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公开(公告)号：CN104790030B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201510142338.5
申请日：2015-03-30
申请人： 苏州新纳晶光电有限公司
摘要： 本发明提供了一种用于MOCVD宕机后可提高GaN外延薄膜良率的方法，包括如下步骤，正常生长GaN 外延薄膜时，先将衬底放入MOCVD生长室，升高温度至1050℃~1100℃之间，并向反应室内通入氢气，对衬底表面进行预处理；向反应室通入源气体，按照反应式，进行氮化镓外延薄膜的生长，同时向反应室内通Ga源和氮源，同时将反应室升温至GaN 外延薄膜生长所需温度范围1000℃以上；当MOCVD机台宕机时，打开MOCVD设备的氨气气动阀，通入氨气进入反应室，促进反应的进行并进行后续外延片的接长，氨气气动阀打开在MOCVD机台停止加热3min内。由于宕机时采用NH3保护，使得宕机外延片不被破坏和污染；可以直接从宕机步骤进行接长，接长开始时亦需要在升温段使用NH3保护外延片，防止升温GaN分解。
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公开(公告)号：CN106086810A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610490056.9
申请日：2016-06-29
申请人： 苏州新纳晶光电有限公司
摘要： 本发明揭示了调节MOCVD反应室压力克服LED外延结构雾边的方法及系统，通过正压生成单元接收到MOCVD处于空闲状态的信号时，发信号将MOCVD上用于通入氮气的质量流量控制器的流量参数设置为a升,同时将MOCVD上的尾气蝶阀调整为关闭，并实时接收压力计测得的MOCVD反应室内的压力值信号，确认压力值是否达到765‑770torr；正压保持单元：接受到压力值达到765‑770torr的信号时，发信号保持所述质量流量控制器的流量为a，并增大所述尾气蝶阀开角，使尾气蝶阀的出气量与质量流量控制器的进气量保持平衡。本发明通过使MOCVD设备在空闲状态下，反应室内形成正压，从而防止空气和水进入反应室中，避免外延结构出现雾边的情况，能够避免现有技术需要恢复，造成产能损失的问题；自动化程度高。
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公开(公告)号：CN104790030A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510142338.5
申请日：2015-03-30
申请人： 苏州新纳晶光电有限公司
摘要： 本发明提供了一种用于MOCVD宕机后可提高GaN外延薄膜良率的方法，包括如下步骤，正常生长GaN外延薄膜时，先将衬底放入MOCVD生长室，升高温度至1050℃~1100℃之间，并向反应室内通入氢气，对衬底表面进行预处理；向反应室通入源气体，按照反应式， 进行氮化镓外延薄膜的生长，同时向反应室内通Ga源和氮源，同时将反应室升温至GaN 外延薄膜生长所需温度范围1000℃以上；当MOCVD机台宕机时，打开MOCVD设备的氨气气动阀，通入氨气进入反应室，促进反应的进行并进行后续外延片的接长，氨气气动阀打开在MOCVD机台停止加热3min内。由于宕机时采用NH3保护，使得宕机外延片不被破坏和污染；可以直接从宕机步骤进行接长，接长开始时亦需要在升温段使用NH3保护外延片，防止升温GaN分解。
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公开(公告)号：CN206210825U
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201620436066.X
申请日：2016-05-16
申请人： 苏州新纳晶光电有限公司
发明人： 陆俊
摘要： 本实用新型揭示了一种N型氮化镓基发光二极管，包括外延层结构，外延层结构包括从上至下依次设置的蓝宝石衬底、氮化镓缓冲层、非掺杂氮化镓层、硅掺杂的n型氮化镓层、硅掺杂的低温n型铝镓氮的电子扩散层、铟镓氮‑氮化镓多量子阱有源发光层、铝掺杂氮化镓层、镁掺杂的p型氮化镓层以及透明导电层，透明导电层上设置有p型电极，硅掺杂的低温n型铝镓氮的电子扩散层上设置有n型电极。本实用新型通过在硅掺杂的n型氮化镓层和铟镓氮‑氮化镓多量子阱有源发光层之间增加硅掺杂的低温n型铝镓氮的电子扩散层，并控制电子扩散层的组分、厚度，使载流子在LED结构中进行横向扩展，增加电子‑空穴对的复合概率，提高N型氮化镓基发光二极管的发光效率。
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