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公开(公告)号：CN110888189A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201911291223.7
申请日：2019-12-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及微纳集成光学器件技术领域，公开了一种超薄无衬底颜色可调谐的表面等离子体滤波器。所述滤波器结构包括：波导层，缓冲层和矩形金属纳米盘阵列。其中波导层上覆盖有缓冲层，缓冲层上刻蚀有均匀排布的矩形金属纳米盘阵列，矩形金属纳米盘阵列x方向周期为Px，y方向周期为Py。当x与y相等，通过改变x(y)方向周期，可实现对滤出颜色的静态调制，当x与y不相等，可通过改变周期以实现对滤出颜色的静态调制，改变光的偏振以实现对滤出颜色的动态调制。本专利有着体积小，传输效率高，结构设计简单，能够同时实现对颜色的静态调制以及动态调制，可固定TE(TM)偏振滤出颜色，单独调制TM(TE)偏振下滤出的颜色等优点。本发明在未来光电器件集成，超高分辨率成像，LCD液晶显示系统等领域都有重要的应用。
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公开(公告)号：CN110579826A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910820221.6
申请日：2019-09-01
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于MIM矩形腔阵列结构的表面等离子体滤波器。在本发明实例中，金属薄膜采用金属银材料制成，整体为矩形的金属薄膜，主要包括金属膜以及开设在金属膜上的矩形阵列结构。该矩形腔阵列由入射波导、中间波导和出射波导组成。谐振腔由单元结构为矩形的阵列构成，每个矩形腔可以形成一个F-P腔。通过调控矩形个数n、波导的宽度W、矩形腔的长度L等几何参数，实现对光波进行一个或者多个不同波长的光波滤波，和阻带宽度的有效调节。对比与其他结构的SPPs滤波器而言，这个结构拥有着更简洁的工艺以及较小的能量损耗，可以作为简单的光学设备应用于高集成的光电集成电路中。
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公开(公告)号：CN215220737U
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202121197794.7
申请日：2021-05-31
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0336 , H01L31/109
Abstract: 本实用新型公开了一种纳米棒异质结光电探测结构，包括硅基底、二氧化硅层、若干组纳米棒异质结和源漏电极，所述二氧化硅层设置在所述硅基底上，所述纳米棒异质结均铺在所述二氧化硅层上方，所述源漏电极设置在所述纳米棒异质结的两侧，通过局域表面等离激元共振现象，当光照射在微纳结构上，形成局域表面等离激元共振，在等离激元诱导下，电子从金属中直接跃迁到半导体材料导带中，这种方式能够有效避免载流子转移过时弛豫、复合、束缚等过程的能量损失，从而解决了传统常规热电子跨越势垒转移途径热电子转移时所产生较高的能量损失的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN214625089U
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202121000154.2
申请日：2021-05-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本实用新型公开了一种基于过渡金属硫族化合物堆垛式忆阻器，包括衬底层、底电极层、第一阻变层、氧化层、第二阻变层和顶电极层。通过基于过渡金属硫族化合物的3层堆垛结构，一方面可以发挥该族二维材料的优势，优良的机械性和高透性使器件具有柔性光控忆阻器的潜能，通过氧化手段，引入氧化层，增加氧空位含量，可降低器件的转变电压，实现器件低功耗的提高忆阻器的性能，通过第一阻变层和第二阻变层的加入，可以防止底电极层和顶电极层过度氧化影响阻变性能，使忆阻器的性能得到提升。解决目前忆阻器稳定性、耐受性降低的问题。
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公开(公告)号：CN214705975U
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202121115463.4
申请日：2021-05-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本实用新型公开了一种具有多值储存功能的阻变存储器结构，通过在所述顶电极和所述底电极间设置有若干个上圆锥金属图案和下圆锥金属图案，所述上圆锥金属图案和所述下圆锥金属图案均为圆锥体设置，所述上圆锥金属图案和所述下圆锥金属图案圆锥的尖端的朝向相互对峙，同时在所述阻变介质层的中部插入所述金属插层，所述金属插层将所述阻变介质层间隔出距离相等或不等的上下层，当在所述底电极和所述顶电极上加载电压时，通过调节对阻变存储器的电压数值，调整所述阻变介质层内导电细丝的生成情况进而形成三种不同阻态，从而实现多值储存的功能，提高阻变存储器存储密度。
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公开(公告)号：CN215578613U
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202121590974.1
申请日：2021-07-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种平面型十字交叉阵列结构的阻变存储器，所述底电极于所述凹槽的内底壁，所述第一电阻转变层位于所述底电极的顶端，所述第二电阻转变层位于所述第一电阻转变层的顶部，所述顶电极位于所述第二电阻转变层的顶部。将所述底电极、所述第一电阻转变层和第二电阻转变层置于所述绝缘基底的所述凹槽中，解决了采用普通的十字交叉阵列的阻变器存在的边缘效应问题。通过对所述底电极图案化修饰，并凭借所述第一电阻转变层和所述第二电阻转变层，相比于单层阻变层，能有效改善器件的电学性能，开/关阈值电压明显减小、电压的数值分布显著集中，并且数据保持能力以及电阻切换速度相对提升，提高了可靠性。
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公开(公告)号：CN214705974U
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202121100659.6
申请日：2021-05-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本实用新型公开了一种阻变存储器结构，其结构由顶电极、阻变介质层和底电极组成，所述顶电极具有指向底电极的锥形结构，所述底电极具有指向顶电极的锥形结构，所述顶电极与底电极锥形结构之间保持一定距离，此结构下的忆阻器具有减小阻变存储器SET及RESET电压的效果，在加载电压后，尖端位置对应的电场强度最高，适合导电细丝的形成，抑制了导电细丝形成的随机性，解决了现有技术中的导电细丝型阻变存储器中阻变介质层导电细丝形成随机且不集中的技术问题。
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公开(公告)号：CN214672637U
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202120994785.4
申请日：2021-05-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0445 , G02B5/00 , B82Y30/00
Abstract: 本实用新型公开了一种硅基薄膜太阳能电池，通过TCO膜层与玻璃衬底固定连接，Si层与TCO膜层固定连接，金属纳米颗粒与Si层固定连接，ITO膜层与Si层固定连接，其中Si层表面的三角纹理形态可以有效提高长波段的光吸收，而Si层中的金属纳米颗粒可以有效提高短波段的光吸收，此结构可有效提高硅基薄膜太阳能电池整个波段的光吸收，解决了硅基薄膜太阳能电池光子吸收率低的问题。
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