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公开(公告)号:CN118588647A
公开(公告)日:2024-09-03
申请号:CN202310192933.4
申请日:2023-03-02
Applicant: 万闳企业有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/488 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开一种芯片封装单元及其制造方法,该芯片封装单元是由印刷电路板母板上所分割形成,其包含具有至少一芯片的印刷电路板,该印刷电路板的第一表面上设有至少一第一线路层与各芯片电性连接,该第一表面的相对的第二表面上设有至少一第二线路层,该印刷电路板的至少一侧边上设有至少一第三线路层并位于相邻两个该芯片封装单元之间的切割区处,各第一线路层是通过各第三线路层与各第二线路层电性连接,使各芯片能通过各第三线路层由该第二表面向外电性连接,以降低芯片封装厚度而满足产品追求轻薄短小的趋势,并且减少制造端成本。
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公开(公告)号:CN118299335A
公开(公告)日:2024-07-05
申请号:CN202310003574.3
申请日:2023-01-03
Applicant: 万闳企业有限公司
IPC: H01L23/15 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L23/29
Abstract: 本发明公开一种具覆晶式芯片的芯片封装结构,其中该玻璃纤维基板是利用FR‑4等级的玻璃纤维所构成;其中至少两个基板焊垫(Pad)是一由至少一第一电路层上往上依序包括一镍(Ni)层、一钯(Pd)层及一金(Au)层所堆叠形成且具有一定厚度的金属堆叠结构体,或是一由该至少一第一电路层上往上依序包括一镍(Ni)层及一金(Au)层所堆叠形成且具有一定厚度的金属堆叠结构体;其中该玻璃纤维绝缘层是利用FR‑4等级的玻璃纤维所构成;其中该玻璃纤维基板与每一该基板焊垫具有足够的承受力而能承载至少一覆晶式芯片,以利于节省制造端成本。
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公开(公告)号:CN117913057A
公开(公告)日:2024-04-19
申请号:CN202211247865.9
申请日:2022-10-12
Applicant: 万闳企业有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开一种芯片封装结构及其制造方法,该芯片封装结构所使用的至少一嵌入式芯片是水平式芯片或垂直式芯片;其中当各嵌入式芯片是水平式芯片时,各嵌入式芯片的至少两个晶垫能分别通过至少两个焊点以电性连接至一基板的一第二表面上的一第一电路层;其中当各嵌入式芯片是垂直式芯片时,各嵌入式芯片的一第一表面上的一晶垫能通过一焊点电性连接至一第一电路层,而各嵌入式芯片的一第二表面上的一晶垫能通过一焊点以电性连接至该第一电路层;其中形成各焊点的材料是银胶或铜胶以提升芯片封装结构的信赖度且避免锡焊接产生的污染及减少清洁成本。
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公开(公告)号:CN117637708A
公开(公告)日:2024-03-01
申请号:CN202210991905.4
申请日:2022-08-17
Applicant: 万闳企业有限公司
IPC: H01L23/60 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开一种具散热及屏蔽电磁干扰功效的芯片封装结构及其制造方法,其中该芯片封装结构包含一基板、至少一第一电路层、至少一第二电路层、至少一芯片、一绝缘层、至少一第一金属层及至少一第二金属层,该至少一芯片的一第一表面即是形成各芯片的晶背(Backside),其中该至少一第二金属层是与该至少一第一金属层连接一体而形成一全面的金属层结构供用以防止该至少一第一电路层、该至少一第二电路层及该至少一芯片受到电磁干扰,并直接对该至少一芯片的该晶背产生散热功效,有效地解决电磁干扰及产品过热影响到产品内部的芯片或内部线路的问题,以利于增加产品的市场竞争力。
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公开(公告)号:CN119095283A
公开(公告)日:2024-12-06
申请号:CN202310655201.4
申请日:2023-06-05
Applicant: 万闳企业有限公司
IPC: H05K3/38 , H05K3/02 , H05K1/03 , H05K1/09 , B32B15/20 , B32B15/14 , B32B15/08 , B32B17/02 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B38/10 , B32B37/00
Abstract: 本发明公开一种具有超薄铜箔层的铜箔基板及其制造方法,包括:提供捆卷状铜箔板,该捆卷状铜箔板的铜箔层是由晶种层所电镀成型且该铜箔层的厚度是小于或等于10μm;将该捆卷状铜箔板分切成多片并整平形成多片平整状铜箔板;利用粗化加工技艺在各平整状铜箔板的该铜箔层的表面上形成粗化面;提供至少一基板;利用热压技艺将各平整状铜箔板上的该铜箔层的该粗化面贴覆结合在各基板的第一表面上;将各平整状铜箔板由各基板上移除而形成至少一铜箔基板,有效地解决现有技术中铜箔不易贴合在基板上的问题,并降低铜箔厚度,以增加产品的市场竞争力。
