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公开(公告)号：CN1839093B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200480023718.7
申请日：2004-08-20
Applicant: 库克有限公司
Inventor： 弗兰克·J·鲁斯 , 拉斯·奥伯百克 , 米歇尔·伊冯·西蒙 , K·E·詹森·果戈 , 亚历山大·鲁道夫·汉密尔顿 , 麦拉顿·米蒂克 , 罗夫·勃伦纳 , 尼尔·乔纳森·克鲁森 , 托比·哈勒姆
IPC: B82B3/00 , H01L23/544
CPC classification number: H01L23/544 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G01Q80/00 , H01L29/66439 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , Y10S438/975 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及纳米级和原子级器件的制造。该方法包括创建一或多个配准标记。利用SEM或光学显微镜来形成配准标记和扫描隧道显微镜(STM)针尖的图像。利用该图像来定位和重新定位STM针尖，以图案化器件结构。形成该器件的活性区域，然后封装器件，使得一或多个配准标记仍然可见，以允许修正表面电极的定位。该方法可以被用来形成大量器件结构，包括量子线、单电子晶体管、阵列或栅极区域。还可以使用该方法通过利用STM图案化后续层并在中间封装来生产3D器件。
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公开(公告)号：CN1954409B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200580015364.6
申请日：2005-05-18
Applicant: 库克有限公司
Inventor： 索伦·安德雷森 , 安德鲁·史蒂文·朱瑞克 , 埃里克·古扎 , 肖恩·赫恩 , 托比·费利克斯·霍夫 , 大卫·诺曼·贾米森 , 姆拉登·米提克 , 史蒂文·普瑞弗 , 常义·杨
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/26513 , H01L21/26566 , H01L21/2658 , H01L21/28114 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/66537 , H01L29/66583 , H01L29/7833 , H01L29/785
Abstract: 本发明涉及普通类型的半导体器件，其包括一定计数数目掺杂质原子(142)，这些掺杂质原子被注入到近本征半导体的基板(158)的区域中。所述基板(158)的一个或多个掺杂表面区域(152)被涂覆金属以形成电极(150)，一定计数数目的掺杂质离子(142)被注入到所述本征半导体的区域中。
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公开(公告)号：CN1954409A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200580015364.6
申请日：2005-05-18
Applicant: 库克有限公司
Inventor： 索伦·安德雷森 , 安德鲁·史蒂文·朱瑞克 , 埃里克·古扎 , 肖恩·赫恩 , 托比·费利克斯·霍夫 , 大卫·诺曼·贾米森 , 姆拉登·米提克 , 史蒂文·普瑞弗 , 常义·杨
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/26513 , H01L21/26566 , H01L21/2658 , H01L21/28114 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/66537 , H01L29/66583 , H01L29/7833 , H01L29/785
Abstract: 本发明涉及普通类型的半导体器件，其包括一定计数数目掺杂质原子(142)，这些掺杂质原子被注入到近本征半导体的基板(158)的区域中。所述基板(158)的一个或多个掺杂表面区域(152)被涂覆金属以形成电极(150)，一定计数数目的掺杂质离子(142)被注入到所述本征半导体的区域中。
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公开(公告)号：CN1188390A
公开(公告)日：1998-07-22
申请号：CN96194950.3
申请日：1996-06-21
Applicant: 埃贾克斯·库克有限公司
Inventor： 杰弗里·达德利·琼斯
