公开(公告)号：CN204067624U

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201420274466.6

申请日：2014-05-27

Applicant: 桂林恒昌电子科技有限公司

Inventor： 钟正祁 ,  王华 ,  蒋月泉

IPC: H01R12/70

Abstract: 本实用新型的贴片式弹性体导电单体连接器，包括基体和导电体，其连接器整体符合贴片元器件的体积要求，连接器设置用于与印制电路板固定的连接结构，连接器整体由连接结构与高分子弹性材料制成的基体以及处于基体中的导电体组成。本实用新型在一般的单体按键的基础上，通过在传统按键上加上贴片引脚以及贴片固定圈、贴片支架框架或骨架，达到能够进行编带标准，执行贴片元器件的相关标准体积要求，并能够通过表面封装技术自动贴片设备的要求，实现自动化连续生产装配，取代传统的人工装配和人工配合，节约大量社会资源，实现高效率和降低开发成本、制造成本的效果。并可以高度统一形成系列标准件形式，推进标准化，促进行业的发展。

公开(公告)号：CN203415628U

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201320459034.8

申请日：2013-07-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  何玉汝 ,  王华 ,  戴培邦

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L27/28 ,  H01L51/00

Abstract: 本实用新型公开了一种肖特基特性自整流阻变存储器，包括底电极、沉积于底电极上的阻变层和沉积于阻变层上的上电极，所述底电极是导电薄膜电极，所述阻变层是n型PEI-MMA有机薄膜，所述上电极是金电极、银电极、铂电极、钯电极、铝电极、钛电极或铜电极。本实用新型不仅保持器件具有较好的双极性存储功能，而且增加了存储器的自整流功能，可避免存储器在三维集成时其1R结构存在的串扰问题，其自整流功能具有肖特基特性，较之pn结自整流阻变存储器，具有肖特基二极管带来的开关速度快，开关损耗小等一切优点，降低了功耗，提高了读写速度。

公开(公告)号：CN207320168U

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201721140292.4

申请日：2017-09-07

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 王华 ,  张文博 ,  许积文 ,  杨玲

IPC: H01L45/00

Abstract: 本实用新型公开一种阻变存储器，包括：底电极、沉积在底电极上的第一阻变层、沉积在第一阻变层上的第二阻变层和沉积在第二阻变层上的上电极，其中，底电极为电阻率小于10-4Ω·cm的重掺杂硅电极，第一阻变层为Sr1-yBiyTiO3薄膜，第二阻变层为SrTi1-xMgxO3薄膜，上电极为金属电极。本实用新型提供的自整流阻变存储器，通过对SrTiO3阻变薄膜分别进行施主、受主掺杂，使之既具有阻变特性，又能实现p-n结的整流作用，可避免应用于三维集成存储器时其1R结构存在的串扰问题。同时，本实用新型提供的阻变存储器，并没有增加存储单元的面积，能够保证存储密度，以Si为衬底还能与目前的Si集成电路工艺兼容。

公开(公告)号：CN205542905U

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201620088826.2

申请日：2016-01-29

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 张小文 ,  莫炳杰 ,  许积文 ,  王华

IPC: H01L51/50 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本实用新型公开了一种紫外有机发光器件。所述器件包括衬底层、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和反射金属阴极层，电子注入层为厚度是1.5nm?6nm的LiF；衬底层、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、反射金属阴极层顺序叠接为一体。本实用新型利用厚绝缘层作为电子注入层，通过减少电子的注入，提高发光层中电子?空穴的平衡性，因而在达到同等数量的电子?空穴对数目时只需要更低的电流密度，增加了电子与空穴在发光层中复合的概率，产生高效率的近紫外光发射，提高了紫外OLED器件的发光效率和辐照度。

公开(公告)号：CN203225281U

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201320173422.X

申请日：2013-04-09

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 张小文 ,  许积文 ,  王华 ,  徐华蕊 ,  陈国华 ,  曾华荣

IPC: H01L51/52

Abstract: 本实用新型公开了一种光谱随视角变化甚微的微腔结构倒置型顶发射有机电致发光器件，包括微腔结构和在微腔结构内从下向上倒置设置的衬底、反射金属阴极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、半透明金属阳极、出射发光线，通过半透明金属阳极由正向负连接反射金属阴极通以直流电构成外电路。其特征是：在半透明金属阳极之上不设有折射率匹配层和扩散层。本实用新型简化制作工艺流程、降低生产成本。通过调节发光层的厚度及其在微腔中的适当位置，器件的EL光谱在偏离发光面法线方向60O视角范围内光谱峰值位置、光谱形状及其对应的色坐标变化甚微，而且出射光线是通过微腔干涉效应发出的。

公开(公告)号：CN205429011U

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201620211105.6

申请日：2016-03-21

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 王华 ,  韩冬 ,  许积文 ,  杨玲 ,  丘伟

IPC: H01L43/10

Abstract: 本实用新型公开了一种低漏电流铁酸铋薄膜，所述薄膜包括衬底，以及衬底上的Bi4?xNdxTi3O12薄膜层，Bi4?xNdxTi3O12薄膜层上是BiFeO3薄膜层，并且Bi4?xNdxTi3O12薄膜层与BiFeO3薄膜层交替搭配，形成Bi4?xNdxTi3O12/BiFeO3复合薄膜，其中X的取值范围是0.4?0.85。本实用新型通过在BiFeO3薄膜与衬底间引入Bi4?xNdxTi3O12铁电薄膜缓冲层来降低BiFeO3薄膜的漏电流，提高铁电性能，在高电场下，该复合薄膜的漏电流密度比纯BiFeO3薄膜降低了4个数量级，铁电性能也得到了很大的提高。

公开(公告)号：CN204464323U

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201520089165.0

申请日：2015-02-09

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 张小文 ,  莫炳杰 ,  陈国华 ,  许积文 ,  王华

IPC: H01L51/50

Abstract: 本实用新型公开了一种基于梯度结构空穴注入传输的紫外有机电致发光器件，包括衬底层、阳极层、发光层、电子传输层、电子注入层、反射金属阴极层，其特征是，还包括梯度结构空穴注入传输体系层，所述衬底层、阳极层、梯度结构空穴注入传输体系层、发光层、电子传输层、电子注入层、反射金属阴极层顺序叠接为一体，从阳极层由正向负连接反射金属阴极层构成外电路。这种器件梯度结构空穴注入传输体系有效地促进了空穴的注入和传输，增加了发光层中空穴的数量，促进了空穴-电子的平衡性，因而有更多的空穴与电子在发光层中复合产生近紫外光发射，提高了紫外OLED器件的辐照度和发光效率。