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公开(公告)号：CN103872106A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410135845.1
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L29/73 , H01L29/06 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/66234 , H01L29/36 , H01L29/73
Abstract: 抗辐照双极器件及该器件的制备方法，涉及双极器件的抗辐照技术。它为了解决现有双极器件抗辐照能力差的问题。本发明在双极器件基区表面设置有以发射区为中心的高掺杂浓度区。抗辐照双极器件的制备方法为：在完成基区扩散或离子注入后，进行发射区扩散或离子注入前，进行抗辐照加固方法，抗辐照加固方法首先在基区掩膜版的基础上制备基区表面掺杂掩膜版，基于该掩膜版向基区表面注入与基区体内相同的杂质离子，注入浓度为体区浓度的10～10000倍，最后进行退火处理。本发明通过改变基区表面结构及掺杂浓度，使器件失效阈值高了1.4～3.7倍。本发明适用于NPN器件、PNP器件、数字双极电路、模拟双极电路及数模/模数电路。
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公开(公告)号：CN103872105A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410135478.5
申请日：2014-04-04
Applicant: 石家庄天林石无二电子有限公司 , 哈尔滨工业大学 , 中国空间技术研究院
IPC: H01L29/73 , H01L29/08 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/73 , H01L29/0804 , H01L29/66234
Abstract: 一种抗辐照加固双极型晶体管及该晶体管的制备方法，属于电子技术领域。它是为了解决现有双极型晶体管抗辐照能力低的问题。一种抗辐照加固双极型晶体管，发射区以基区的对角线为对称线呈左右对称的正方形对称梳状结构，该对称线两侧对称向外延伸出n对矩形齿结构，每对矩形齿结构之间的夹角均为90度；上述晶体管的制备方法，在掺杂元素扩散形成基区时，基区的扩散结深度在1μm至2.5μm之间；在基区的表面扩散一层硼；掺杂元素扩散形成发射区时，发射区的扩散结深度在0.5μm至2μm之间；在氧化时，保证干氧的厚度在1nm至10nm之间，湿氧的厚度在200nm至1μm之间。本发明适用于商业化抗辐照双极型晶体管的应用及生产。
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公开(公告)号：CN103868973A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410136007.6
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N27/61
Abstract: 一种基于深能级瞬态谱技术的双极型器件电离辐射损伤缺陷检测方法，属于电子技术领域。解决了现有双极型晶体管的电离辐射损伤缺陷无法定量化的问题。它的过程为：首先，将双极型器件安装到深能级瞬态谱仪低温测试台上，保证双极型器件与深能级瞬态谱仪低温测试台紧密连接，并将双极型器件基极与集电极分别与深能级瞬态谱仪的高、低测试接头相连；其次，设置测试参数，该参数包括反向偏压VR、脉冲电压VP、测试周期TW、脉冲宽度TP及温度扫描范围，获得氧化物电荷和界面态的DLTS信号峰所对应的温度、峰高及峰的半高宽，最后，根据DLTS信号峰所对应的温度、峰高及峰的半高宽获得双极型器件电离辐射损伤缺陷。应用在缺陷检测领域。
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公开(公告)号：CN117151012A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311312876.5
申请日：2023-10-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/39 , G06F18/214 , G06N20/00 , G06F119/02
Abstract: 本发明的一种肖特基势垒二极管可靠性的预测方法，涉及肖特基势垒二极管可靠性建模并通过建模获得可靠性预测的方法。目的是为了克服现有肖特基势垒二极管的可靠性预测方法复杂度高，计算效率低，模型可解释性也较差的问题，具体步骤如下：步骤一、将需预测可靠性的肖特基势垒二极管的预计工作时长输入至训练好的可靠性预测模型，得到肖特基势垒二极管的可靠性参数预测值；步骤二、将可靠性参数预测值与预设的可靠性参数阈值比较，在可靠性参数预测值小于可靠性参数阈值时，判断肖特基势垒二极管在预计工作时长后为可靠。
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公开(公告)号：CN114236339A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111546467.2
