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公开(公告)号：CN117334482A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311418661.1
申请日：2023-10-27
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 广东省寓创电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种利用单段变电流发孔制备高压腐蚀箔的方法。所述方法包括：前处理‑发孔处理‑‑中处理‑‑扩孔处理‑后处理；发孔处理为经前处理的箔片放入硫酸、盐酸和聚二甲基硅氧烷的混合液中进行发孔，发孔电流密度为0.1～2.0A/cm2，发孔电流密度分布按照y＝ax2+bx+c，其中x的取值范围为x＞‑b/2a；且满足‑1≤a≤‑0.5，0.5≤b≤1，3≤c≤4；聚二甲基硅氧烷的浓度为5～20ppm。本发明制备的高压腐蚀箔的孔洞具有良好的可控性，铝箔的纵向深入能力得到了明显改善，600V容量在0.640‑0.670μF/cm2。
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公开(公告)号：CN116403832A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310231979.2
申请日：2023-03-10
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 广东省寓创电子有限公司
摘要： 本发明涉及一种提高铝电蚀箔发孔均匀性的高比容阳极箔的制造方法。本发明所述的一种提高铝电蚀箔发孔均匀性的高比容阳极箔的制造方法，包括前处理、多V发孔腐蚀、多V扩孔腐蚀及后处理步骤，本发明主要涉及到发孔腐蚀工艺，主要通过在发孔液中添加金属表面清洗剂，在多V发孔过程中更有效的减少箔面的Al2(SO4)3膜的形成，裸露出较多的Al基材，尤其改善不易发孔位置的表面状态，得到更多的发孔机会，从而制造出孔洞更多、更为均匀的高比容阳极箔。
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公开(公告)号：CN115821360A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211484349.8
申请日：2022-11-24
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 广东省寓创电子有限公司
摘要： 在本发明提供一种阳极箔及其制备方法和应用，所述阳极箔发孔液，以重量份数计，包括如下组分：3～4份铝盐、30～35份硫酸、4～5份盐酸和0.01～0.5份的金属表面处理剂；所述金属表面处理剂由聚氧乙烯醚、磷酸酯、氟硅酸盐的一种及以上组成。阳极箔发孔液中的金属表面处理剂一方面可以在晶面形成更多裸露铝基，降低其孔蚀电位，得到更均匀的发孔点，避免出现发孔点在晶界部分聚集，而晶面部分孔隙稀疏的现象；另一方面，金属表面处理剂在一定程度减缓硫酸铝膜的形成，有利于孔的深入及扩大，减少细浅无效孔的比例。本发明提供发孔液制备的阳极箔表面发孔数量≥107/cm2，孔径尺寸为1.15～1.19μm，本发明所制备的阳极箔表面发孔均匀性得到改善，阳极箔的静电比容得到明显提高。
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公开(公告)号：CN114059145A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111408713.8
申请日：2021-11-24
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
摘要： 本发明公开了一种低压腐蚀箔及其制备方法和应用。本发明的制备方法包括预处理、近场直写、布孔腐蚀、中处理、深度生长腐蚀、后处理和热处理步骤，所述近场直写步骤的具体操作为：将熔融态的非水溶性聚合物在铝箔两面进行对称直写处理，得到若干条平行或交叉线条组成的平面图案；所述图案线条之间距离为20～200μm，图案线条宽度为0.5～1000μm。本发明所制备的低压腐蚀箔具有连续贯穿结构的夹心铝层，使其具有较高比容的同时显著提升了折弯性能，折弯强度达到85～99回，同时改善了正负极引线与低压腐蚀箔的有效接触面积，进而减小接触电阻，减少发热和击穿等现象的发生。
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公开(公告)号：CN114059145B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202111408713.8
申请日：2021-11-24
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
摘要： 本发明公开了一种低压腐蚀箔及其制备方法和应用。本发明的制备方法包括预处理、近场直写、布孔腐蚀、中处理、深度生长腐蚀、后处理和热处理步骤，所述近场直写步骤的具体操作为：将熔融态的非水溶性聚合物在铝箔两面进行对称直写处理，得到若干条平行或交叉线条组成的平面图案；所述图案线条之间距离为20～200μm，图案线条宽度为0.5～1000μm。本发明所制备的低压腐蚀箔具有连续贯穿结构的夹心铝层，使其具有较高比容的同时显著提升了折弯性能，折弯强度达到85～99回，同时改善了正负极引线与低压腐蚀箔的有效接触面积，进而减小接触电阻，减少发热和击穿等现象的发生。
