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公开(公告)号：CN107611260A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710818734.4
申请日：2017-09-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于SiOx的光读取神经突触器件结构及其制备方法，包括“金属/SiOx/金属”表面等离子波导和嵌入其中的“上电极/双阻变层/下电极”忆阻器；表面等离子波导从上至下具有“第二金属层/介质层/第一金属层”垂直三层结构；忆阻器从上至下具有“上电极/第二阻变层/第一阻变层/下电极”垂直四层结构，忆阻器第一阻变层、第二阻变层作为光信号传播通道与表面等离子波导的介质层水平相连；本发明实现神经突触权重的光读取，使得以光信号幅值和相位作为突触权重的光读取神经突触器件，具有以电阻作为突触权重的传统突触器件无法比拟的优势，表面等离子波导能够让光信号突破衍射极限进行传递，有利于器件尺寸进一步缩小。
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公开(公告)号：CN107393366A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710651112.7
申请日：2017-08-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: G09B9/00
CPC classification number: G09B9/00
Abstract: 本发明公开了一种基于Unity3D的虚拟现实焊接仿真教学系统及方法，所述系统包括数据收集模块、模型生成模块以及终端显示设备，数据收集模块用以收集焊接相关的技术参数，模型生成模块通过收集的技术参数，创建出用于教学的虚拟模型，终端显示设备用于显示对虚拟模型进行模拟现实焊接教学的仿真。还包括虚拟场景模块，虚拟场景模块用于对虚拟模型进行焊接操作环境的模拟。本发明提供的一种基于Unity3D的虚拟现实焊接仿真教学系统及方法，可视化强，操作方便，成本较低，能显著提升教学成果。
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公开(公告)号：CN105655419B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201610169188.1
申请日：2016-03-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L31/0288
Abstract: 本发明属于黑硅材料制备领域，具体涉及一种采用热蒸发和磁控溅射的方式制备硒硅复合膜，并利用飞秒激光刻蚀制备黑硅的方法。本发明通过在现有工艺中硒膜上溅射的一层硅膜作为保护层，减少了飞秒刻蚀过程中硫族元素的挥发，提高了掺杂含量，且可以阻止激光脉冲照射引入的杂质Se向晶粒边界扩散，从而保持其在表面的掺杂浓度，以提高黑硅的吸收率。使用该方法制备的黑硅在400～1100nm波段的吸收率高于95％，在1100～2200nm波段的吸收率高于90％。相比于未覆盖硅保护层，仅热蒸发一层硒膜制备的黑硅材料，本方法制备的黑硅在近红外波段的吸收率有明显提高。
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公开(公告)号：CN104064610B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410313420.5
申请日：2014-07-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种以微纳米结构硅为光敏层的正照式Si-PIN光电探测器及其制备方法，以微纳米结构硅为光敏层的正照式Si-PIN光电探测器包括I型衬底、位于I型衬底下方的N区、位于I型衬底中央上方的微纳米结构层P区、位于I型衬底两侧上方的P+区、位于I型衬底上表面的上端电极及位于N区下表面的下端电极。本发明以微纳米结构硅为光敏层的正照式Si-PIN光电探测器比传统Si光电探测器具有更高的响应度，同时还能实现对近红外光的探测，其制备工艺简单，且可与传统硅半导体工艺兼容。
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公开(公告)号：CN105742407A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610169139.8
申请日：2016-03-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0288 , H01L31/0236
Abstract: 本发明涉及半导体光电子材料领域，应用于掺杂黑硅的制备。具体地说是在制备掺杂膜层之后，利用飞秒激光辐照的方法制备掺杂黑硅微结构。本发明通过靶材贴合的方式，用磁控溅射的方法在清洁的硅衬底表面沉积一层掺杂硅膜膜层，接着利用飞秒激光辐照制备表面微结构，在气氛环境下热退火后制备得到对400nm～2400nm波段的光都有一致的高吸收特性的掺杂黑硅材料：在400～1100nm的可见光波段有95％的吸收率，在1100～2400nm的近红外波段有90％的吸收率，为拓展黑硅材料的应用打下了技术基础。相对现有技术，固体膜层掺杂的方式丰富了掺杂元素种类，提高了掺杂浓度，降低了掺杂成本；减少了工艺步骤，提高了制备效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105205275A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510648484.5