申请日：2021-12-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种太阳电池低温量子效率试验装置及其方法，该装置包括：恒温真空舱、光源控制单元、氙灯光源、测试单元和控制模块；方法包括以下步骤：S1.氙灯光源产生入射光；入射光包括单色光和偏置光；S2.将恒温真空舱横向放置，舱头部的光学窗口正对单色光下方，确保单色光和偏置光入射至待测电池表面，通过探针连接待测电池电极，并通过测试线将探针与测试单元相连，确认无断触后关闭舱门；S3.将恒温真空舱抽成真空；S4.达到真空度要求后进行降温；S5.通过测试单元进行量子效率性能测试得到量子效率曲线，根据量子效率曲线获取短路电流密度，以及半导体材料在当前温度下的带隙。本发明为深空太阳电池低温量子效率测试提供了试验条件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110473787B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201910774716.X
申请日：2019-08-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/425 , H01L21/477
Abstract: 一种基于深层离子注入的氧化镓肖特基二极管抗位移辐照方法，属于二极管微电子技术领域。本发明针对现有氧化镓肖特基二极管在带电粒子辐照环境中抗位移辐照能力差，易造成其正向及反向特性退化的问题。它根据原Ga2O3肖特基二极管的结构参数，确定离子的待注入位置，并模拟确定所述离子的能量和射程；再模拟获得离子注入后Ga2O3肖特基二极管正向及反向目标特性变化曲线，记录目标特性变化曲线的变化量小于原Ga2O3肖特基二极管正向及反向特性变化曲线10％时的离子注入量；再计算离子注入机的离子源电压、离子束电流和离子注入时间；设置离子注入机，对原Ga2O3肖特基二极管进行离子注入并进行退火处理。本发明用于氧化镓肖特基二极管的加固。
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公开(公告)号：CN113984797A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111301296.7
申请日：2021-11-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N23/00
Abstract: 一种用于在深空探测温度范围内可控辐照的终端设备及其使用方法，它涉及温度可控的辐照终端设备，本发明要解决当前在深空探测中航天航空器件遇到的极端温度，没有相应的平台对深空探测中航天航空器件进行评估问题。本发明的设备包括粒子加速器、真空腔室和温度控制系统；真空腔室内放置高低温样品台和束流探测器，温度控制系统对高低温样品台进行温度控制，粒子加速器对真空腔室发射粒子，束流探测器进行探测。
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公开(公告)号：CN108304666B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201810136598.5
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 基于杂化泛函计算β‑三氧化二镓电荷转移的方法，本发明涉及计算β‑三氧化二镓电荷转移的方法。本发明目的是为了解决现有基于杂化泛函的方法计算含有缺陷的超胞电荷转移的准确率低的问题。过程为：得到β‑Ga2O3的晶格参数和禁带宽度；得到β‑Ga2O3能量最低点的晶格参数和禁带宽度；根据晶格参数和禁带宽度得到模拟结果和实验结果一致；计算含有缺陷的β‑Ga2O3的电子在空间中的分布；通过VESTA软件读取A和B，并对二者在电子在空间中的分布做差，得到差分电荷。本发明用于计算β‑Ga2O3电荷转移的领域。
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公开(公告)号：CN109658962B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201811554118.3
申请日：2018-12-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11C11/413 , G11C7/24
Abstract: 一种抗单粒子多节点翻转的近阈值SRAM存储单元，它涉及一种SRAM存储单元，本发明要解决目前没有既能在近阈值或亚阈值电压区域工作，又能有效抵抗单粒子多节点翻转效应的SRAM存储单元结构的问题，本发明通过设计冗余加固技术以及合理的结构设计，增加了电路的内部节点数量从而达到抗单粒子翻转的目的；通过极性加固技术，对电路结构中的特定节点进行了抗单粒子翻转加固保护；此外，还通过版图加固技术，实现了对可能发生多节点翻转的节点对的隔离。在电路级和版图级加固的联合作用下，所提出的近阈值SRAM存储单元具备抵抗单粒子多节点翻转的能力。满足了低电压应用领域对抗单粒子多节点翻转近阈值SRAM存储单元的设计需求。
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公开(公告)号：CN108345748B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201810139234.2
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/04
Abstract: 一种发光二极管的在轨性能退化预测方法，属于器件在轨性能退化预测领域，解决了现有发光二极管的在轨性能退化预测方法不具备普适性的问题。所述方法包括通过对发光二极管进行地面辐照试验，获得具有普适性的发光二极管的性能退化数据随位移吸收剂量的变化曲线的步骤、根据预定航天器轨道和航天器设计在轨寿命，确定发光二极管的在轨位移吸收剂量的步骤和根据具有普适性的发光二极管的性能退化数据随位移吸收剂量的变化曲线以及发光二极管的在轨位移吸收剂量，获得发光二极管的在轨性能退化数据的步骤。本发明所述发光二极管的在轨性能退化预测方法特别适用于对发光二极管进行在轨性能退化预测。
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