Abstract: 一个用于把掌固定到蹄子上的钉子,包括,一个钉头20和一个大体沿中线14从钉头20开始延伸并且终止在钉尖13处的钉体。一个作用区24成型于靠近钉尖13处的钉体12上并且具有一个平坦的外形,它具有由相应边表面27、28互连在一起的前和后表面25、26。在作用区24中,前表面25呈弧形弯曲,以使前表面25相对于钉体12的中线14倾斜并且边表面27、28相互相对地向钉尖13收敛,由此,当把钉子用力钉入蹄子时,作用区24适合于在钉子上产生一个合力,该力是由作用区24与蹄子相互作用产生的,该作用力使钉子倾斜,绕作用区24的后表面26弯曲。还揭示了用于成型马掌钉的方法。
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公开(公告)号：CN101965631A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200980108310.2
申请日：2009-02-11
Applicant: 库克有限公司
Inventor： 安德里亚·莫雷洛 , 安德鲁·史蒂夫·德祖瑞克 , 汉斯-格列戈尔·许布尔 , 罗伯特·格雷厄姆·克拉克 , 劳伦斯·亨利·威廉斯·范·贝韦雷恩 , 洛伊德·克里斯托弗·伦纳德·霍伦贝格 , 大卫·诺曼·贾米森 , 克里索弗·埃斯科特
IPC: H01L21/335 , G06N1/00 , G01N24/10 , H01L21/8238
CPC classification number: G01N24/10 , B82Y10/00 , G06N10/00 , H01L29/66984 , H01L29/7613
Abstract: 本发明涉及用于控制和读出硅中的单杂质的电子或空穴自旋。该器件包括硅衬底，在所述硅衬底中有一个或多个欧姆接触区域。绝缘区域，位于所述衬底的顶部。第一势垒栅和第二势垒栅，被隔开以隔离出小的电荷区域，从而形成单电子晶体管(SET)岛。第三栅，与所述第一势垒栅和所述第二势垒栅重叠，但与所述第一势垒栅和所述第二势垒栅绝缘，所述第三栅能够在所述第三栅之下的衬底中产生栅诱导电荷层(GICL)。第四栅，紧靠单杂质原子，所述杂质原子被封在所述衬底中所述GICL的区域之外，但足够接近所述GICL的区域以允许在栅电势的控制下，主要是在所述第四栅的栅电势的控制下，所述杂质原子与所述SET岛之间的依赖于自旋的电荷隧穿。在使用中，第三栅或第四栅还用作用于控制所述杂质原子的单电子或空穴的自旋的电子自旋共振(ESR)线。另一方面本发明涉及一种使用该器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101959790A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200880127837.5
申请日：2008-12-09
Applicant: 库克有限公司
Inventor： 米切尔·尤文·西蒙斯 , 安德里亚·富雷尔 , 马丁·菲克斯勒 , 本特·韦伯 , 西劳·柯德·格哈德·罗伊施 , 威尔逊·波克 , 弗兰克·鲁斯
CPC classification number: H01L23/544 , B82B3/0019 , B82Y10/00 , H01L29/66439 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及纳米至原子级器件的制造，其中纳米至原子级器件是被制造为原子精度的电子器件。制造过程使用SEM或者STM针尖来图案化半导体衬底上的区域。然后，在那些区域形成所述器件的电活性部分。封装所形成的器件。使用SEM或者光学显微镜对封装半导体的表面上的导电元件与所述器件的被封装在所述表面下的各个活性部分的位置进行对准。在所述表面上的对准后的位置处形成导电元件。并且，将所述表面上的导电元件与所述器件的被封装在所述表面下的对准后的部分电连接，以允许所述器件的电连接性和可调性。另一方面，本发明涉及这些器件本身。
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公开(公告)号：CN1064512C
公开(公告)日：2001-04-18
申请号：CN96194950.3
申请日：1996-06-21
Applicant: 埃贾克斯·库克有限公司
Inventor： 杰弗里·达德利·琼斯
Abstract: 一种钉子，包括一个钉头和一个钉体，钉体具有平坦的外形，该外形具有由相应的边表面互连在一起的分开的前和后表面，其中钉体包括一个靠近钉尖的作用区和一个在作用区与钉头之间的弯曲区，并且包括所述弯曲区在内的钉体具有微观结构上的预定变化，以便于当把钉子钉入蹄子时产生一个适合使钉子易于在弯曲区内绕钉体的后表面弯曲的合力。还提供了两种制作所述钉子的方法。
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公开(公告)号：CN101965631B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200980108310.2
