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公开(公告)号：CN103926218B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410183541.2
申请日：2014-05-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离子体共振的高度灵敏折射率传感器，属于传感技术领域，解决对环境折射率进行探测的灵敏度低的问题。本发明的一种基于表面等离子体共振的高度灵敏折射率传感器，所述折射率传感器由多个折射率传感器单元组成，每个折射率传感器单元由基底、金属层和亚波长的金属圆盘组成，折射率传感器单元自下而上依次是基底、金属层和亚波长的金属圆盘。使折射率传感器具有高灵敏度和高品质因数，可对被测环境折射率的微小变化实现高度灵敏的检测。
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公开(公告)号：CN105734504B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201610160097.1
申请日：2016-03-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及探测器和电子薄膜技术领域，具体涉及一种掺银氧化钒热敏薄膜材料及其制备方法。本发明以银为掺杂元素制备，元素摩尔百分比含量为银3‑10％，钒30‑40％，氧50‑67％；其TCR为4.2‑5.5％/K，电阻温度特性呈现出无相变特征，电阻率0.1‑1.1Ω·cm，方阻稳定性在72h后变化率小于10％。先通过溅射工艺分两步沉积银/氧化钒复合薄膜，再通过富氧气氛高温退火得到掺银氧化钒热敏薄膜材料。本发明所制备的掺银氧化钒热敏薄膜材料电阻温度系数高，具有无相变特征，避免了热滞噪声问题，可提高非制冷焦平面器件的灵敏度；且电阻率小，器件可在低偏置条件下工作；其工艺与MEMS工艺兼容性好，适于基于氧化钒热敏薄膜器件的大批量制造。
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公开(公告)号：CN104178738A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410401299.1
申请日：2014-08-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种无相变高电阻温度系数的掺钛氧化钒薄膜的制备方法，属于薄膜技术领域，具体包括以下步骤：首先清洗基片，吹干后备用；然后，将清洗后的基片放入真空腔室内，以V-Ti合金靶或镶嵌有钛的钒靶作为溅射靶材，在氧气和氩气混合气体气氛下、小于200℃温度下，在基片上溅射厚度为100～120nm的薄膜；最后，将上述带薄膜的基片置于真空环境中，在氧气和氩气的混合气体气氛下、300～450℃温度下退火处理，退火处理完后，自然冷却至室温，得到所述掺钛的氧化钒薄膜。本发明方法能制备出电阻温度系数高、室温附近无相变的掺钛氧化钒薄膜，且工艺简单，工艺可控性好，并与MEMS工艺和集成电路兼容性良好。
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公开(公告)号：CN104020365A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410243683.3
申请日：2014-06-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R29/26
Abstract: 本发明公开了一种非晶硅薄膜的低频噪声测试方法，具体涉及非晶硅薄膜的低频电流噪声测试技术，该测试技术使用的测试系统包括：偏置电路、电磁屏蔽装置、噪声放大系统以及数据采集与处理系统。首先通过偏置电路激发出非晶硅薄膜的低频电流噪声，再通过低噪声电流放大器将样品低频噪声放大，继而通过数据采集卡采集放大后的噪声信号并计算出相应的电流噪声信号功率谱密度，最后利用电脑分析和处理数据，得出非晶硅薄膜低频噪声的功率谱密度曲线。本发明一种非晶硅薄膜的低频噪声测试方法可实现非晶硅薄膜低频噪声的可重复精确测试，方便快捷。
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公开(公告)号：CN103969518A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410215757.2
申请日：2014-05-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R29/26
Abstract: 本发明公开了一种氧化钒薄膜低频微弱噪声测试方法，该方法包括：电源电路适配设计；在测试电路中采用可选择的电流或电压放大电路设计，这个设计区别于的单一的进行电流或者单一的电压放大，本设计可以对两种放大方式进行选择以及彼此之间的对比；测试时高速采集并对噪声进行时域和频域、功率密度谱、氧化钒噪声曲线拟合以及曲线参数提取、样品优劣判断等分析；在测试环境中针对电磁和气流扰动进行了氧化钒样品的屏蔽、测试电路的屏蔽和包括采集卡以及工控机在内的屏蔽的三层屏蔽室的设计，三层屏蔽均是使用金属结构屏蔽，可以屏蔽电磁和气流的扰动。该发明的方法可实现氧化钒热敏薄膜低频噪声的可重复精确测试。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103969518B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201410215757.2