申请日：2015-10-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: Y02T10/82
Abstract: 本发明公开了一种基于变量相关的导弹与发动机一体化多学科设计优化方法；其包括根据变量区间构建变量相关性的量化超椭球模型，利用协同优化方法建立导弹与发动机一体化多学科协同优化模型，构建变量相关条件下导弹与发动机一体化多学科设计优化模型并求解。本发明将超椭球模型与区间理论结合，解决了因人为割裂变量之间的相关性从而导致的设计结果不准确的问题，从而更能满足产品的实际设计需求。
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公开(公告)号：CN102664744B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201210073291.8
申请日：2012-03-19
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种网络消息通信中群发推荐的方法，解决现有技术中采用全局批量数据处理方法而导致的推荐效率低，运行时间长，存储空间开销大的问题。其方法步骤为：(1)构建群组集合；(2)获得每个群组的交互消息数；(3)提取有效群组集合；(4)获取每个有效群组的GR值；(5)计算推荐得分值；(6)获取总推荐得分值；(7)获得推荐人。本发明从局部网络消息通信中抽取局部关系网络，不需要进行全局批量数据处理，运行时间快，使本发明能够应用于更大规模消息通信网络中；并且通过对局部网络消息通信数据处理，抽取出局部关系网络，考虑与用户有直接消息交互的联系人群组集合，使本发明在群发推荐时能够获得较高的准确率。
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公开(公告)号：CN104064611A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410313465.2
申请日：2014-07-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/028 , H01L31/035209 , H01L31/103 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种基于微纳米结构的Si-APD光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域，其包括P型Si衬底（1）、位于P型Si衬底（1）中心上方的微纳米结构硅层N+区（2）、位于P型Si衬底（1）两侧上方的保护环区即N区（3）、设置在微纳米结构硅层N+区（2）和N区（3）上表面的上端电极（4）以及位于P型Si衬底（1）下表面的下端电极（5）；所述微纳米结构硅层N+区（2）的深度小于保护环区即N区（3）的深度。本发明解决了传统Si-APD光电探测器响应度较低、无法响应近红外波段等问题，可使响应波段扩展到近红外波段，响应度更高。
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公开(公告)号：CN104064610A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410313420.5
申请日：2014-07-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/028 , H01L31/035209 , H01L31/105 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种以微纳米结构硅为光敏层的正照式Si-PIN光电探测器及其制备方法，以微纳米结构硅为光敏层的正照式Si-PIN光电探测器包括I型衬底、位于I型衬底下方的N区、位于I型衬底中央上方的微纳米结构层P区、位于I型衬底两侧上方的P+区、位于I型衬底上表面的上端电极及位于N区下表面的下端电极。本发明以微纳米结构硅为光敏层的正照式Si-PIN光电探测器比传统Si光电探测器具有更高的响应度，同时还能实现对近红外光的探测，其制备工艺简单，且可与传统硅半导体工艺兼容。
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公开(公告)号：CN104020365A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410243683.3
申请日：2014-06-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R29/26
Abstract: 本发明公开了一种非晶硅薄膜的低频噪声测试方法，具体涉及非晶硅薄膜的低频电流噪声测试技术，该测试技术使用的测试系统包括：偏置电路、电磁屏蔽装置、噪声放大系统以及数据采集与处理系统。首先通过偏置电路激发出非晶硅薄膜的低频电流噪声，再通过低噪声电流放大器将样品低频噪声放大，继而通过数据采集卡采集放大后的噪声信号并计算出相应的电流噪声信号功率谱密度，最后利用电脑分析和处理数据，得出非晶硅薄膜低频噪声的功率谱密度曲线。本发明一种非晶硅薄膜的低频噪声测试方法可实现非晶硅薄膜低频噪声的可重复精确测试，方便快捷。
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