公开(公告)号：CN101894844B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201010199043.9

申请日：2010-06-04

Applicant: 清华大学

Inventor： 谢丹 ,  罗亚烽 ,  冯婷婷 ,  韩学光 ,  任天令 ,  刘理天

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本发明涉及基于金属氧化物气相沉积铁电动态随机存储器，包括：硅衬底，源区、漏区，隔离层介质膜，铁电薄膜层，栅电极，源极，漏极，以及用于器件测量的衬底接触区和衬底接触电极；所述隔离层介质为：ZrO2、TiO2中的任意一种；所述铁电薄膜层为：Pb(Zr1-xTix)O3(PZT)，各组份的摩尔比例为：Pb∶(Zr+Ti)∶O＝1∶1∶3，Zr∶Ti＝(1-x)∶x，x取值范围为0.1＜x＜1.0；该方法包括：对硅衬底进行清洗、氧化层；先后光刻，依次形成源漏区、衬底接触区并生长氧化层及栅区：生长隔离层介质薄膜和铁电薄膜：制备电极金属层：形成栅电极：形成接触孔：制备金属层，形成衬底接触电极金属层及合金化处理。本发明获得了大面积、均匀致密的、性能良好的存储介质薄膜和隔离层材料，用其制备的器件具有更小的漏电，更高的保持特性。

公开(公告)号：CN101872768B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201010202569.8

申请日：2010-06-11

Applicant: 清华大学

Inventor： 谢丹 ,  罗亚烽 ,  冯婷婷 ,  韩学光 ,  任天令 ,  刘理天

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/02 ,  H01L21/31 ,  G11C11/22 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及基于铋系存储材料的铁电动态随机存储器及其制备方法，属于微电子新材料与器件技术领域，该器件的区别特征为隔离层介质为：ZrO2或TiO2；铁电薄膜层为BXT或BXFY中的任意一种：其中，X为掺杂的稀土元素，Y为掺杂的过渡金属元素。该方法包括：对硅衬底进行清洗及氧化：光刻形成源漏区和衬底接触区后生长氧化层：再光刻形成栅区后生长隔离层介质薄膜和铁电薄膜；在铁电薄膜上溅射电极金属层；再光刻和刻蚀形成栅电极、接触孔；源极、漏极以及衬底接触金属层及电极金属层；最后合金化处理。本发明可获得大面积、均匀致密的、性能良好的存储介质薄膜和隔离层材料，用其制备的FEDRAM器件具有更小的漏电，更高的保持特性。

公开(公告)号：CN102231273A

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN201110096874.8

申请日：2011-04-18

Applicant: 清华大学

Inventor： 任天令 ,  杨轶 ,  孔祥明 ,  王利刚 ,  王宇峰 ,  任远 ,  刘理天

IPC: G10K9/122 ,  G01S7/52 ,  G01S15/08

Abstract: 本发明提出一种无铅超声换能器及具有该无铅超声换能器的雷达测距系统。其中，雷达测距系统包括：主控器、至少一个无铅超声换能器和显示装置，其中，无铅超声换能器与主控器连接，且使用无铅压电材料；主控器产生电压激励信号并将其放大后发送至无铅超声换能器以使其发射超声波，超声波遇到障碍物后反射回无铅超声换能器后转化为电压信号后发送至主控器，主控器对电压信号进行处理以获得无铅超声换能器与障碍物之间的距离；显示装置与主控器连接，用于显示主控器计算出的距离。本发明的雷达测距系统应用基于无铅材料的超声换能器，实现了系统的环保化。而且，通过采用高性能的信号处理系统，补偿了无铅材料的弱压电性，实现了距离测定的高精度性。

公开(公告)号：CN101894844A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010199043.9

申请日：2010-06-04

Applicant: 清华大学

Inventor： 谢丹 ,  罗亚烽 ,  冯婷婷 ,  韩学光 ,  任天令 ,  刘理天

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本发明涉及基于金属氧化物气相沉积铁电动态随机存储器，包括：硅衬底，源区、漏区，隔离层介质膜，铁电薄膜层，栅电极，源极，漏极，以及用于器件测量的衬底接触区和衬底接触电极；所述隔离层介质为：ZrO2、TiO2中的任意一种；所述铁电薄膜层为：Pb(Zr1-xTix)O3(PZT)，各组份的摩尔比例为：Pb∶(Zr+Ti)∶O＝1∶1∶3，Zr∶Ti＝(1-x)∶x，x取值范围为0.1＜x＜1.0；该方法包括：对硅衬底进行清洗、氧化层；先后光刻，依次形成源漏区、衬底接触区并生长氧化层及栅区：生长隔离层介质薄膜和铁电薄膜：制备电极金属层：形成栅电极：形成接触孔：制备金属层，形成衬底接触电极金属层及合金化处理。本发明获得了大面积、均匀致密的、性能良好的存储介质薄膜和隔离层材料，用其制备的器件具有更小的漏电，更高的保持特性。

公开(公告)号：CN101714834A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910238145.4