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公开(公告)号：CN114164481B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202111342793.1
申请日：2021-11-12
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
摘要： 本发明公开了一种发孔腐蚀方法、中高压腐蚀箔及其制备方法，所述发孔腐蚀方法为将铝箔置于腐蚀液中依次进行第一次大电流腐蚀和第一次小电流腐蚀；所述第一次大电流腐蚀电流密度为0.4～0.8A/cm2；所述第一次小电流腐蚀电流密度为0.05～0.25A/cm2；所述发孔腐蚀总时间为95～170s，其中第一次小电流腐蚀时间为15～50s；所述腐蚀液中盐酸浓度为2～5wt.％，硫酸浓度为25～35wt.％，铝离子浓度为0.3～0.6mol/L，所述腐蚀液温度为65～75℃。本发明在大电流腐蚀后或大电流腐蚀进行时增加小电流腐蚀，可在基本不新增点蚀孔的情况下小幅扩大和深入发孔孔洞，有利于后续扩孔腐蚀孔洞深入和扩孔的一致性，减少无效小孔对中高压腐蚀箔静电容量的不利影响，提高了制备得到的腐蚀箔的静电容量。
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公开(公告)号：CN114164481A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111342793.1
申请日：2021-11-12
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
摘要： 本发明公开了一种发孔腐蚀方法、中高压腐蚀箔及其制备方法，所述发孔腐蚀方法为将铝箔置于腐蚀液中依次进行第一次大电流腐蚀和第一次小电流腐蚀；所述第一次大电流腐蚀电流密度为0.4～0.8A/cm2；所述第一次小电流腐蚀电流密度为0.05～0.25A/cm2；所述发孔腐蚀总时间为95～170s，其中第一次小电流腐蚀时间为15～50s；所述腐蚀液中盐酸浓度为2～5wt.％，硫酸浓度为25～35wt.％，铝离子浓度为0.3～0.6mol/L，所述腐蚀液温度为65～75℃。本发明在大电流腐蚀后或大电流腐蚀进行时增加小电流腐蚀，可在基本不新增点蚀孔的情况下小幅扩大和深入发孔孔洞，有利于后续扩孔腐蚀孔洞深入和扩孔的一致性，减少无效小孔对中高压腐蚀箔静电容量的不利影响，提高了制备得到的腐蚀箔的静电容量。
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公开(公告)号：CN115452502A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210989294.X
申请日：2022-08-17
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
摘要： 本发明涉及腐蚀箔实验室制备技术领域，更具体地，涉及一种可调节张力的夹具及其用于腐蚀箔的试验装置制备方法，其中可调节张力的夹具，包括悬挂架、滑轨、支撑架、用于夹持铝箔一端的固定夹板结构及用于夹持铝箔另一端的活动夹板结构；滑轨连接于悬挂架和支撑架之间；固定夹板结构固定设于悬挂架上；悬挂架上设有供铝箔穿过的通孔；活动夹板结构滑动设于滑轨上；活动夹板结构还连接有用于驱动活动夹板结构滑动的驱动结构。本发明通过调节活动夹板结构与固定夹板结构之间的间距，进而可实现对铝箔所受张力大小的调节，将该夹具用于腐蚀箔的实验室制备中，弥补了目前实验室模拟过程中缺乏张力调节对腐蚀箔性能研究的空白。
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公开(公告)号：CN115287738A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210868265.8
申请日：2022-07-21
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
摘要： 本发明提供了一种制备高比容腐蚀箔的前处理方法及其应用。所述前处理方法将铝箔放入前处理液中进行浸泡，并施加第一微波能量，所述第一微波能量密度为20～50W/m3，控制所述前处理液的温度为315～335K。可以有效提升前处理液体系中分子振动的频率和振幅，增加分子的内能，促进腐蚀位点形成和均匀性分布，可以使腐蚀箔的发孔数量明显增加；在第二电解腐蚀中引入第二微波能量，有助于孔洞的深入和孔径增长，可以使腐蚀箔经40μm抛光后孔洞保持率提升，且静电容量进一步提升。
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公开(公告)号：CN114188160A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111408711.9
申请日：2021-11-24
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于低压化成箔的电极结构材料及其应用。本发明的电极结构材料包括未腐蚀铝芯层和腐蚀区间，所述未腐蚀铝芯层具有连续贯穿结构并垂直于电极结构材料表面均匀分布，未腐蚀铝芯层的平均厚度为0.1～100μm，未腐蚀铝芯层之间距离为20～1000μm。本发明的电极结构材料具有优异的折弯性能的同时还具有较高的比容，比容为84μF/cm2时其折弯强度达到93回。本发明的电极结构材料应用于铝电解电容器时，未腐蚀铝芯层显著改善了电极结构材料与正负极引线的有效接触面积，进而减小接触电阻，与传统电极结构材料相比，将接触电阻由0.89mΩ降低至0.21mΩ，减小了电极结构材料发热和击穿的风险。
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