-
公开(公告)号：CN113026109B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202110252005.3
申请日：2021-03-08
申请人： 中国科学院过程工程研究所 , 宁夏高创特能源科技有限公司
IPC分类号： C30B35/00 , C22B9/02 , C30B29/02 , C22B15/14 , C30B29/06 , C22B21/06 , C22B34/12 , C22B47/00
摘要： 本发明提供一种旋转偏析提纯制备高纯金属的装置及方法，所述装置包括金属熔化单元、旋转偏析提纯单元与输送单元；所述金属熔化单元和旋转偏析提纯单元分别独立地与输送单元连接。所述方法包括以下步骤：(1)熔化固体金属，得到金属熔体；(2)将步骤(1)所得金属熔体进行旋转偏析提纯，得到金属纯度≥4N的高纯金属。本发明提供的方法通过结晶器的高速旋转进行固液界面溶质边界层厚度的减薄和成分过冷的降低，实现了晶体稳定生长与微量杂质分凝的协同作用，从而达到了高纯金属材料规模化制备的目的。
-
公开(公告)号：CN118372133A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410681370.X
申请日：2024-05-29
申请人： 北方民族大学 , 宁夏高创特能源科技有限公司
摘要： 本发明提供一种高硬脆材料球体粗加工装置及方法，包括第一电机、第二电机、滑块组、窝球器、夹紧装置及工作台；第一电机与滑块组连接，滑块组与第二电机连接，以通过第二电机驱动滑块组上下移动，带动第一电机上下移动，第一电机上下移动带动窝球器靠近或远离待加工材料；第一电机与窝球器连接，以驱动窝球器旋转对待加工材料磨削；窝球器采用碗状砂轮，且窝球器内部均匀分布有多个凸起的齿部，齿部表面及窝球器底表面有电镀金刚砂，以通过电镀金刚砂对待加工材料进行磨削，齿部上开设有相互错位的让刀槽；夹紧装置设置在工作台上，且位于窝球器的正下方，以在窝球器对待加工材料进行磨削过程中固定待加工材料。
-
公开(公告)号：CN117507161A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311788044.0
申请日：2023-12-22
申请人： 宁夏高创特能源科技有限公司
摘要： 一种单晶硅锥形籽晶成形掏棒装置，该装置的掏钻装置包括支撑架、钻头驱动装置、水冷式传动装置、具有排水的缺口的中空的刀具。支撑架上的钻头驱动装置位于水冷式传动装置的上方，水冷式传动装置具有一个主动传动轴及至少一个从动传动轴，水冷式传动装置上设有冲洗循环水进入口，主动传动轴与从动传动轴之间采用齿轮啮合方式传动，主动传动轴、从动传动轴的下端都对应的与一个中空的刀具固定连接，传动轴的水流通道与冲洗循环水进入口及对应的中空的刀具连通，水冷式传动装置上的冲洗循环水进入口引导外界高压冷却水依次进入传动轴的水流通道及对应的刀具的头刀的内部及从刀头的端部的缺口排出，以利用冲洗循环水从水冷式传动装置、中空的刀具的内部将热量带走。
-
公开(公告)号：CN114561697A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210198284.4
申请日：2022-03-02
申请人： 宁夏高创特能源科技有限公司
摘要： 细小柱状晶硅靶材基体的铸锭制备方法及其制备设备，所述铸锭设备为多晶铸锭炉，包括上炉体、下炉体、隔热笼、石英陶瓷坩埚、顶加热器件、四周侧加热器件、石墨热交换台，在石英陶瓷坩埚外壁石墨软毡外周设置有碳/碳复合保温方框，在上炉体内壁上安装有非接触电磁搅拌装置。其铸锭制备方法步骤：（1）优化多晶铸锭炉热场均匀性；（2）增设非接触硅液电磁搅拌装置；（3）调整多晶铸锭工艺配方参数，延缓晶体生长速率。本发明采用碳/碳复合保温方框及填充石墨软毡作坩埚侧部隔热保温，较常规使用隔热材料，装拆炉更为方便快捷，且石墨软毡每次装拆都能保证厚度均匀一致，到达良好的隔热保温作用。
-
公开(公告)号：CN115707786B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202110947361.7
申请日：2021-08-18
申请人： 中国科学院过程工程研究所 , 宁夏高创特能源科技有限公司
摘要： 本发明提供一种真空电渣‑旋转偏析再生金属的装置及方法，所述装置包括真空电渣精炼单元、旋转偏析提纯单元和输运单元；所述真空电渣精炼单元和旋转偏析提纯单元分别独立地与输运单元相连。所述方法利用金属废料渣洗逆流和旋转偏析动态界面除杂过程，实现了多形态及不同属性的金属废料中的各种杂质同步去除，克服了金属废料再生过程中普遍存在的提纯效率低、处理时间长、能耗高以及再生产品低端等问题。
-
公开(公告)号：CN113427397A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110889651.0
申请日：2021-08-04
申请人： 北方民族大学 , 宁夏高创特能源科技有限公司
IPC分类号： B24B37/025 , B24B37/005 , B24B37/34 , B24B41/02 , B24B41/00 , B24B57/02 , B24B27/00
