-
公开(公告)号：CN116564951A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310748844.3
申请日：2023-06-25
申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/64
摘要： 本发明涉及开关电源半导体技术领域，具体公开了一种具有集成封装结构的电源装置，其中，包括：封装框架；电气元件，设置在所述封装框架上，所述电气元件至少包括电源控制管芯和电感，所述电源控制管芯和所述封装框架连接，所述电感至少与所述封装框架连接。本发明提供的具有集成封装结构的电源装置，通过将电气元件中的电感与电源控制管芯进行封装集成，精简了电源装置结构；另外，由于采用封装框架与电气元件的封装减少了PCB走线所带来的寄生电感，由于电感与电源控制管芯直接打线，相比于现有技术的两次打线进一步降低寄生电感，且采用市面上现有物料即可实现。
-
公开(公告)号：CN115656609B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211692537.X
申请日：2022-12-28
申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC分类号： G01R19/00
摘要： 本发明涉及开关电源技术领域，具体公开了一种电感电流采样电路，包括：采样模块，能够按照预设比例采集多种控制信号下的电流初始采样信号，其中包括高侧控制信号下的正向电流初始采样信号、低侧控制信号下的正向电流初始采样信号、高侧控制信号下的反向电流初始采样信号以及低侧控制信号下的反向电流初始采样信号；运算模块，分别对不同控制信号下的电流初始采样信号进行运算处理，获得对应的电流采样数据。本发明提供的电感电流采样电路具有采样精度高的优势。
-
公开(公告)号：CN115733343A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202310001218.8
申请日：2023-01-03
申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司
摘要： 本发明涉及开关电源技术领域，具体公开了一种自适应开关控制电路及Buck‑Boost开关电源，包括：T1时长控制电路、T2时长控制电路和自适应负电流软开关电路，T1时长控制电路用于根据输入电压采样值以及输出电压采样值确定输入储能阶段时长，并生成第四功率管的驱动控制信号；T2时长控制电路用于根据输入电压采样值确定直接功率输入阶段时长，并生成第一功率管的驱动控制信号和第二功率管的驱动控制信号；自适应负电流软开关电路用于根据四管Buck‑Boost电路的输入电压采样值确定第三功率管的关断基准电压信号，并生成第三功率管的驱动控制信号以自适应调节电流复位阶段时长和电流续流阶段的负电流大小。本发明提供的自适应开关控制电路能够低成本及开关损耗。
-
公开(公告)号：CN115664230A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211260920.8
申请日：2022-10-14
申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司
摘要： 本申请提供了一种谷底功能模块控制电路、控制方法、开关电源及控制器，解决了具有谷底锁定功能的准谐振开关电源的可靠性较低的问题。谷底功能模块控制电路包括生成模块和更新模块。生成模块用于基于反馈电压确定实时工作状态信号；当所述实时工作状态信号为第一工作状态信号时，确定工作状态信号在第n谷底锁定状态信号和降频状态信号之间切换，维持当前时刻的工作状态信号至满足预设条件时，基于反馈电压更新当前时刻的工作状态信号，输出更新后的工作状态信号，第一工作状态信号包括第n谷底锁定状态信号和降频状态信号；更新模块用于基于更新后的工作状态信号更新当前开关周期的选定工作状态信号，以用于在下一开关周期控制功率管的开启位置。
-
公开(公告)号：CN112671213A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202110052578.1
申请日：2021-01-15
申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司
摘要： 本发明揭示了一种反激式开关电源控制电路及应用该电路的控制方法，电路包括：谷底检测电路，用于检测DMG引脚的过零点、输出过零检测信号，生成并输出谷底信号；开关管导通逻辑电路，用于接收过零检测信号及谷底信号，依据谷底个数的比较结果选择对应的导通模式，输出开关管导通信号；开关管逻辑控制电路，用于接收开关管导通信号并依据其控制功率开关管的导通，接收FB采样电压信号及CS电压信号并依据二者控制功率开关管的关断。本发明的电路中创造性的设置有两种导通模式、用于控制功率开关管的导通，克服了现有技术的局限。
-
公开(公告)号：CN110868046A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911139324.2
申请日：2019-11-20
