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公开(公告)号：CN102709324A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210183438.9
申请日：2012-06-06
申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , G09G3/28 , H03K17/687
摘要： 本发明公开了一种低功耗高压驱动电路及其使用的双向P型开关管。双向P型开关管因为具有两个左右对称的漂移区和较薄的场氧作为栅氧化层，所以该开关管可以实现高效率耐高压双向传输。低功耗高压驱动电路采用在传统高压驱动电路的输出端加了一个本发明的双向P型开关管，并在系统应用时外接一个电容C。通过双向P型开关管的开启，使传统高压驱动电路对外接电容C充电，再由充完电的电容C对高压驱动电路放电，使其工作，从而减少了整个电路的能量损耗。本发明与现有技术相比，有效的提高了整个电路的能量恢复效率，同时减少了整个电路的能量损耗。
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公开(公告)号：CN101702409B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200910212768.4
申请日：2009-11-09
申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司
摘要： 一种绝缘体上硅的横向P型双扩散金属氧化物半导体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底上面设置有埋氧化层，在埋氧化层上设有高压N型阱和高压P型阱，高压N型阱上设有N型阱和P型漂移区，且P型漂移区延伸到高压P型阱的上半部分，在N型阱上设有N型的D阱区，从而形成三层N型的阱结构，且器件表面的氧化层存在台阶结构，而氧化层在P型漂移区上面部分的厚度明显大于其他部分的厚度。该发明结构能够有效提高器件的耐压，并且可以防止漂移区和源区之间的穿通。
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公开(公告)号：CN102573249A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010599323.9
申请日：2010-12-21
申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC分类号： H05B41/295
CPC分类号： Y02B20/19
摘要： 本发明公开了一种压控频率扫描振荡器，包括：振荡器、扫频控制器和偏置基准。偏置基准为振荡器和扫频控制器提供偏置电压Va、Vb、Vc。Vc信号对扫频控制器充电，产生VSW信号。当VSW信号小于Vb信号时，振荡器频率通过Va和Vb信号产生，频率保持恒定。当VSW信号大于Vb信号时，振荡器频率通过Va，VSW信号产生。VSW信号随时间可变，频率随VSW信号变化。当VSW信号达到Vc信号后，频率停止变化。本发明电路具有实现方法新颖，电路结构简单的优点，减小了芯片面积，降低了芯片成本，其模块功耗低、性能稳定，适用于CFL驱动芯片。
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公开(公告)号：CN102386224A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201010265789.5
申请日：2010-08-30
申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种纵向超结金属氧化物场效应晶体管器件及其制备方法，所述器件包括：N型掺杂半导体衬底，在所述N型掺杂半导体衬底上面设有N型掺杂外延层，在所述N型掺杂外延层的内部设有不同深度的P型掺杂深阱区，在部分所述P型掺杂深阱区的上侧设有P型掺杂区，在所述P型掺杂区中设有N型掺杂源极接触区。本发明所述器件结构设有不同阶梯深度的P型掺杂深阱区，其能够降低终端区域电场峰值，优化电势的均匀分布，有效的提高器件的横向耐压水平。
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公开(公告)号：CN101901830B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200910212766.5
申请日：2009-11-09
申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/08
摘要： 一种绝缘体上硅的正反导通横向绝缘栅双极晶体管，包括P型掺杂半导体衬底，P型掺杂外延层，N型掺杂阱区，N型掺杂缓冲区域，器件的阳极接触区域和阴极接触区域都是由P型阳极接触区域和N型阳极接触区域在器件的宽度方向上相互交替排列形成的，当器件的栅极电压大于阈值电压后，电流既可以正向导通，也可以反向导通，并且器件的阳极接触区域和阴极接触区域是各自交叉对称的结构，缩短了器件的关断时间，减少了器件的关断功耗。
