公开(公告)号：CN103035757A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210512859.1

申请日：2012-12-05

Applicant: 保定风帆光伏能源有限公司

Inventor： 高平奇 ,  孔英 ,  王宽冒 ,  黄艳红 ,  云骁健

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种薄膜太阳能电池及p型半导体和p型半导体的制备方法，薄膜太阳能电池结构为单结或者双结或者三结以上的多结结构，制成它的p型半导体由p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜构成，对于非晶硅电池，p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜均为非晶碳化硅a-SiC:H薄膜，对于微晶硅电池，p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜均为微晶硅µ-Si:H薄膜。本发明的p型半导体既能允许更多有用的光通过它进入本征吸收层i层，同时能与前电极或者前一结电池完美接触以最大限度的提升空穴的导出效率，从太阳光谱利用效率和载流子收集效率两方面进行提升以提高由该p型半导体制备的光伏电池的能量转换效率。

公开(公告)号：CN103035757B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201210512859.1

申请日：2012-12-05

Applicant: 保定风帆光伏能源有限公司

Inventor： 高平奇 ,  孔英 ,  王宽冒 ,  黄艳红 ,  云骁健

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种薄膜太阳能电池及p型半导体和p型半导体的制备方法，薄膜太阳能电池结构为单结或者双结或者三结以上的多结结构，制成它的p型半导体由p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜构成，对于非晶硅电池，p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜均为非晶碳化硅a-SiC:H薄膜，对于微晶硅电池，p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜均为微晶硅μ-Si:H薄膜。本发明的p型半导体既能允许更多有用的光通过它进入本征吸收层i层，同时能与前电极或者前一结电池完美接触以最大限度的提升空穴的导出效率，从太阳光谱利用效率和载流子收集效率两方面进行提升以提高由该p型半导体制备的光伏电池的能量转换效率。

公开(公告)号：CN202977439U

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201220659582.0

申请日：2012-12-05

Applicant: 保定风帆光伏能源有限公司

Inventor： 高平奇 ,  孔英 ,  王宽冒 ,  黄艳红 ,  云骁健

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0384 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本实用新型公开了一种薄膜太阳能电池及制成它的p型半导体；薄膜太阳能电池结构为单结或者双结或者三结以上的多结结构，制成它的p型半导体由p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜构成，对于非晶硅电池，p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜均为非晶碳化硅a-SiC:H薄膜，对于微晶硅电池，p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜均为微晶硅µ-Si:H薄膜。本实用新型的p型半导体既能允许更多有用的光通过它进入本征吸收层i层，同时能与前电极或者前一结电池完美接触以最大限度的提升空穴的导出效率，从太阳光谱利用效率和载流子收集效率两方面进行提升以提高由该p型半导体制备的光伏电池的能量转换效率。

公开(公告)号：CN202977440U

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201220659583.5

申请日：2012-12-05

Applicant: 保定风帆光伏能源有限公司

Inventor： 高平奇 ,  孔英 ,  王宽冒 ,  黄艳红 ,  云骁健

IPC: H01L31/0376 ,  H01L31/0352

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本实用新型公开了一种非晶硅电池使用的p型半导体，其由p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜构成，p+层半导体薄膜和p-层半导体薄膜均为非晶碳化硅a-SiC:H薄膜，p+层半导体薄膜的暗电导为1×10-5～5×10-5S/cm，能带隙为1.8～1.9eV，厚度为40～80Å；p-层半导体薄膜的暗电导为1×10-7～5×10-7S/cm，能带隙为2～2.1eV，厚度为30～100Å。本实用新型既能允许更多有用的光通过它进入本征吸收层i层，同时能与前电极或者前一结电池完美接触以最大限度的提升空穴的导出效率，从太阳光谱利用效率和载流子收集效率两方面进行提升以提高由该p型半导体制备的光伏电池的能量转换效率。