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公开(公告)号：CN1134068C
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：CN97103164.9
申请日：1997-02-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/092 , H01L27/12 , H01L21/8238 , H01L21/84 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78621 , H01L27/1222 , H01L27/127 , H01L2029/7863
Abstract: 在一包括整体地形成于单个衬底上的n沟道薄膜晶体管和p沟道薄膜晶体管的电路结构中，轻掺杂漏(LDD)区选择地形成于n沟道薄膜晶体管中，在注入杂质离子时造成的半导体层损伤对于n和p沟道薄膜晶体管来说是平衡的。这种结构可实现n和p沟道薄膜晶体管间的平衡，从而可提供高性能CMOS电路。
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公开(公告)号：CN1348199A
公开(公告)日：2002-05-08
申请号：CN01133094.5
申请日：1993-12-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/02672 , G09G2300/0408 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L27/1277 , H01L29/66757
Abstract: 一种制造半导体器件,例如薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下,选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物,得到结晶硅膜,再以它们作起始点,在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜,然后再使其热结晶化,构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时,得到漏电小和迁移率高的晶体管。
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公开(公告)号：CN1272683A
公开(公告)日：2000-11-08
申请号：CN99124857.0
申请日：1997-10-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L21/32055 , H01L21/321 , H01L21/3221 , H01L27/10873 , H01L27/12 , H01L27/1277 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 提供一种其性能可与MOSFET性能相比的TFT。用促进结晶化的金属元素结晶的结晶硅膜形成半导体器件的有源层,并在含卤素气氛中热处理,除去金属元素。用众多种形或柱形晶体的集合构成该处理后的有源层。用该结晶结构制成的半导体器件有极高的性能。
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公开(公告)号：CN1227416A
公开(公告)日：1999-09-01
申请号：CN99102192.4
申请日：1997-02-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L27/092
CPC classification number: H01L29/78621 , H01L27/1222 , H01L27/127 , H01L2029/7863
Abstract: 在一包括整体地形成于单个衬底上的n沟道薄膜晶体管和p沟道薄膜晶体管的电路结构中，轻掺杂漏(LDD)区选择地形成于n沟道薄膜晶体管中，在注入杂质离子时造成的半导体层损伤对于n和p沟道薄膜晶体管来说是平衡的。这种结构可实现n和p沟道薄膜晶体管间的平衡，从而可提供高性能CMOS电路。
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公开(公告)号：CN1152792A
公开(公告)日：1997-06-25
申请号：CN96114412.2
申请日：1993-12-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02672 , G09G2300/0408 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L27/1277 , H01L29/66757
Abstract: 一种制造半导体器件，例如薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下，选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物，得到结晶硅膜，再以它们作起始点，在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜，然后再使其热结晶化，构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时，得到漏电小和迁移率高的晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1128900A
公开(公告)日：1996-08-14
申请号：CN95109163.8
申请日：1995-07-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/3215 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L21/2022 , H01L21/2026
Abstract: 为可获得具有高结晶度的结晶硅膜，一开始便在玻璃衬底上形成的非晶硅膜上形成优异的氧化膜13。滴加有浓度为10至200ppm(需要调节)的催化剂元素。如镍之类的元素的乙酸盐水溶液。将该状态保持预定时间，然后用旋涂机甩干。在550℃下经4小时使膜晶化。然后，用氟酸处理，除去局部镍化合物。而且，用激光辐照，获得结晶硅膜。在550℃下热处理4小时，获得具有低金属元素浓度和小缺陷密度的结晶硅膜。
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公开(公告)号：CN1767190B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN200510099448.4
申请日：2001-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1288 , H01L27/15 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L27/3295 , H01L29/78645 , H01L29/78669 , H01L51/0097 , H01L51/5206 , H01L51/5218 , H01L51/5228 , H01L51/5234 , H01L51/5237 , H01L51/525 , H01L51/5271 , H01L51/56 , H01L2251/5315 , Y10S428/917
Abstract: 本发明提供了明亮和高度可靠的发光器件。阳极(102)、EL层(103)、阴极(104)和辅助电极(105)以叠层顺序地形成在反射电极(101)上。此外，阳极(102)、阴极(104)和辅助电极(105)是对可见光透明或半透明的。在这种结构中，EL层(103)中产生的光几乎全部照射到阴极(104)一侧，由此象素的有效发光面积显著增强。
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公开(公告)号：CN1658389B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200510009401.4
申请日：1993-12-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/02672 , G09G2300/0408 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L27/1277 , H01L29/66757
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括：半导体膜；形成在半导体膜中的一对第一杂质区；形成在一对第一杂质区之间的第一沟道区；形成在半导体膜中的一对第二杂质区；形成在一对第二杂质区之间的第二沟道区；形成在半导体膜上的栅绝缘膜；第一栅电极，形成为与第一沟道区相邻，并且栅绝缘膜夹在其间；第二栅电极，形成为与第二沟道区相邻，并且栅绝缘膜夹在其间；形成在第一栅电极和第二栅电极上的绝缘膜；形成在绝缘膜中的接触孔；以及形成在绝缘膜上的连线，其中一对第一杂质区中的一个第一杂质区与一对第二杂质区中的一个第二杂质区接触；其中连线电连接到一对第一杂质区中的一个第一杂质区和一对第二杂质区中的一个第二杂质区。
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公开(公告)号：CN100502031C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200610101410.0
申请日：2000-04-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/32 , H01L27/15 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/13454 , H01L27/1237 , H01L27/1277 , H01L27/3244 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L29/045 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78675
Abstract: 根据本发明的一种半导体器件，包括：一p沟道TFT；一n沟道TFT，其中至少有一部分LDD区与栅极叠加，在LDD区和栅极之间夹有第二栅绝缘膜；一存储晶体管，其包括：一源区、一漏区、一沟道区、第一栅绝缘膜、一浮置栅极、第三栅绝缘膜、和一控制栅极，其中，所述p沟道TFT和所述n沟道TFT和所述存储晶体管都设置在同一绝缘体之上，所述p沟道TFT和所述n沟道TFT都设置在一个CMOS电路中，并且，所述存储晶体管的所述漏区叠加在所述的浮置栅极。
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公开(公告)号：CN100417306C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200410088071.8
申请日：2000-06-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供了一种能够进行清晰的多级灰度彩色显示的EL显示器件和配置有EL显示器件的电子设备，其中根据时分法执行灰度显示，在该方法中，设置在一个象素(104)中的发光或非发光的EL元件(109)受时间控制，并且可以避免电路控制TFT(108)的可变性的影响。当采用此法时，数据信号侧驱动电路(102)和栅极信号侧驱动电路(103)与TFT形成在一起，而TFT是利用一种具有特有的晶体结构的硅膜，显示极高的工作速度。
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