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公开(公告)号：CN116573615B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202310624288.9
申请日：2023-05-29
Applicant: 乳源东阳光电化厂 , 广东省寓创电子有限公司
IPC: C01B15/013
Abstract: 本发明公开了一种过氧化氢及其纯化方法，该纯化方法包括如下步骤：在工业级过氧化氢中加入反应调节剂使体系pH＝3.0～6.2，然后采用非游离态纳米光催化剂对工业级过氧化氢进行光催化，即得过氧化氢；所述反应调节剂包括无机磷酸类化合物、环己醇类磷酸化合物和抗坏血酸类化合物；所述无机磷酸类化合物、环己醇类磷酸化合物和抗坏血酸类化合物的重量比为(40～80):(18～45):(2～15)。本发明过氧化氢的纯化方法选用的反应调节剂能够保护纳米光催化剂不被腐蚀且促进纳米光催化剂对体系中有机杂质的降解、以及抑制和减少过氧化氢分解。
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公开(公告)号：CN117214160A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311081253.1
申请日：2023-08-25
Applicant: 乳源东阳光新能源材料有限公司 , 广东省寓创电子有限公司
Abstract: 本发明涉及一种测定磷酸铁锂材料中铁离子溶出率的方法，该方法包括如下步骤：S1：将磷酸铁锂材料、表面活性剂和水混合，并分散均匀得混合液；S2：对混合液进行固液分离，取滤液，然后利用稀释剂稀释所述滤液后，得到稀释液；S3：测定稀释液中铁离子含量，即得铁离子溶出率。本发明通过添加表面活性剂，可以使磷酸铁锂材料中的铁离子的快速、均匀地溶出，提高测试效率及一致性，实现磷酸铁锂材料中的铁离子溶出率稳定、快速、准确的测定。
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公开(公告)号：CN117214029A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311155755.4
申请日：2023-09-07
Applicant: 乳源东阳光优艾希杰精箔有限公司 , 广东省寓创电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种判断铝箔烘干程度的方法，涉及烘干技术领域。本发明所提供的一种判断铝箔烘干程度的方法，利用无水硫酸铜吸水会变色及含水铝箔会吸附无水硫酸铜粉末的原理，在待测铝箔上使无水硫酸铜粉末依次铺展成短轴长度与待测铝箔的长轴长度之比为(0.025～0.0625)：1的长条I和长轴长度与待测铝箔的长轴长度之比为(0.6～1)：1的长条Ⅱ，通过将铝箔上吸附的无水硫酸铜粉末聚拢后判定颜色以及测定硫酸铜粉末的质量，实现了对铝箔烘干程度的实时、定性和定量判断，且所得判断结果稳定。
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公开(公告)号：CN115725915B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202211531272.5
申请日：2022-12-01
Applicant: 乳源县立东电子科技有限公司 , 广东省寓创电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种光箔晶粒控制方法及电解电容器用阳极箔的制备方法，涉及电解电容器技术领域。本发明的光箔晶粒控制方法，包括如下步骤：S1.将光箔样品至于退火炉中，退火炉抽真空至真空度为50～100Pa，快速升温至250℃，抽高真空至≤2Pa，保温2h，S2.保持真空度，快速升温到420℃，保持真空度向炉内持续充入惰性气体，流量为3～10L/min，保温2‑4h；S3.缓慢降温至250℃，充入空气保持正常大气压，然后快速降温到50～120℃出炉。本发明光箔晶粒控制方法通过退火过程真空度和升温速率的控制实现了晶粒大小及均匀度的控制，进而兼顾提升了腐蚀箔的比容和强度。
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公开(公告)号：CN116969960A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310918365.1
申请日：2023-07-25
Applicant: 乳源东阳光药业有限公司 , 广东省寓创电子有限公司
IPC: C07D491/056
Abstract: 本发明公开了酪氨酸激酶抑制剂的中间体的制备方法。所述制备方法为式(I)化合物或式(I)化合物的酸加成盐、溶剂与碱混合，随后加入式(II)化合物，加热反应，经后处理获得式(III)化合物酪氨酸激酶抑制剂的中间体；所述碱选自氟化铯或叔丁醇钾。所述方法较好地提高了中间体的产率，原料转化效率高，产物产率可达60％以上，同时纯度在70％以上，较好地降低了后续酪氨酸激酶抑制剂的制备成本。
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公开(公告)号：CN116002643B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202211565944.4