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公开(公告)号：CN101901831A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200910233693.8
申请日：2009-10-28
申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司
CPC分类号： H01L29/87
摘要： 一种具有高维持电压的静电放电防护SCR结构，该结构包含P型衬底，在P型衬底上设有N型阱和P型阱区域，N型阱和P型阱区域相互交叠形成另一低掺杂区域，在N型阱中设有第一N+掺杂区和第一P+掺杂区，第一N+掺杂区和第一P+掺杂区通过接触孔引出并连接在一起，作为器件的阳极，在P型阱中有第二N+掺杂区和第二P+掺杂区，第二N+掺杂区和第二P+掺杂区通过接触孔引出并连接在一起，作为器件的阴极。SCR结构便由N型阱中的P+掺杂区，N型阱区域，P型阱区域，P型阱中的N+掺杂区构成，它通过N型阱和P型阱相互交叠所形成的低掺杂区域来增加维持状态下的电阻，从而增加了维持电压。
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公开(公告)号：CN101840933A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010146489.5
申请日：2010-04-13
申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司
摘要： 本发明公开了一种带表面缓冲环终端结构的超结金属氧化物场效应晶体管，包括：N型掺杂半导体衬底，在所述N型掺杂半导体衬底上面设有N型掺杂外延层，在N型掺杂外延层的内部设有P型掺杂深阱区，在所述P型掺杂深阱区的上侧设有P型掺杂区和P型掺杂缓冲区，在所述P型掺杂区中设有高浓度的N型掺杂区，在部分栅氧化层的上方设有多晶硅，多晶硅在终端结构区域构成了多晶硅场板结构，并且与该带表面缓冲环终端结构的超结金属氧化物场效应晶体管中源端延伸到过渡区的金属场板，共同构成双层场板，其能够降低表面电场峰值，优化表面电势分布，有效的提高器件的横向耐压水平。
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公开(公告)号：CN101702409A
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200910212768.4
申请日：2009-11-09
申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司
摘要： 一种绝缘体上硅的横向P型双扩散金属氧化物半导体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底上面设置有埋氧化层，在埋氧化层上设有高压N型阱和高压P型阱，高压N型阱上设有N型阱和P型漂移区，且P型漂移区延伸到高压P型阱的上半部分，在N型阱上设有N型的D阱区，从而形成三层N型的阱结构，且器件表面的氧化层存在台阶结构，而氧化层在P型漂移区上面部分的厚度明显大于其他部分的厚度。该发明结构能够有效提高器件的耐压，并且可以防止漂移区和源区之间的穿通。
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公开(公告)号：CN116318089A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310012650.7
申请日：2023-01-05
申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于SOI的负压多路开关、芯片，该负压多路开关包括：供电电路、以及一路或多路驱动电路；所述驱动电路分布于多个不同SOI基岛上，不同SOI基岛对应不同电压域，不同SOI基岛之间通过介质隔离；所述供电电路，用于为所述驱动电路供电；所述驱动电路，用于根据外部低压逻辑信号输出一路或多路高动态范围电压信号。本发明方案可以提供较宽范围的电压输出，节省外部电源。
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公开(公告)号：CN115733343B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310001218.8
申请日：2023-01-03
申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司
摘要： 本发明涉及开关电源技术领域，具体公开了一种自适应开关控制电路及Buck‑Boost开关电源，包括：T1时长控制电路、T2时长控制电路和自适应负电流软开关电路，T1时长控制电路用于确定输入储能阶段时长，并生成第四功率管的驱动控制信号；T2时长控制电路用于根据输入电压采样值确定直接功率输入阶段时长，并生成第一功率管和第二功率管的驱动控制信号；自适应负电流软开关电路用于根据四管Buck‑Boost电路的输入电压采样值确定第三功率管的关断基准电压信号，并生成第三功率管的驱动控制信号以自适应调节电流复位阶段时长和电流续流阶段的负电流大小。本发明提供的自适应开关控制电路能够低成本及开关损耗。
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