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公开(公告)号：CN113241406B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110481388.1
申请日：2021-04-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种二维材料阻变存储器及其制备方法，相比于化学气相沉积制备的阻变存储器具有制备方便和对设备没有依赖性等优势，对于滴铸、旋涂等方法制备的阻变存储器又具有均匀性好，重复性好，制备简单等优势。利用本发明所述方法制备的二维材料阻变存储器所展示了6个数量级的开关比，相比于其他传统材料在几十纳米以下表现出的2到3个数量级具有明显优势，并且高于基于滴铸法和旋涂法制备的二维材料阻变存储器所展示的4到5个数量级，在制备简单、对设备依赖性不高的情况下能够达到与化学气相沉积所制备的二维材料阻变存储器(7个数量级)相似的开关比，在这样的高开关比下阻变存储器还具有着多级储存的潜力。
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公开(公告)号：CN112707433B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202011526473.7
申请日：2020-12-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土铈掺杂氧化镓纳米材料的制备方法，包括如下步骤：准备硅衬底；充分研磨氧化镓、氧化铈和碳粉，获得混合粉末；所述混合粉末放入管式炉内，通入氩气并升温预反应；在氩氧混合气体作用下，冷却后获得稀土铈掺杂氧化镓纳米材料。通过碳热还原法，在不添加表面金属催化剂的条件下，制备稀土铈掺杂的氧化镓纳米材料，该方法工艺步骤简单,成本低廉，设备要求不高，有利于工业化生产，解决了现有技术中的稀土铈掺杂氧化镓纳米材料制备工艺复杂，制作设备要求高的技术问题。
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公开(公告)号：CN115542437A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211287322.X
申请日：2022-10-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出一种嵌入式结构可调短波段共焦纵向双焦点超透镜，首先在实现采样精度高而要求周期小的情况下，对结构单元采用1：1的嵌入式比例，可以降低深宽比的限制。根据广义斯涅尔定律求解出不同空间位置的相位，构建超透镜。数值分析表明在λ＝600nm线偏振光时，焦距偏差约为2.2％，焦点半高全宽(FWHM)打破了衍射极限，具有高精度要求。在650～550nm下，焦距最大误差2.39um，因为焦深的存在，误差可以忽略；在波长550nm处出现明显纵深强度相当的双焦点；在550～490nm处表现处一个数值孔径更大、FWHM仅为0.5um的强度可调的焦点。因此本设计的超透镜可以实现消高宽比、纵向双焦点聚焦、强度可控、短波段共焦的特性，可应用在彩色成像，光路复用，透镜聚焦集成器件上。
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公开(公告)号：CN115480332A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211289423.0
申请日：2022-10-20
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/20
Abstract: 本发明公开了一种纳米方环‑圆柱体耦合结构阵列全介质颜色滤波器，该滤波器的结构是以二氧化硅材料为衬底及其上为周期的介质纳米阵列单元结构构成的，该结构是由在方环和在方环中心位置内放置一个圆柱体组合所构成，方环的厚度为20nm，介质纳米阵列材料为硅；衬底的形状为矩形高度为60nm，利用光激发硅纳米结构的mie共振和波长和材料尺寸的密切相关性来滤出颜色。本发明可以改变圆柱的半径、改变方环的边长、改变纳米方环和纳米柱的高度和阵列的周期来改变阵列的周期刻蚀矩来调控所滤出的颜色，其滤出的颜色色域宽、具有良好的颜色饱和度。
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公开(公告)号：CN111580197B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202010416220.8
申请日：2020-05-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 一种横向MIMI格点阵等离激元吸收器。由折射率为1.52的介质基底和以MIMI结构基本单元进行周期性排列形成的横向MIMI格点阵列构成，MIMI结构基本单元是由两列银长方体块和两列二氧化硅长方体块交替堆积形成，每列长方体块的长度和高度完全相同，垂直竖立在介质基底的上表面。整个结构放置在均匀的介质环境中，入射平面光波的入射方向即波矢k与介质基底的上表面垂直，入射光的电场方向平行于银长方体块和二氧化硅长方体块的长，入射光的磁场方向平行于银长方体块和二氧化硅长方体块的宽。通过两种不同的共振形式在吸收光谱上产生两个窄的共振吸收峰，且对介质环境折射率的变化具有很高的灵敏度，在生物化学物质检测领域具有很高的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113281301A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110523208.1