摘要： 一种完整单球体研磨抛光装置及加工方法，该装置包括设备机台、三个自由轨座滑台、三个电机研磨抛光组件、用于悬浮支撑球体均衡压力机构、研磨抛光液供给系统，以及PLC电控系统。所述PLC电控系统分为粗磨、精磨、粗抛、精抛四套程序。其加工方法为：加工步骤分a.b.c.d四个步骤，在a、b、c三个步骤中，高转速值范围为150～200转/分钟，低转速值范围100～150转/分钟；在步骤d中，三电机的相同转速设置为前三步骤高低电机转速的平均值，保证球体在每一步骤中的运动速度基本相同。本发明采用等角均匀对称“三足鼎立”悬浮球体结构，使研磨头时刻与球体保持紧密贴合，有助于提高加工精度，通过PLC电控系统，大大提高了加工效率。
-
公开(公告)号：CN113026109A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110252005.3
申请日：2021-03-08
申请人： 中国科学院过程工程研究所 , 宁夏高创特能源科技有限公司
IPC分类号： C30B35/00 , C22B9/02 , C30B29/02 , C22B15/14 , C30B29/06 , C22B21/06 , C22B34/12 , C22B47/00
摘要： 本发明提供一种旋转偏析提纯制备高纯金属的装置及方法，所述装置包括金属熔化单元、旋转偏析提纯单元与输送单元；所述金属熔化单元和旋转偏析提纯单元分别独立地与输送单元连接。所述方法包括以下步骤：(1)熔化固体金属，得到金属熔体；(2)将步骤(1)所得金属熔体进行旋转偏析提纯，得到金属纯度≥4N的高纯金属。本发明提供的方法通过结晶器的高速旋转进行固液界面溶质边界层厚度的减薄和成分过冷的降低，实现了晶体稳定生长与微量杂质分凝的协同作用，从而达到了高纯金属材料规模化制备的目的。
-
公开(公告)号：CN106294302B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201610650014.7
申请日：2016-08-10
申请人： 宁夏高创特能源科技有限公司
摘要： 一种硅靶材配料调节极性、电阻率测算方法，分4个步骤：1，根据硅靶材目标极性、电阻率，计算出对应硼或磷差值含量范围；2，a、根据已知不同硅原料的品质、掺杂剂种类、用量，初步配置生产硅靶材原料的总体平均硼磷含量；b、选择设置生产使用的单晶炉拉晶或铸锭炉长晶参数，及有效分凝系数；3，根据定向凝固杂质分凝理论，测算得到硅晶体每段长度掺杂差值浓度分布数据，换算出相应的极性、电阻率；4，比较测算数值与硅靶材目标值，再次调整硅原料配料硼磷含量，最终确定硅晶体材料最佳利用率时配料的各项参数。本测算方法简单、快捷、可靠，可任意调节预想得到的硅靶材极性、电阻率，可实际指导生产，开拓硅料来源，大大提高产品利用率。
-
公开(公告)号：CN106217662B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201610650452.3
申请日：2016-08-10
申请人： 宁夏高创特能源科技有限公司
摘要： 一种平面带孔硅靶加工工艺，属于硅靶加工领域。该工艺包括以下工序:（1）平面硅靶板材毛坯的准备；（2）平面硅靶的开孔：选用普通加工设备，采用外径尺寸较加工孔径小2～4mm的薄壁细颗粒金刚石钻头，旋转磨削钻孔，钻孔不可一面钻通，需先一面钻入，再翻转另一面钻通；（3）平面硅靶的孔口倒角；（4）平面硅靶的孔径加工：选用普通加工设备，采用400～1200目范围内树脂金刚石圆柱状砂轮，旋转磨削去除孔径尺寸2～4mm预留量；（5）平面硅靶的平面精磨；（6）加工完毕后进行检测、清洗、烘干、包装工序。采用此工艺加工硅靶，可达到加工效率高、尺寸精度高、表面粗糙度好、生产成品率高的效果。
-
公开(公告)号：CN106294302A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610650014.7
申请日：2016-08-10
申请人： 宁夏高创特能源科技有限公司
CPC分类号： Y02P90/30 , G06F17/246 , C23C14/3407 , C23C14/35 , C30B29/06 , G06F17/5009 , G06Q50/04
摘要： 一种硅靶材配料调节极性、电阻率测算方法，分4个步骤：1，根据硅靶材目标极性、电阻率，计算出对应硼或磷差值含量范围；2，a、根据已知不同硅原料的品质、掺杂剂种类、用量，初步配置生产硅靶材原料的总体平均硼磷含量；b、选择设置生产使用的单晶炉拉晶或铸锭炉长晶参数，及有效分凝系数；3，根据定向凝固杂质分凝理论，测算得到硅晶体每段长度掺杂差值浓度分布数据，换算出相应的极性、电阻率；4，比较测算数值与硅靶材目标值，再次调整硅原料配料硼磷含量，最终确定硅晶体材料最佳利用率时配料的各项参数。本测算方法简单、快捷、可靠，可任意调节预想得到的硅靶材极性、电阻率，可实际指导生产，开拓硅料来源，大大提高产品利用率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
17 条记录 (耗时 0.045 秒)
