公开(公告)号：CN103907061B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201280038389.8

申请日：2012-07-27

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸 ,  渡边由雄

IPC: G03F7/20 ,  G02B3/00 ,  G02B5/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G02B3/0056 ,  G03F7/70275 ,  G03F7/70308 ,  G03F9/70

Abstract: 在微透镜阵列中，其反转成像位置的六边视野光圈的配置，即，微透镜的配置，在垂直于扫描方向的方向上配置有多个而构成微透镜列。而且关于其3列的微透镜列，微透镜列以使六边视野光圈的三角形部分在扫描方向上重叠的方式分别在垂直于扫描方向的方向上偏移长度S的量进行配置。进而，关于由该3列的微透镜列构成的微透镜列组，微透镜列组例如在垂直于扫描方向的方向上偏移微小移位量F而配置，例如，偏移2μm。由此，在使用微透镜阵列的曝光装置中，即使对于垂直于扫描方向的方向也能防止产生曝光不均。

公开(公告)号：CN103026458B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180038786.0

申请日：2011-07-15

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: H01L21/027 ,  G02B3/00 ,  G02B7/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70275 ,  G02B3/0006 ,  G03F9/703 ,  G03F9/7088

Abstract: 本发明提供一种隔开规定间隔固定有微透镜阵列和掩模的微透镜曝光装置，该微透镜曝光装置能够容易且高精度将微透镜阵列与曝光用基板之间的间隙调整到微透镜的对准焦点位置。曝光用的激光通过微透镜阵列3的微透镜3a而被照射在抗蚀剂膜2上。来自显微镜10的光通过掩模4的Cr膜5的孔5b中，在微透镜3b中透射而照射在抗蚀剂膜2上。通过使用显微镜10观察在该微透镜3b中透射的光是否在抗蚀剂膜2上对准焦点，从而能够判别由微透镜3a聚束于抗蚀剂膜2的曝光光的对准焦点。

公开(公告)号：CN104919731A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201380070056.8

申请日：2013-12-10

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  水村通伸 ,  石川晋 ,  金尾正康 ,  小川吉司

IPC: H04B10/80 ,  H01L31/02 ,  H04B10/114

CPC classification number: H04B10/803 ,  H01L31/173

Abstract: 本发明提供一种光互联装置，其能够提高基板上的发光元件或受光元件的对准精确度，即使在转接一个基板进行光信号的接收和发送的情况下，也能够以比较简单的制造工序来形成，即使以高密度配置发光元件或受光元件的情况下也抑制基板之间信号传输的串扰。本发明的光互联装置(1)在层叠配置的多个半导体基板(10)之间进行光信号的接收和发送，其中，配置于一个半导体基板(10)的发光元件(2)或受光元件(3)具备将半导体基板(10)作为共同的半导体层的pn接合部(10pn)，且形成于半导体基板(10)的一面侧，在不同的半导体基板(10)之间进行光信号的接收和发送的一对发光元件(2)和受光元件(3)中，由该发光元件(2)发出的光透过半导体基板(10)而被该受光元件(3)接收。

公开(公告)号：CN102714149B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201080050013.X

申请日：2010-10-14

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  滨野邦幸 ,  水村通伸

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: C30B1/023 ,  C30B13/22 ,  C30B29/06 ,  G03F1/14 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明公开了一种形成设备和形成方法，其能生产不经历晶粒尺寸波动并且具有均匀的晶粒尺寸的低温多晶硅膜。形成掩模，使得激光束阻断区域和激光束透射区域以网状图案排列，以便彼此不相邻。通过掩模，利用微透镜，使用激光束照射预定的通道区形成区域。使用透过透射区域的激光束照射a-Si:H膜，以引起经照射的部分退火，从而引起多晶化。随后，将掩模移除，并且使用激光束照射预定的通道区形成区域的整个表面。在其中已发生多晶化的区域，熔点升高，并且不发生熔融。在仍为非晶态的区域中，熔融并固化，从而引起多晶化。在这样生产的多晶硅膜中，晶粒的尺寸根据阻光区和透光区控制并落入具体范围内。

公开(公告)号：CN104169798A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201280071476.3

申请日：2012-03-19

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  水村通伸

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70191 ,  G03F7/201 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70891

Abstract: 本发明的曝光头包含以下部分：透明基板；多个曝光光源，其形成于上述透明基板，辐射曝光光；聚光透镜，其使来自上述曝光光源的曝光光会聚到上述曝光对象物上；摄像机构，其配置于隔着上述透明基板与上述聚光透镜相反的一侧，对上述曝光对象物进行摄像；以及控制机构，其基于由上述摄像机构摄像得到的图像信息，控制上述曝光光源的点亮。另外，本发明的曝光装置包含本发明的曝光头。根据这样的构成，能够提高曝光对象物的对位精度，使曝光对象物的曝光精度提高。

公开(公告)号：CN103842305A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201280049102.1

申请日：2012-09-25

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: C03B33/09 ,  B23K26/073 ,  B23K26/40