申请日：2014-05-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R29/26
Abstract: 本发明公开了一种氧化钒薄膜低频微弱噪声测试方法，该方法包括：电源电路适配设计；在测试电路中采用可选择的电流或电压放大电路设计，这个设计区别于的单一的进行电流或者单一的电压放大，本设计可以对两种放大方式进行选择以及彼此之间的对比；测试时高速采集并对噪声进行时域和频域、功率密度谱、氧化钒噪声曲线拟合以及曲线参数提取、样品优劣判断等分析；在测试环境中针对电磁和气流扰动进行了氧化钒样品的屏蔽、测试电路的屏蔽和包括采集卡以及工控机在内的屏蔽的三层屏蔽室的设计，三层屏蔽均是使用金属结构屏蔽，可以屏蔽电磁和气流的扰动。该发明的方法可实现氧化钒热敏薄膜低频噪声的可重复精确测试。
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公开(公告)号：CN103926218A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410183541.2
申请日：2014-05-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离子体共振的高度灵敏折射率传感器，属于传感技术领域，解决对环境折射率进行探测的灵敏度低的问题。本发明的一种基于表面等离子体共振的高度灵敏折射率传感器，所述折射率传感器由多个折射率传感器单元组成，每个折射率传感器单元由基底、金属层和亚波长的金属圆盘组成，折射率传感器单元自下而上依次是基底、金属层和亚波长的金属圆盘。使折射率传感器具有高灵敏度和高品质因数，可对被测环境折射率的微小变化实现高度灵敏的检测。
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公开(公告)号：CN105734504A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610160097.1
申请日：2016-03-21
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: C23C14/3464 , C23C14/0036 , C23C14/083 , C23C14/185 , C23C14/5806
Abstract: 本发明涉及探测器和电子薄膜技术领域，具体涉及一种掺银氧化钒热敏薄膜材料及其制备方法。本发明以银为掺杂元素制备，元素摩尔百分比含量为银3?10％，钒30?40％，氧50?67％；其TCR为4.2?5.5％/K，电阻温度特性呈现出无相变特征，电阻率0.1?1.1Ω·cm，方阻稳定性在72h后变化率小于10％。先通过溅射工艺分两步沉积银/氧化钒复合薄膜，再通过富氧气氛高温退火得到掺银氧化钒热敏薄膜材料。本发明所制备的掺银氧化钒热敏薄膜材料电阻温度系数高，具有无相变特征，避免了热滞噪声问题，可提高非制冷焦平面器件的灵敏度；且电阻率小，器件可在低偏置条件下工作；其工艺与MEMS工艺兼容性好，适于基于氧化钒热敏薄膜器件的大批量制造。
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公开(公告)号：CN103984047B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410238515.5
申请日：2014-05-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明提供了一种红外超材料吸波体，包括至少4个呈矩阵排列的吸波体单元，每个吸波体单元包括基底、位于基底正上方的金属层、位于金属层正上方的介质层和位于介质层正上方的十字圆环结构，十字圆环结构水平贴附于介质层表面，十字圆环结构是由一个圆环和十字交叉，并把圆环内的十字部分去掉形成的，圆环圆心和十字的几何中心重合，圆环外的十字部分构成了十字圆环结构的四条臂；十字圆环结构四条臂的臂长相等，十字圆环结构四条臂的臂宽相等，基底、金属层和介质层的横剖面均为正方形，十字圆环结构的臂平行于正方形的其中一条边。本发明提供的吸波体具有超高吸收率、宽入射角度和极化不敏感特性，且具有较好的可调谐性能。
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公开(公告)号：CN103984047A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410238515.5
申请日：2014-05-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明提供了一种红外超材料吸波体，包括至少4个呈矩阵排列的吸波体单元，每个吸波体单元包括基底、位于基底正上方的金属层、位于金属层正上方的介质层和位于介质层正上方的十字圆环结构，十字圆环结构水平贴附于介质层表面，十字圆环结构是由一个圆环和十字交叉，并把圆环内的十字部分去掉形成的，圆环圆心和十字的几何中心重合，圆环外的十字部分构成了十字圆环结构的四条臂；十字圆环结构四条臂的臂长相等，十字圆环结构四条臂的臂宽相等，基底、金属层和介质层的横剖面均为正方形，十字圆环结构的臂平行于正方形的其中一条边。本发明提供的吸波体具有超高吸收率、宽入射角度和极化不敏感特性，且具有较好的可调谐性能。
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