申请日：2022-12-07
Applicant: 乳源东阳光新能源材料有限公司 , 广东省寓创电子有限公司
IPC: C01B25/37
Abstract: 本发明涉及一种磷酸铁废料的再生处理方法。该一种磷酸铁废料的再生处理方法，包括如下步骤：S1.将磷酸铁废料与质量浓度为16～20％的磷酸溶液混合，反应，过滤，得滤液；S2.将滤液与水混合后得混合液，混合液在70～90℃条件下反应，再进行陈化、过滤，对过滤得到的滤料进行煅烧，即得到再生后的磷酸铁；步骤S1中磷酸铁废料中铁元素与磷酸溶液中磷元素的摩尔比为1：(2.8～3.4)；步骤S2中所述混合液中铁离子的浓度为1.35％～1.45％。该再生处理方法过程简单，体系无其他杂质离子引入，洗水少，母液及洗水均可在体系内进行循环回用，无废水产生，成本低且易操作。
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公开(公告)号：CN115763802A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211336184.X
申请日：2022-10-28
Applicant: 乳源东阳光氟树脂有限公司 , 广东省寓创电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种正极浆料、正极片及锂离子二次电池，涉及锂离子二次电池技术领域。本发明所述正极浆料含有富镍正极活性物质和经磺酸基改性的1,1‑二氟乙烯共聚物粘结剂，通过磺酸基团与富镍正极材料表面残碱反应，抑制残碱与1,1‑二氟乙烯聚合物的脱HF消除反应，阻止共轭聚烯结构形成，避免正极浆料凝胶化，提升其粘度和电学性能。本发明所述正极浆料适用于制备正极片和锂离子二次电池，得到的电池内阻低，具有良好的恒流充入比。
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公开(公告)号：CN115725915A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211531272.5
申请日：2022-12-01
Applicant: 乳源县立东电子科技有限公司 , 广东省寓创电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种光箔晶粒控制方法及电解电容器用阳极箔的制备方法，涉及电解电容器技术领域。本发明的光箔晶粒控制方法，包括如下步骤：S1.将光箔样品至于退火炉中，退火炉抽真空至真空度为50～100Pa，快速升温至250℃，抽高真空至≤2Pa，保温2h，S2.保持真空度，快速升温到420℃，保持真空度向炉内持续充入惰性气体，流量为3～10L/min，保温2‑4h；S3.缓慢降温至250℃，充入空气保持正常大气压，然后快速降温到50～120℃出炉。本发明光箔晶粒控制方法通过退火过程真空度和升温速率的控制实现了晶粒大小及均匀度的控制，进而兼顾提升了腐蚀箔的比容和强度。
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公开(公告)号：CN118807753A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310381169.5
申请日：2023-04-11
Applicant: 乳源东阳光电化厂 , 广东省寓创电子有限公司
Abstract: 一种用于生产四氯乙烯的催化剂及其制备方法和在催化六氯乙烷中的应用。本发明用于生产四氯乙烯的催化剂是由MgO、Fe和Al2O3组成的多孔结构复合物，所述MgO、Fe和Al2O3的质量比为(1～10)：(10～30)：(60～90)。该催化剂以多孔氧化铝为载体骨架提供丰富的孔道结构，MgO和铁单质则均匀分布于载体骨架表面或载体骨架中，使得催化剂具备合适比表面积的同时还进一步优化催化剂的酸碱性，从而赋予催化剂高反应活性，可催化六氯乙烷高效制备四氯乙烯。
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公开(公告)号：CN117334482A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311418661.1
申请日：2023-10-27
Applicant: 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 广东省寓创电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种利用单段变电流发孔制备高压腐蚀箔的方法。所述方法包括：前处理‑发孔处理‑‑中处理‑‑扩孔处理‑后处理；发孔处理为经前处理的箔片放入硫酸、盐酸和聚二甲基硅氧烷的混合液中进行发孔，发孔电流密度为0.1～2.0A/cm2，发孔电流密度分布按照y＝ax2+bx+c，其中x的取值范围为x＞‑b/2a；且满足‑1≤a≤‑0.5，0.5≤b≤1，3≤c≤4；聚二甲基硅氧烷的浓度为5～20ppm。本发明制备的高压腐蚀箔的孔洞具有良好的可控性，铝箔的纵向深入能力得到了明显改善，600V容量在0.640‑0.670μF/cm2。
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