公开(公告)号：CN119948200A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202380064537.1

申请日：2023-07-18

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： S·伊万诺夫 ,  王国仓

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: 所公开和要求保护的主题涉及Mo(芳烃)2化合物的混合物及其用于沉积含Mo膜的用途。芳烃配体被选择以提供在约20℃至约35℃的温度下为液体的Mo(芳烃)2化合物的混合物，其中混合物的不同组分之间的沸点差异很小或没有差异。

公开(公告)号：CN109689928B

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN201780055135.X

申请日：2017-07-26

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： H·钱德拉 ,  雷新建 ,  A·马力卡琼南 ,  金武性

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/36 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02

Abstract: 本文公开了一种组合物和在电子器件的制造中使用该组合物的方法。公开了用于沉积低介电常数(

公开(公告)号：CN119894913A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202380062218.7

申请日：2023-08-01

Applicant: 默克专利有限公司 ,  弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： L·麦 ,  P·梅尔曼 ,  L·利特祖 ,  T·洛伊弗勒 ,  P·H·法克勒 ,  H·海尔 ,  S·V·伊瓦诺维

IPC: C07F17/00 ,  C23C14/00

Abstract: 所公开和要求保护的主题提供具有至少一个束缚的环戊二烯基配体(“Cp配体”)、至少一个脒基配体(“Ad配体”)和镧系和/或镧系样过渡金属(“M”)的前体，其具有通式(i)(Cp配体)2‑M‑(Ad配体)或(ii)(Cp配体)‑M‑(Ad配体)2。

公开(公告)号：CN115698207B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202180038648.6

申请日：2021-05-25

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 史晓波 ,  J·D·罗斯 ,  K·P·穆瑞拉 ,  周鸿君 ,  M·L·奥内尔

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  B24B1/00 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供浅槽隔离(STI)化学机械平面化(CMP)抛光组合物，其使用方法及系统。CMP抛光组合物包含二氧化铈涂覆的无机氧化物颗粒的磨料，如二氧化铈涂覆的二氧化硅；以及用于提供可调的氧化物膜去除速率和可调的SiN膜去除速率的双重化学添加剂；低氧化物沟槽凹陷和高氧化物：SiN选择性。双重化学添加剂包含(1)至少一种含硅氧烷化合物，其在同一分子上包含环氧乙烷和环氧丙烷(EO‑PO)基团中的至少一种，和取代的乙二胺基团中的至少一种；和(2)至少一种具有至少两个，优选至少四个羟基官能团的非离子有机分子。

公开(公告)号：CN114318291B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202111612772.7

申请日：2018-02-08

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 萧满超 ,  M·R·麦克唐纳 ,  雷新建 ,  王美良

IPC: C07F7/02

Abstract: 本文公开了具有至少两个硅原子和两个氧原子以及有机氨基基团的氨基官能化线性和环状低聚硅氧烷以及用于制备所述低聚硅氧烷的方法。本文还公开了使用所述有机氨基官能化线性和环状低聚硅氧烷沉积含硅和氧的膜的方法。

公开(公告)号：CN114959653B

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202210697477.4

申请日：2019-08-29

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： H·钱德拉 ,  雷新建 ,  金武性

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/56

Abstract: 公开了一种用于电子器件的制造中的组合物和使用该组合物的方法。还公开了用于沉积高质量氮化硅或碳掺杂氮化硅的化合物、组合物和方法。

公开(公告)号：CN118382628A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202280082333.6

申请日：2022-12-15

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： S·V·伊瓦诺维 ,  M·T·萨沃 ,  J·P·科伊尔

IPC: C07F9/94 ,  C23C16/40

Abstract: 所公开和要求保护的主题涉及(i)式Bi(Ar)3的均配物前体，其中Ar是一个或多个选自异丙基、仲丁基、异丁基、新戊基、仲戊基和异戊基的大体积烷基，以及(ii)其作为沉积含金属膜的前体的用途。

公开(公告)号：CN118339244A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202280075316.X

申请日：2022-09-29

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： G·拉比格 ,  P·基尔希 ,  M·亨格斯特 ,  史晓波 ,  M·斯腾德

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3105 ,  B24B37/04

Abstract: 公开了三唑基和/或三唑鎓基聚合物的合成。化学机械平面化(CMP)浆料包含磨料；活化剂；氧化剂；包含三唑基和/或三唑鎓基聚合物的添加剂；和水。在CMP浆料中使用合成的三唑基和/或三唑鎓基聚合物在高选择性钨浆料中减少了凹陷和侵蚀。

公开(公告)号：CN118326372A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410410393.7

申请日：2019-09-24

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： M·B·拉奥 ,  雷新建 ,  M·R·麦克唐纳 ,  金武性 ,  李世远

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02

Abstract: 用于沉积高质量的氮化硅的组合物引入含有衬底的反应器中，接着引入包括氨源的等离子体。所述组合物包括具有如本文中限定的式I的硅前体化合物。

公开(公告)号：CN118318015A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202280074428.3

申请日：2022-11-08

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 史晓波 ,  M·L·奥尼尔 ,  J·G·兰根 ,  R·瓦卡斯 ,  A·菲利普斯安 ,  Y·桑普诺 ,  J·A·施鲁特

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了一种新型瓶中垫(PIB)技术和PIB型先进化学机械平面化(CMP)铜或硅通孔(TSV)CMP组合物、系统和方法。常规抛光垫微凸体的作用通过与抛光垫中的孔和微凸体的尺寸相当的高质量微米尺寸的聚氨酯(PU)珠粒起作用。较便宜的非多孔和实体抛光垫较经济，已用于降低电子器件制造成本。使用PIB型Cu CMP浆料与非PIB型Cu CMP浆料相比具有益处。使用PIB‑型Cu CMP已经观察到在不同的施加下向力和滑动速度下增加的Cu去除速率、在不同尺寸的Cu线特征上减少的Cu线凹陷和稍微减少的平均COF。