槽，所述第一栅极沟槽左半部分位于元胞区，所述第一栅极沟槽的右半部分位于终端区，所述第二栅极沟槽、第三栅极沟槽和第四栅极沟槽均位于终端区；在第二栅极沟槽与第三栅极沟槽之间，以及第三栅极沟槽与第四栅极沟槽之间注入第一导电类型掺杂区，避免接触孔的侧壁出现氧化层而对接触孔处形成欧姆接触的质量产生影响。
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公开(公告)号：CN114567161A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210189783.7
申请日：2022-02-28
Applicant: 无锡硅动力微电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种内置动态TTL电平跳变沿控制改善EMI的BMC PHY装置，涉及数字IC设计领域，该内置动态TTL电平跳变沿控制改善EMI的BMC PHY装置包括：电流镜供电模块，用于通过电流镜控制8个电流是否供电，且8个电流的电流大小两两相差一倍，以此获得256种供电电流；进而获得256种不同的斜率上升的输出电压；电流镜接地模块，用于通过电流镜控制8个电流是否接地，且8个电流的电流大小两两相差一倍，以此获得256种接地电流；与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明立足于通过改量斜率优化芯片级EMI输出的目的，结合BMC PHY芯片自带的数字通信通路(CC线)，通过内置高精度电流镜网络和不同工作模式的抖频算法，极大的优化了芯片EMI性能。
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