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公开(公告)号：CN102005505B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201010509942.4
申请日：2010-10-18
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0288 , H01L31/04
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种抑制光衰减的掺锡晶体硅太阳电池及其制备方法。其制备方法包括：在多晶硅原料中掺入锡和硼，锡的浓度为1016～1021cm-3，硼的浓度为1015～1017cm-3，然后在保护气氛下，生长掺锡的晶体硅；将掺锡的晶体硅切片后，进行太阳电池的制备，包括：对切片后得到的硅片进行清洗和制绒；制绒后进行磷扩散；进行刻蚀及减反射膜的沉积；最后制备电极并烧结，得到掺锡晶体硅太阳电池。本发明方法简单，成本低廉，实现了整个太阳电池制备与常规工艺的兼容，制备出有效抑制光衰减的掺锡晶体硅太阳电池。
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公开(公告)号：CN101774585B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010040051.9
申请日：2010-01-19
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明公开了一种通过氧化处理提纯金属硅的方法，包括如下步骤：将金属硅去油、洗净、烘干；然后在氧气气氛下加热，保温、降温再保温之后冷却；最后在盐酸和氢氟酸混合溶液浸泡后用去离子水清洗干净而得到纯度为4～5N的高级金属硅。本发明利用了硅中界面具有较高能量易于杂质聚集的原理，在金属硅表面通过氧化的方式人为形成硅-二氧化硅界面，对金属硅中的杂质进行初步的吸杂处理，得到较纯的硅材料，以用于后续的提纯工艺。本发明优点在于工艺流程简单，低能耗，低成本，无污染排放，生产效率高，产率高，通过此方法提纯制备的硅原料能够初步达到太阳级硅的要求。
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公开(公告)号：CN102142483A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110004974.3
申请日：2011-01-11
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种硅太阳电池表面等离子体增益的方法，采用将金属纳米颗粒分散在醇溶剂中形成金属纳米颗粒胶体溶液，在硅太阳电池片迎光面上，丝网印刷或喷淋或旋涂金属纳米颗粒胶体溶液，烘烤使醇溶剂从电池片表面挥发完全，在保护气体氛围下进行快速热处理退火温度，再进行二次常规热处理退火，实现硅太阳电池表面等离子体增益。本发明方法具有成本低、易操作、效率提升效果好的特点，具有较大的应用前景。
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公开(公告)号：CN101597790B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200910099994.6
申请日：2009-06-24
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了在氮气下融硅掺氮制备铸造多晶硅的方法，通过在多晶硅原料融化阶段通入氮气与融硅反应的方式掺入氮，通过控制融硅时间来控制掺氮浓度，定向凝固铸造得到氮浓度可控的掺氮多晶硅，其具有较高的机械强度，用于太阳能电池中可切割为更薄的硅片，从而降低太阳能电池的生产成本；还可进一步用于生产不同机械强度要求的掺氮多晶硅。本发明还公开了上述方法得到的铸造多晶硅，含有浓度为1×1015～1×1017/cm3的硼、镓和磷，还含有浓度为1×1013～5×1015/cm3的氮。
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公开(公告)号：CN101935869A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010284947.1
申请日：2010-09-17
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种用于生长铸造单晶硅的坩埚及衬底片，能够有效减少铸造单晶硅时籽晶的用量，结构简单，成本低廉。所述坩埚的底部设有若干个连续的斗冠形结构、若干个连续的胞形结构或若干个连续的半球形结构。所述衬底片的外壁为方形结构，内壁为若干个连续的斗冠形结构、若干个连续的胞形结构或若干个连续的半球形结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101786628A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010040050.4
申请日：2010-01-19
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明公开了一种用铝膜包覆提纯金属硅的方法，包括如下步骤：将金属硅去油、洗净；然后加入到氢氧化铝胶体中混匀、干燥；再在水煤气气氛中加热并两次保温后冷却至室温；最后在盐酸和氢氟酸混合溶液浸泡后用去离子水清洗干净而得到纯度为4～5N的高级金属硅。本发明利用铝吸杂对金属硅中的杂质进行初步的吸杂处理，工艺简单，大幅降低了成本，可得到较纯的硅材料作为太阳能电池用硅材料或其进一步提纯的原料。
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公开(公告)号：CN119549282A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411650615.9
申请日：2024-11-19
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: B03D1/00 , B03D1/012 , B03D101/02 , B03D103/04
Abstract: 本发明公开了一种中性条件下分离铝硅酸盐矿物、提纯石英砂的方法及其应用。中性条件下分离铝硅酸盐矿物、提纯石英砂的方法采用一次或多次反浮选操作，反浮选操作包括：向石英原砂矿浆或上一次反浮选操作获得的低铝含量的精品石英砂矿浆中加入石英抑制剂，混匀；然后加入铝硅酸盐矿物捕收剂，混匀；接着在鼓气搅拌条件下加入起泡剂，进行石英反浮选，期间保持搅拌并刮泡；反浮选完毕后洗涤剩余矿浆，得到低铝含量的精品石英砂。本发明的反浮选工艺在中性条件下进行，避免了传统的强酸、强碱使用，进而减少提纯工艺对生产设备、生态环境及操作人员的危害。
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公开(公告)号：CN119530799A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411661903.4
申请日：2024-11-20
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明提供一种增强石英表面金涂层附着力的表面处理方法，包括如下步骤：(1)在清洗干净的石英片上沉积催化金属颗粒；(2)去除步骤(1)所得石英片上催化金属颗粒表面的氧化层；(3)使用硅烷气体，在步骤(2)所得石英片表面生长硅纳米结构；(4)将步骤(3)所得石英片高温氧化，使硅纳米结构变成氧化硅；(5)将有机金浆涂覆在步骤(4)所得石英片表面；(6)将步骤(5)所得石英片进行热处理，使表面的有机金分解，形成金涂层。本方法可以有效调控纳米结构的形貌，生长的纳米结构可以形成大量的机械咬合作用点，从而能够与金涂层形成机械互锁结构，有效增强石英表面金涂层的附着力。
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公开(公告)号：CN117945408A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311834214.4
申请日：2023-12-28
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种超声波辅助酸洗制备高纯石英砂的方法，属于矿物加工技术领域，包括步骤：(1)石英原矿预处理，(2)粗制石英砂，(3)磁选，(4)反浮选，(5)超声波辅助酸洗和(6)纯化。本发明在现有酸洗处理工艺的基础上，采用间歇式超声波辅助酸洗工艺或多级超声波辅助酸洗工艺对石英砂进行提纯处理，得到的产品石英砂的纯度可超99.9985％，本发明方法可针对性的去除石英砂中的伴生矿物、含铁矿物等，步骤简单高效，提纯效果好。
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公开(公告)号：CN117303719A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311039666.3
申请日：2023-08-17
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种高纯不透明石英玻璃锭及其制备方法，高纯原料置于真空电熔炉内，电熔炉抽真空至气压不大于10‑4bar；电熔炉内升温，将高纯原料加热至1850～2100℃并保温20～45h，使高纯原料完全熔融，形成石英玻璃熔体，同时通入保护气体，维持电熔炉内气压为0.8～2bar；电熔炉内降温，将石英玻璃熔体降温至1000～1200℃，降温时间为3～10小时，使石英玻璃熔体完全凝固同时避免晶化；电熔炉内继续降温，将完全凝固的石英玻璃降温至600～950℃并保温0.5～10h，同时对电熔炉内抽真空并通入保护气体至电熔炉内气压为0.05～0.8bar，通过负压、保护气体气氛下的热处理使石英玻璃中的气泡生长至所需尺寸和密度。
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