申请日：2021-05-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/41 , G01K11/3206
Abstract: 本发明公开一种圆环‑矩形谐振腔结构的折射率、温度传感器，其传感器由圆环‑矩形复合形成的谐振腔以及在侧面耦合具有金属壁的金属‑绝缘体‑金属(MIM)波导组成。当入射光在波导中传输并耦合到谐振腔时，当满足共振条件时，可以产生Fano共振，在透射谱上出现三个尖锐非对称的共振峰。研究了该传感器的传输特性和传感特性，通过优化结构的几何参数，可以得到其最大的折射率灵敏度(S)为914nm/RIU。此外，在介质中填充乙醇，可实现高灵敏度的温度传感器，其最大灵敏度为0.35nm/℃。经研究该结构具有较高的灵敏度，在促进集成光子器件在纳米级光学传感方面具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN109100332B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201810751945.5
申请日：2018-07-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/552
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称开口圆环结构的双透射峰等离子光纤传感器，包括金属薄膜以及开设在金属薄膜上的周期开口圆环狭缝阵列结构。单个周期结构由左右两个开口圆环狭缝构成，内外半径相同但圆心角不同的两个开口圆环狭缝水平位于单元中心左右两侧。本发明的传感器结构在近红外频段内具有高品质因数高透射率的双透射峰特性，利用该特性可进一步提高传感器灵敏度，并且可使传感器工作在两个不同的频段。同时，通过修改相关结构参数可以达到调整双透射峰频谱位置的目的，从而可以实现工作频段宽、适用范围广、灵敏度高、易于加工的等离子光纤传感器。
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公开(公告)号：CN112099311A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011001312.6
申请日：2020-09-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可以在目标基片制备出与AAO模板一致的分布均匀、形状统一的纳米结构的基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法。该基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法首先以进行PMMA旋涂的AAO多孔纳米结构为基底，在AAO表面生长一层金属层，再依次去除PMMA层和AAO层，利用玻璃衬底将纳米结构金属层从酸性溶液取出，将金属‑玻璃衬底上生长一层透明的覆盖层，最后得到由纳米结构金属‑玻璃衬底组成的亚微米级光刻掩膜版。采用该基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法将AAO纳米结构图形尺寸完全复制到金属层上，再将金属层固定到玻璃衬底上制备得到亚微米级光刻掩膜版，具有操作简单、成本低、精度高、保存方便等优点。
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公开(公告)号：CN112098339A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010712874.5
申请日：2020-07-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/25
Abstract: 本发明提供了一种可同时实现多参量(温度、磁场强度和折射率)检测用的D型光子晶体光纤(PCF)表面等离子体共振(SPR)的传感器。所述D型PCF在纤芯两侧的两个空气孔分别引入磁流体和温敏介质形成通道1和通道2。本发明在D形PCF的侧抛平面、通道1和通道2的内壁分别涂覆金属膜；利用SPR效应，形成折射率传感通道；利用磁流体的磁光效应，形成磁场传感通道；同时利用温敏介质的温敏效应，形成温度传感通道，从而设计实现温度、磁场强度和折射率的多参量同时检测的传感器。本发明的优点是：克服传统光纤传感器单一测量的不足，实现了多参量同时检测；另外，D型结构减少了传感器与纤芯的距离，使传感器迅速检测待测液变化，实现高灵敏度传感。
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公开(公告)号：CN111552014A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010416222.7
申请日：2020-05-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明为一种横向MIM格点阵等离激元吸收器，由介质基底和具有周期性的金属纳米颗粒阵列构成，每组金属纳米颗粒由两个相对的金长方体块及其中间所夹的介质层构成。入射光为磁场方向平行于介质基底平面的TM平面波，其波矢k与竖直方向有一定夹角，从而可以在金属纳米颗粒阵列中激发OLP形式的格点阵等离激元，且相邻的纳米金属单元之间会产生较强的共振耦合，在特定的结构参数和入射角下就会对入射光产生特定的吸收峰。并且相比于与其它基于阵列的等离激元吸收器具有很高的品质因数和很好的调谐性，该横向MIM格点阵等离激元吸收器在微纳光学集成器件领域具有着良好的应用前景。
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