CPC classification number: B23K26/0734 ,  B23K26/0648 ,  C03B33/091

Abstract: 本发明的玻璃基板的激光加工装置通过设成环状的柱面透镜使从激光光源射出的激光与玻璃基板的预定切断线相对应地聚光。激光相对于柱面透镜的照射位置通过驱动装置而沿第1方向移动。激光是在与其光轴正交的面内与第1方向垂直的第2方向上的宽度（W5）比柱面透镜的宽度）W7）大。并且在通过驱动装置使激光的照射位置沿第1方向移动的过程中，从激光光源多次射出激光，形成与切断预定线相对应的加工痕。这样一来，能够容易地在玻璃基板上形成环形的封闭形状的加工痕，缩短用于玻璃基板的分割的处理时间。

公开(公告)号：CN103262213A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201180059322.8

申请日：2011-11-22

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸 ,  斋藤雄二

IPC: H01L21/20 ,  B23K26/00 ,  B23K26/04 ,  B23K26/06 ,  H01L21/268 ,  B23K101/40

CPC classification number: H01L21/67115 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0676 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/477

Abstract: 本发明涉及一种激光退火装置，向形成在TFT基板(10)上的非晶硅膜照射多个激光束(Lb)而进行退火处理，其具备：掩模(3)，其形成有与TFT基板(10)上的被退火区域的形状相似的形状的多个开口；微型透镜基板(4)，其经由形成在一面上的多个微型透镜使分别通过了掩模(3)的多个开口的多个激光束(Lb)会聚到TFT基板(10)上，从而向非晶硅膜施加一定的光能；一对引导件(25)，它们呈半圆柱状的形状，隔着微型透镜基板(4)以轴心大致平行的方式对置配置在微型透镜基板(4)的两缘部的位置，且顶部比微型透镜的顶部的位置向TFT基板(10)侧突出；薄膜(22)，其以能够移动的方式张设在一对引导件(25)间并使激光束(Lb)透过。由此，容易进行激光束的照射能量的维持管理，且能抑制照射图案的形状紊乱。

公开(公告)号：CN103250231A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201180053476.6

申请日：2011-10-17

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70191 ,  G03F7/20 ,  G03F7/70275 ,  G03F7/70291

Abstract: 本发明是曝光装置，其具备图案生成器（3），图案生成器（3）在与被曝光体（6）的面平行的面内配置有多个光开关（11），光开关（11）包括：开关元件（9），其在与包含电光晶体材料的棱柱状的部件的长轴平行的相对面分别设置电极而形成；以及一对偏振板（12A、12B），其中间隔着该开关元件（9）呈正交尼科尔配置在该开关元件（9）的长轴方向的两端面侧，该曝光装置单独地驱动多个光开关（11）而生成恒定的明暗花纹的曝光图案，将该曝光图案照射到被曝光体（6）进行曝光，上述曝光装置具备多个微透镜（17），多个微透镜（17）使其光轴分别与各开关元件（9）的长的中心轴一致地设置于图案生成器（3）的光出射面侧，将开关元件（9）的光出射端面（9a）的像缩小投影到被曝光体（6）上。由此，可容易进行曝光区域的扩大。

公开(公告)号：CN102334070B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201080009430.X

申请日：2010-02-25

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸 ,  深谷康一郎 ,  安藤哲生

IPC: G03F9/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70291 ,  G03F9/7088

Abstract: 本发明涉及一种曝光装置，其具备：输送机构(1)，其上表面载置被曝光体(7)并将其沿一定方向输送；空间光调制机构(3)，其将由电光学结晶材料构成的多个光调制元件(9)沿与被曝光体(7)的输送方向交差的方向按规定的排列间距至少排列成一列；光束整形机构(4)，其将从各光调制元件(9)射出的光的所述输送方向的宽度限制在规定宽度；控制机构(6)，其个别地驱动各光调制元件(9)，对空间光调制机构(3)的透射光进行接通/断开控制，生成规定的图案，各光调制元件(9)，与其光轴正交的横截面形状形成为在被曝光体(7)的输送方向长的大致长方形状，并且，相对于与所述输送方向平行的轴倾斜规定角度而形成，控制机构(6)使光束整形机构(4)沿所述输送方向移动。由此，提高利用由电光学结晶材料构成的多个光调制元件生成的图案和被曝光体的曝光位置的对位精度。

公开(公告)号：CN103189801A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201180053457.3

申请日：2011-08-16

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: G03F9/00 ,  G03F7/20 ,  H05K1/02 ,  H05K3/00

CPC classification number: G03F9/00 ,  G03F7/2002 ,  H05K3/0008 ,  H05K2201/09918 ,  H05K2203/0557

Abstract: 在膜曝光装置（1）设有引入标记形成部（13），所述引入标记形成部（13）在所供给的膜（2）的前端部形成作为掩模（12）的初始位置的基准的引入标记（2a），利用检测部（15）来检测相对膜的移动方向而言在垂直的方向上的引入标记的位置。而且，根据该检测结果来调整掩模的位置。引入标记例如利用YAG激光来形成。检测部例如是在掩模的下方配置的线阵CCD相机。由此，膜曝光装置能够在开始膜的曝光时精度良好地设定掩模的位置，以高曝光精度对膜进行稳定地曝光。