申请日：2009-11-16

Applicant: 清华大学

Inventor： 伍晓明 ,  杨轶 ,  卜灵 ,  林建辉 ,  刘理天 ,  任天令

IPC: H02N2/18

Abstract: 一种碰撞式压电振动能量收集装置，属于压电材料能量转化与收集装置技术领域。装置包括支撑基片(2)、垫片(3)、振动块(4)、固定块(6)等；支撑基片(2)固定在垫片(3)上，垫片(3)固定在振动块(4)上，振动块(4)在环境振动或冲击的作用下与固定块之间产生相对运动，与固定块(6)发生碰撞，碰撞后支撑基片带动压电层以其自振频率振动。所述支撑基片为压电材料或固定有压电层(1)。所述支撑基片上有质量块(7)。本发明可以有效收集低频、高强度冲击能量，解决了因环境固有振动频率与振动结构谐振频率不易匹配、能量转换效率低等问题，适用于低频、冲击能量高、非连续振动环境，可应用于传感器或其他低功耗系统中自供电。

公开(公告)号：CN100570618C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200810103446.1

申请日：2008-04-03

Applicant: 清华大学

Inventor： 任天令 ,  魏朝刚 ,  章英杰 ,  贾泽

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明属于集成电路设计技术领域，涉及应用铁电电容的集成电路设计，尤其涉及一种应用于SPICE电路仿真程序中的铁电电容行为模型。该模型利用SPICE程序中的表达式功能建立非线性电容原件，配合微分电路作为控制电路，模拟铁电电容的物理行为，该模型组成部分包括：一个线性电容，一个非线性电容，一个压控电压源以及一个微分电路；由所述线性电容、非线性电容组成的并联电路依次与压控电压源、微分电路串连。相对于现有技术，发明中铁电电容的电学行为完全由非线性电容表现，可用表达式进行精确的赋值。该模型的工作控制完全由微分电路完成，控制过程简单，利于提高仿真速度。由于控制信号是输入电压对时间的微分，因此更适合瞬态仿真。

公开(公告)号：CN100570397C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200510085529.9

申请日：2005-07-26

Applicant: 清华大学

Inventor： 任天令 ,  朱一平 ,  伍晓明 ,  杨轶 ,  刘理天

IPC: G01S5/18

Abstract: 本发明公开了属于超声传感技术领域的一种空间位置检测系统及其检测方法。该空间位置检测系统，由超声发射装置、超声接收装置、光同步信号装置、数据处理系统和数据传输接口这几部分组成。主要应用于物体相对于某个参照坐标系的三维或二维平面上空间位置的检测。其数据处理系统利用光同步信号的传输，测量出超声波在介质中传播的渡越时间，或者可不用光同步信号的传输，直接测量出超声波从超声发射器到每个超声接收器的传播渡越时间之间的差值，进而确定超声发射器到每个超声接收器的距离，经过简单立体几何的演算，就能计算出超声发射器或发射装置顶端的三维空间位置，给航空航天、军事、医疗方面带来简单快捷的位置确定方法，有广泛的应用前途。

公开(公告)号：CN101465157A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200810239351.2

申请日：2008-12-10

Applicant: 清华大学

Inventor： 贾泽 ,  邹重人 ,  刘雷波 ,  任天令 ,  陈弘毅

IPC: G11C11/22

Abstract: 本发明公开了集成电路设计制造技术领域中的一种用于1T1C铁电存储器的动态自适应参考产生电路。技术方案是，用于1T1C铁电存储器的动态自适应参考产生电路包括：交叉耦合型灵敏放大器、第一电流镜、第二电流镜、第一电压电流转换PMOS管、第二电压电流转换PMOS管、第三电压电流转换PMOS管、交叉耦合型灵敏放大器控制管、第一预放电NMOS管、第二预放电NMOS管、反馈NMOS管、第一电压电流转换PMOS管的使能管、第二电压电流转换PMOS管的使能管和第三电压电流转换PMOS管的使能管。本发明突破了参考信号分辨窗口原有设计的限制，提高了1T1C铁电存储器在获取数据时的读取速度和读取数据的正确率。

公开(公告)号：CN101257016A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810103810.4

申请日：2008-04-11

Applicant: 清华大学

Inventor： 阮勇 ,  任天令 ,  谢丹 ,  刘理天 ,  杨景铭

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/115 ,  H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8247 ,  H01G4/33 ,  H01G4/08

Abstract: 三维结构PZT电容及其MOCVD制备方法属于金属氧化物薄膜电容制备技术，其特征在于，所述PZT薄膜是由Pb0.5(Zr1－xTix)0.5O3薄膜制成的，其中X＝0.4，Pb为27％，Zr为55％，Ti为18％，由所述PZT薄膜作为介质层形成的三维结构PZT电容，其形态致密，均匀性大于95％，厚度为1500埃，相应的提出了制备时所用的DLI－MOCVD方法，以及各阶段控制参数和系统参数。

公开(公告)号：CN101250691A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200810103811.9

申请日：2008-04-11

Applicant: 清华大学

Inventor： 阮勇 ,  谢丹 ,  任天令 ,  刘理天 ,  林惠旺

IPC: C23C16/40

Abstract: 控制MOCVD淀积PZT的先驱体溶液配置方法属于PZT薄膜制备技术领域，具体特征在于，以溶质摩尔浓度为0.14mol/L，四氢呋喃30ml，四－乙二醇二甲醚4ml，Pb为27％，Zr为55％，Ti为18％，制成总溶剂体积为0.034L的特定组分PZT的先驱体溶液。用此溶液制备的Pb0.5(Zr0.4Ti0.6)0.5O3组分PZT薄膜，衬底为1～8英寸，均匀性大于95％，厚度为1500埃。