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公开(公告)号：CN106299060B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201510281069.0
申请日：2015-05-28
申请人： 苏州新纳晶光电有限公司
摘要： 本发明提供了一种具低阻的P型GaN外延层制备方法，包括如下步骤：在氢气气氛下高温处理衬底；在处理的衬底表面依次生长缓冲层、非掺的GaN层、n型GaN层、多量子阱有源区层和电子阻挡层；在电子阻挡层上生长P型GaN层；在P型GaN层上生长P型接触层；在处理衬底之前往反应室中预通Cp2Mg，通入时间0‑3600S，流量为0—4000 sccm并将反应室暴露在大气中生长MgO且在所述S3中p型GaN层生长前，往反应室内通入CP2Mg掺杂剂，所述CP2Mg掺杂剂的流量为0—4000 sccm，通入时间为60—300S，使p型GaN层中的Mg杂质浓度稳定在最佳值(3‑4e19 cm‑3)。本发明保证了p型GaN中的空穴浓度和迁移率，降低p型GaN的电阻，降低了LED的工作电压。
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公开(公告)号：CN104790030B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201510142338.5
申请日：2015-03-30
申请人： 苏州新纳晶光电有限公司
摘要： 本发明提供了一种用于MOCVD宕机后可提高GaN外延薄膜良率的方法，包括如下步骤，正常生长GaN 外延薄膜时，先将衬底放入MOCVD生长室，升高温度至1050℃~1100℃之间，并向反应室内通入氢气，对衬底表面进行预处理；向反应室通入源气体，按照反应式，进行氮化镓外延薄膜的生长，同时向反应室内通Ga源和氮源，同时将反应室升温至GaN 外延薄膜生长所需温度范围1000℃以上；当MOCVD机台宕机时，打开MOCVD设备的氨气气动阀，通入氨气进入反应室，促进反应的进行并进行后续外延片的接长，氨气气动阀打开在MOCVD机台停止加热3min内。由于宕机时采用NH3保护，使得宕机外延片不被破坏和污染；可以直接从宕机步骤进行接长，接长开始时亦需要在升温段使用NH3保护外延片，防止升温GaN分解。
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公开(公告)号：CN104638076B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201510061080.6
申请日：2015-02-06
申请人： 苏州新纳晶光电有限公司
摘要： 本发明提供了一种增加LED反向阻抗的LED结构及制作方法，包括如下步骤：衬底，在氢气气氛下高温预处理，在衬底表面依次生长缓冲层，非掺GaN层，n型GaN层，多量子有源层，p型GaN层和p型接触层；所述的多量子阱有源层由至少两段多量子阱有源层构成，多量子阱有源层段与段中间插入低温的非掺GaN或AlGaN层，本发明经过多量子阱有源层中插入的非掺GaN或AlGaN可有效地增加LED的反向阻抗，降低LED的反向漏电，增加LED的可靠性。
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公开(公告)号：CN104319317B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410580361.8
申请日：2014-10-27
申请人： 苏州新纳晶光电有限公司
摘要： 本发明揭示了一种可有效提高p‑GaN空穴注入层质量的外延生产方法，在衬底上依次生长低温GaN 缓冲层、非故意掺杂的GaN 层、n型电子注入层、多量子阱有源区、p‑GaN空穴注入层和p型重掺杂的接触层。p‑GaN空穴注入层是采用在交替式切换N2/H2载气的环境中进行生长，即在N2环境中进行Mg原子的掺杂，在H2氛围中降低Mg原子的激活能。采用这种载气交替式切换的环境中生长p‑GaN层，可以有效的提高Mg原子并入GaN晶格中的效率，改善晶格质量，降低工作电压和提高抗静电能力；同时通过降低Mg的激活能，提高Mg原子的活化效率，提供更多的空穴载流子，提高LED器件的发光亮度。
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公开(公告)号：CN103633209B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201310652175.6
申请日：2013-12-06
申请人： 苏州新纳晶光电有限公司
发明人： 南琦
IPC分类号： H01L33/06
摘要： 本发明提供了一种LED外延结构，自下而上依次包括：衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、n型GaN层、有源层、p型GaN层以及p型接触层；所述有源层具有由至少两对MQW发光层组成，所述MQW发光层包括由AlGaN/n-GaN交替堆叠组成的超晶格量子垒层及由InGaN构成的量子阱层，所述AlGaN/n-GaN超晶格量子垒层对中Al组分值呈线性平稳上升再线性平稳下降趋势，n型杂质浓度值呈线性平稳上升再线性平稳下降趋势。本发明的有益效果主要体现在：可有效提高MQW晶格质量，大幅增加有源层中每个量子阱的电子或空穴的俘获几率，有效降低器件Droop负效应影响，提高LED器件的内量子效率的目的，可很好的应用在高功率器件中，并保持器件的高光效值。