申请日：2009-02-11
Applicant: 库克有限公司
Inventor： 安德里亚·莫雷洛 , 安德鲁·史蒂夫·德祖瑞克 , 汉斯-格列戈尔·许布尔 , 罗伯特·格雷厄姆·克拉克 , 劳伦斯·亨利·威廉斯·范·贝韦雷恩 , 洛伊德·克里斯托弗·伦纳德·霍伦贝格 , 大卫·诺曼·贾米森 , 克里索弗·埃斯科特
IPC: H01L21/335 , G06N1/00 , G01N24/10 , H01L21/8238
CPC classification number: G01N24/10 , B82Y10/00 , G06N10/00 , H01L29/66984 , H01L29/7613
Abstract: 本发明涉及用于控制和读出硅中的单杂质的电子或空穴自旋。该器件包括硅衬底，在所述硅衬底中有一个或多个欧姆接触区域。绝缘区域，位于所述衬底的顶部。第一势垒栅和第二势垒栅，被隔开以隔离出小的电荷区域，从而形成单电子晶体管(SET)岛。第三栅，与所述第一势垒栅和所述第二势垒栅重叠，但与所述第一势垒栅和所述第二势垒栅绝缘，所述第三栅能够在所述第三栅之下的衬底中产生栅诱导电荷层(GICL)。第四栅，紧靠单杂质原子，所述杂质原子被封在所述衬底中所述GICL的区域之外，但足够接近所述GICL的区域以允许在栅电势的控制下，主要是在所述第四栅的栅电势的控制下，所述杂质原子与所述SET岛之间的依赖于自旋的电荷隧穿。在使用中，第三栅或第四栅还用作用于控制所述杂质原子的单电子或空穴的自旋的电子自旋共振(ESR)线。另一方面本发明涉及一种使用该器件的方法。
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公开(公告)号：CN1839093A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200480023718.7
申请日：2004-08-20
Applicant: 库克有限公司
Inventor： 弗兰克·J·鲁斯 , 拉斯·奥伯百克 , 米歇尔·伊冯·西蒙 , K·E·詹森·果戈 , 亚历山大·鲁道夫·汉密尔顿 , 麦拉顿·米蒂克 , 罗夫·勃伦纳 , 尼尔·乔纳森·克鲁森 , 托比·哈勒姆
IPC: B82B3/00 , H01L23/544
CPC classification number: H01L23/544 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G01Q80/00 , H01L29/66439 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , Y10S438/975 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及纳米级和原子级器件的制造。该方法包括创建一或多个配准标记。利用SEM或光学显微镜来形成配准标记和扫描隧道显微镜(STM)针尖的图像。利用该图像来定位和重新定位STM针尖，以图案化器件结构。形成该器件的活性区域，然后封装器件，使得一或多个配准标记仍然可见，以允许修正表面电极的定位。该方法可以被用来形成大量器件结构，包括量子线、单电子晶体管、阵列或栅极区域。还可以使用该方法通过利用STM图案化后续层并在中间封装来生产3D器件。
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公开(公告)号：CN101959790B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN200880127837.5
申请日：2008-12-09
Applicant: 库克有限公司
Inventor： 米切尔·尤文·西蒙斯 , 安德里亚·富雷尔 , 马丁·菲克斯勒 , 本特·韦伯 , 西劳·柯德·格哈德·罗伊施 , 威尔逊·波克 , 弗兰克·鲁斯
CPC classification number: H01L23/544 , B82B3/0019 , B82Y10/00 , H01L29/66439 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及纳米至原子级器件的制造，其中纳米至原子级器件是被制造为原子精度的电子器件。制造过程使用SEM或者STM针尖来图案化半导体衬底上的区域。然后，在那些区域形成所述器件的电活性部分。封装所形成的器件。使用SEM或者光学显微镜对封装半导体的表面上的导电元件与所述器件的被封装在所述表面下的各个活性部分的位置进行对准。在所述表面上的对准后的位置处形成导电元件。并且，将所述表面上的导电元件与所述器件的被封装在所述表面下的对准后的部分电连接，以允许所述器件的电连接性和可调性。另一方面，本发明涉及这些器件本身。
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