申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司
摘要： 本发明揭示了一种电源芯片及应用该芯片的开关电源系统，该电源芯片包括封装框架及设置于其上的电气元件，封装框架由第一基岛、第二基岛和多个引脚组成，第一基岛与第二基岛之间相互独立设置且均由导电材料制成；电气元件包括电源控制管芯、第一二极管以及第二二极管，电源控制管芯上设置有第一连接垫片及第二连接垫片，电源控制管芯的衬底与第一基岛键合，第一连接垫片与第一基岛键合，第二连接垫片与第二二极管的阳极键合，第一二极管的衬底与第一基岛键合，第二二极管的衬底与第二基岛键合。本发明通过优化后的封装结构以及系统内部集成式电源控制管芯的运用，最大幅度上精简了系统结构、缩小了系统成品的体积、提高了加工企业的生产良率。
-
公开(公告)号：CN109067213B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201810895405.4
申请日：2018-08-08
申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司
摘要： 本发明揭示了一种准谐振模式的开关电源控制器及控制方法，控制器包括：过零检测电路，采样过零点并生成过零信号；谷底导通逻辑电路，接收过零信号及最大频率信号，生成谷底开启信号，并依据预设判断逻辑决定是否选择新的谷底进行锁存；PWM逻辑控制电路，接收谷底开启信号和最小频率信号、以此控制PWM信号导通，依据FB电压信号和CS电压信号控制PWM信号关断；时间设定电路，接收PWM信号和FB电压信号，产生最大频率信号及最小频率信号，并以此控制PWM工作的最大频率、最小频率。本发明既可以消除准谐振模式工作时相邻谷底不停切换带来的音频噪声，又能够改善EMI，具有很高的使用及推广价值。
-
公开(公告)号：CN110579639A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910948032.7
申请日：2019-10-08
申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC分类号： G01R19/175 , H02M7/217 , H02M3/335
摘要： 本发明揭示了一种市电过零检测电路及应用该电路的开关电源系统，电路包括按序连接的二极管、过零电压钳位电路以及过零比较电路；所述二极管的正极作为整个市电过零检测电路的输入端与AC输入电性连接，所述二极管的负极与所述过零电压钳位电路的正端电性连接，所述过零电压钳位电路的负端与所述过零比较电路的输入端电性连接，所述过零比较电路的输出端与所述开关电源系统内的控制器件电性连接或直接作为过零输出、输出过零信号。本发明的电路整体由二极管、过零电压钳位电路以及过零比较电路三部分组成，电路结构简洁直观，所使用的元器件普通易得，整体设置成本及功耗低，十分适合大规模推广。
-
公开(公告)号：CN109067213A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810895405.4
申请日：2018-08-08
申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司
摘要： 本发明揭示了一种准谐振模式的开关电源控制器及控制方法，控制器包括：过零检测电路，采样过零点并生成过零信号；谷底导通逻辑电路，接收过零信号及最大频率信号，生成谷底开启信号，并依据预设判断逻辑决定是否选择新的谷底进行锁存；PWM逻辑控制电路，接收谷底开启信号和最小频率信号、以此控制PWM信号导通，依据FB电压信号和CS电压信号控制PWM信号关断；时间设定电路，接收PWM信号和FB电压信号，产生最大频率信号及最小频率信号，并以此控制PWM工作的最大频率、最小频率。本发明既可以消除准谐振模式工作时相邻谷底不停切换带来的音频噪声，又能够改善EMI，具有很高的使用及推广价值。
-
公开(公告)号：CN104282740B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN200910212770.1
申请日：2009-11-09
申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/36
摘要： 本发明公开了一种P型沟道绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管，包括：N型掺杂半导体衬底，在N型掺杂半导体衬底上面设有埋氧层，在氧化层上设有P型漂移区，在P型漂移区中设有较高浓度的P型掺杂半导体区，这个较高浓度的P型掺杂半导体区位于场氧化层右端鸟嘴区域的下方并包围整个鸟嘴区，浓度高于P型漂移区的浓度，同时，该器件的阳极接触区域在器件的宽度方向上是由P型掺杂区域和N型掺杂区域交替排列形成的。并且，该绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管的场氧化层属于二阶场氧化层，栅极延伸至场氧化层上方形成的场板也是二阶场板，其能够有效的提高器件的横向耐压水平。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
109 条记录 (耗时 0.059 秒)