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公开(公告)号:CN220307488U
公开(公告)日:2024-01-05
申请号:CN202321406865.9
申请日:2023-06-05
Applicant: 万闳企业有限公司
IPC: H05K3/38 , H05K3/02 , H05K1/03 , H05K1/09 , B32B15/20 , B32B15/14 , B32B15/08 , B32B17/02 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B38/10 , B32B37/00
Abstract: 本实用新型公开一种具有超薄铜箔层的铜箔基板,包括:一基板层,其是利用FR‑4等级的玻璃纤维、FR‑5等级的玻璃纤维或BT树脂材料所构成的,该基板层具有一第一表面及相对的一第二表面;及一第一铜箔层,其厚度是小于或等于10μm且具有一与该基板层的该第一表面相对应的粗化表面,该第一铜箔层是通过该粗化表面经热压技艺而贴覆结合在该基板层的该第一表面上的,以形成该铜箔基板,从而有效地解决现有技术中铜箔不易贴合在基板上的问题,并降低铜箔厚度,以增加产品的市场竞争力。
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公开(公告)号:CN219419010U
公开(公告)日:2023-07-25
申请号:CN202320014093.8
申请日:2023-01-03
Applicant: 万闳企业有限公司
IPC: H01L23/15 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L23/29
Abstract: 本实用新型公开一种具覆晶式芯片的芯片封装结构,其中该玻璃纤维基板是利用FR‑4等级的玻璃纤维所构成;其中至少两个基板焊垫(Pad)是一由至少一第一电路层上往上依序包括一镍(Ni)层、一钯(Pd)层及一金(Au)层所堆叠形成且具有一定厚度的金属堆叠结构体,或是一由该至少一第一电路层上往上依序包括一镍(Ni)层及一金(Au)层所堆叠形成且具有一定厚度的金属堆叠结构体;其中该玻璃纤维绝缘层是利用FR‑4等级的玻璃纤维所构成;其中该玻璃纤维基板与每一该基板焊垫具有足够的承受力而能承载至少一覆晶式芯片,以利于节省制造端成本。
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公开(公告)号:CN215988739U
公开(公告)日:2022-03-08
申请号:CN202122155581.4
申请日:2021-09-07
Applicant: 万闳企业有限公司
Inventor: 林功艺
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体晶片封装的导接线路结构,其中该导接线路结构具有多个晶种层(seed layer),各该晶种层对应覆盖地设在一半导体晶片的一表面上并涵盖对应的各焊垫,且部分的各该晶种层设在对应的各第一凹槽内以能成型至少一导接线路,通过晶种层的成型方式以更准确地控制导接线路结构的大小、形状或厚薄,有效地解现有技术中导接线路结构容易有大小、形状或厚薄不易控制的缺点,更避免现有技术中焊垫因保护层氧化受损而接触不良的问题,进而提升产品的良率及减少制造端的成本。
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公开(公告)号:CN221508159U
公开(公告)日:2024-08-09
申请号:CN202322874149.X
申请日:2023-10-25
Applicant: 万闳企业有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/538
Abstract: 本实用新型公开一种具有散热功效的芯片封装,包含基板、至少一芯片、绝缘层及复合式散热层,每一该芯片是一种水平式芯片或垂直式芯片,该复合式散热层是由铜层及石墨烯层所构成,且该石墨烯层是设于该铜层的一铜层表面上,其中该石墨烯层具备高导热功效;其中该复合式散热层是位于该芯片封装的上部供用以直接对该芯片封装产生散热功效,有效地解决现有芯片封装容易有散热不良的现象而不利于产品的市场竞争力的问题,以提升产品的市场竞争力;其中该复合式散热层更能以黏贴的方式设置在该绝缘层的一绝缘层表面上,以利于加快制造端大量制造的效率。
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公开(公告)号:CN221282109U
公开(公告)日:2024-07-05
申请号:CN202322607525.9
申请日:2023-09-25
Applicant: 万闳企业有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/482 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L23/538 , H01L21/60 , H01L21/56 , H01L21/48 , H01L21/768
Abstract: 本实用新型公开一种芯片封装,包含基板、至少一第一电路层、至少一第二电路层及至少一第一金属层,该基板设有至少一盲孔贯穿该基板,各盲孔内是被各第一金属层填满以增加电性连接的传导效率,且各第一金属层的第一表面是经由研磨作业所形成的平整表面;其中各第一电路层是通过各盲孔内的各第一金属层与各第二电路层电性连接的,且各第一电路层更是通过各第一金属层增强与各第二电路层电性连接的传导效率;其中各第一金属层是由至少一导电胶填满在各盲孔内后所形成的;其中各第一金属层更是设在各盲孔内的至少一导通线路的凹槽内。
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