发明公开
- 专利标题： 基于SOI的负压多路开关、芯片
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申请号： CN202310012650.7申请日： 2023-01-05
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公开(公告)号： CN116318089A公开(公告)日： 2023-06-23
- 发明人: 管佳伟 , 史文婷 , 李海松
- 申请人： 苏州博创集成电路设计有限公司
- 申请人地址： 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易实验区苏州片区苏州工业园区新平街388号22幢11层01&02&03&12单元
- 专利权人： 苏州博创集成电路设计有限公司
- 当前专利权人： 苏州博创集成电路设计有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易实验区苏州片区苏州工业园区新平街388号22幢11层01&02&03&12单元
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 张英英
- 主分类号： H03K17/04
- IPC分类号： H03K17/04 ; H03K17/10 ; H03K17/00
摘要：
本发明公开了一种基于SOI的负压多路开关、芯片，该负压多路开关包括：供电电路、以及一路或多路驱动电路；所述驱动电路分布于多个不同SOI基岛上，不同SOI基岛对应不同电压域，不同SOI基岛之间通过介质隔离；所述供电电路，用于为所述驱动电路供电；所述驱动电路，用于根据外部低压逻辑信号输出一路或多路高动态范围电压信号。本发明方案可以提供较宽范围的电压输出，节省外部电源。