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公开(公告)号：CN106086810A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610490056.9
申请日：2016-06-29
申请人： 苏州新纳晶光电有限公司
摘要： 本发明揭示了调节MOCVD反应室压力克服LED外延结构雾边的方法及系统，通过正压生成单元接收到MOCVD处于空闲状态的信号时，发信号将MOCVD上用于通入氮气的质量流量控制器的流量参数设置为a升,同时将MOCVD上的尾气蝶阀调整为关闭，并实时接收压力计测得的MOCVD反应室内的压力值信号，确认压力值是否达到765‑770torr；正压保持单元：接受到压力值达到765‑770torr的信号时，发信号保持所述质量流量控制器的流量为a，并增大所述尾气蝶阀开角，使尾气蝶阀的出气量与质量流量控制器的进气量保持平衡。本发明通过使MOCVD设备在空闲状态下，反应室内形成正压，从而防止空气和水进入反应室中，避免外延结构出现雾边的情况，能够避免现有技术需要恢复，造成产能损失的问题；自动化程度高。
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公开(公告)号：CN104638076A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510061080.6
申请日：2015-02-06
申请人： 苏州新纳晶光电有限公司
摘要： 本发明提供了一种增加LED反向阻抗的LED结构及制作方法，包括如下步骤：衬底，在氢气气氛下高温预处理，在衬底表面依次生长缓冲层，非掺GaN层，n型GaN层，多量子有源层，p型GaN层和p型接触层；所述的多量子阱有源层由至少两段多量子阱有源层构成，多量子阱有源层段与段中间插入低温的非掺GaN或AlGaN层，本发明经过多量子阱有源层中插入的非掺GaN或AlGaN可有效地增加LED的反向阻抗，降低LED的反向漏电，增加LED的可靠性。
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公开(公告)号：CN103633210A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310652654.8
申请日：2013-12-06
申请人： 苏州新纳晶光电有限公司
摘要： 本发明提供了一种LED外延片，自下而上依次包括：衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、n型GaN层、有源层、p型GaN层以及p型接触层；所述有源层具有由至少两对MQW发光层组成，所述MQW发光层包括由AlGaN/n-GaN交替堆叠组成的超晶格量子垒层及由InGaN构成的量子阱层，所述AlGaN/n-GaN超晶格量子垒层对中Al组分值呈线性平稳上升再线性平稳下降趋势，n型杂质浓度值呈线性平稳下降再线性平稳上升趋势。本发明的有益效果主要体现在：可有效提高MQW晶格质量，大幅增加有源层中每个量子阱的电子或空穴的俘获几率，有效降低器件Droop负效应影响，提高LED器件的内量子效率的目的，可很好的应用在高功率器件中，并保持器件的高光效值。
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公开(公告)号：CN109216517B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201710515046.0
申请日：2017-06-29
申请人： 苏州新纳晶光电有限公司
摘要： 本发明提供了一种提高LED波长命中率的外延片生长方法，包括如下步骤：将衬底放入MOCVD设备进行外延片生长，在多量子阱生长过程中进行通过光致发光系统进行波长的采集检测，根据采集的波长进行成分比例的不断调节直至达到需要的波长。本发明的有益效果体现在：在外延生长过程中实时的进行波长的收集，以及时进行波长的调整，从而保证波长的命中率，提高产品良品率。
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公开(公告)号：CN109216518B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201710521464.0
申请日：2017-06-30
申请人： 苏州新纳晶光电有限公司
摘要： 本发明提供了一种抗静电LED芯片，所述芯片包括一衬底，所述衬底上由下至上依次设置有第一P型层、量子阱层、N型层、量子阱层、第二P型层，所述第一P型层及第二P型层上外延生长有电容区。本发明通过增加电容区，当电压超过器件最大范围时，电容区将自动收集静电电荷，避免LED芯片或外延片受到冲击，损坏LED器件。
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