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公开(公告)号：CN117466393A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311578380.2
申请日：2023-11-24
Applicant: 吉林大学
IPC: C02F1/461 , C02F1/467 , C02F101/34 , C02F101/36 , C02F101/38
Abstract: 本发明的一种用于电化学氧化抗生素的复合电极的制备方法属于电化学处理污水的电极材料的技术领域，其特征在于，在硅衬底上生长的硼掺杂金刚石膜表面，均匀分布有内部包含二氧化铅纳米球的碳纳米管；制备方法包括：硅衬底表面生长硼掺杂金刚石膜、内部包含二氧化铅纳米球的碳纳米管制备、旋涂法制备复合电极。本发明设计了具有更多活性位点的PbO2纳米结构，以提高电化学活性，对抗生素废水降解速率快，去除率高，并且防止了降解过程中残留的PbO2造成的水污染，在实际应用中具有非常好的应用价值。
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公开(公告)号：CN114142161B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202111427754.1
申请日：2021-11-26
Applicant: 吉林大学
IPC: H01M50/403 , H01M10/0525 , H01M50/417 , H01M50/431
Abstract: 本发明的一种改性锂离子电池隔膜的制备方法属于锂离子电池隔膜修饰的技术领域，步骤包括配制Zn(AC)2·2H2O和CTAB的乙醇溶液、混合形成淡黄色沉淀、加入纳米金刚石加热得到纳米金刚石/氧化锌复合材料ZnO/NDs、制备NDs胶体溶液或ZnO/NDs胶体溶液、涂覆在聚丙烯隔膜上得到改性锂离子电池隔膜材料等。本发明制备的新型隔膜修饰材料具有良好的电化学性能，用其制作的锂离子电池，具有良好的循环稳定性和递增的容量。
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公开(公告)号：CN115714143A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211478574.0
申请日：2022-11-23
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/40 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种肖特基二极管及其制备方法，涉及半导体功率器件技术领域，该肖特基二极管包括重掺杂P型材料的衬底，在衬底的上表面生长的轻掺杂P型材料的漂移层，对漂移层进行刻蚀处理后得到的第一凹槽结构，在第一凹槽结构中沉积形成的N型结构，沉积在漂移层和N型结构上的场板，在衬底的下表面沉积的第一电极，在场板和漂移层上表面沉积的第二电极。本发明通过改变场板和结终端扩展结构的相对空间位置，实现了导通电阻和耐压性能的平衡并获得高的巴利加优值。
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公开(公告)号：CN114142161A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111427754.1
申请日：2021-11-26
Applicant: 吉林大学
IPC: H01M50/403 , H01M10/0525 , H01M50/417 , H01M50/431
Abstract: 本发明的一种改性锂离子电池隔膜的制备方法属于锂离子电池隔膜修饰的技术领域，步骤包括配制Zn(AC)2·2H2O和CTAB的乙醇溶液、混合形成淡黄色沉淀、加入纳米金刚石加热得到纳米金刚石/氧化锌复合材料ZnO/NDs、制备NDs胶体溶液或ZnO/NDs胶体溶液、涂覆在聚丙烯隔膜上得到改性锂离子电池隔膜材料等。本发明制备的新型隔膜修饰材料具有良好的电化学性能，用其制作的锂离子电池，具有良好的循环稳定性和递增的容量。
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公开(公告)号：CN114045555A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111330072.9
申请日：2021-11-11
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种超疏水氧终端多晶硼掺杂金刚石膜的制备方法属于多晶金刚石膜制备的技术领域，步骤包括沉积硼掺杂多晶金刚石薄膜、沉积Au和Cu薄膜、管式炉中高温刻蚀等。本发明首次实现氧终端金刚石膜具有超疏水性，且制备过程以一种简便、易操作、成本较低的方式，本研究将在开发坚硬的超疏水材料领域中具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111739945A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010551169.1
申请日：2020-06-17
IPC: H01L29/861 , H01L29/872 , H01L29/267 , H01L21/04
Abstract: 本发明的一种金刚石倾斜台面异质结二极管及其制备方法，属于半导体功率器件的技术领域。其结构为，在低阻p型金刚石衬底(1)的正面依次有p型金刚石过渡层(2)、金刚石漂移层(3)、倾斜台面(4)、凹槽结构(5)、n型氧化镓层(6)、肖特基接触电极(8)，在低阻p型金刚石单晶衬底(1)的背面有欧姆接触电极(7)。本发明利用n型氧化镓填充凹槽避免选择区域形成n型掺杂金刚石面临的难题，同时在优化倾斜角度的台面上生长氧化镓形成异质PN结型混合终端结构，终端处的PN结在正向偏置时导通提高器件电流及抗浪涌能力，反向偏置时形成耗尽区缓解边缘电场集中。
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公开(公告)号：CN111362264A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010198511.4
申请日：2020-03-19
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种用于抗菌治疗的含氧纳米金刚石及其制备方法，属于医疗抗菌材料技术领域。所述的含氧纳米金刚石直径为5～10nm，表面基团为羧基、羰基和羟基，表面含氧量为15～20％，制备方法包括：将纳米金刚石分散于H2SO4和HNO3的混合物中加热、将所得样品加入氢氧化钠溶液中冷却透析、产物分散于盐酸中加热后再次透析等步骤。本发明制备过程简便、易操作、成本低，制备的含氧纳米金刚石具有良好的过氧化物酶样活性，针对牙周致病菌形成的菌斑生物膜具有良好的破坏作用。
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公开(公告)号：CN105749809A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610186954.5
申请日：2016-03-29
Applicant: 中国科学院电工研究所 , 吉林大学
IPC: B01J3/08
CPC classification number: B01J3/08 , B01J2203/0655
Abstract: 一种利用金属电爆炸效应合成金刚石晶体的装置，包括N路放电单元、时序控制器(S1)、电爆炸室和石墨组件，N为大于1小于16的正整数。N路放电单元并联，放电单元的正极与电爆炸室的上放电电极(S110)相连，负极与电爆炸室的下放电电极(S118)相连。石墨组件位于上放电电极(S110)和下放电电极(S118)之间。时序控制器(S1)与每路放电单元中放电开关的控制端连接。每一路放电单元包括储能电容、放电开关、限流电感和续流二极管；储能电容的正端连接放电开关的正极，放电开关的负极连接续流二极管的负极，续流二极管的正极连接储能电容的负端；限流电感的一端与放电开关的负极相连，另一端作为放电单元的正极；储能电容的负端作为放电单元的负极。
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公开(公告)号：CN105568220A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610027359.7
申请日：2016-01-15
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: C23C14/0647 , C23C14/0063 , C23C14/35
Abstract: 本发明的一种磁控溅射制备立方氮化硼厚膜的方法，属于超硬材料及其制备的技术领域。以硅片为衬底，以h-BN或单质硼靶为溅射靶材，采用两步沉积法制备c-BN厚膜。在Ar/N2混合气体气氛下先溅射第一层氮化硼膜，再通入H2，按质量流量计H2用量为气体总流量的4％～15％，保持衬底温度、调节衬底负偏压溅射第二层氮化硼膜。本发明的方法在不使用过渡层、加H2量较少的条件下，直接在硅衬底上获得立方相含量75％以上，甚至超过95％的c-BN厚膜，膜厚可达4μm以上，其稳定性得到了显著提高。
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公开(公告)号：CN102021649B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201010603983.X
申请日：2010-12-24
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的利用添加N2O气体化学气相沉积金刚石单晶的方法属金刚石单晶材料及其制备方法的技术领域。采用微波等离子体化学气相沉积系统，将单晶金刚石基底经抛光超声清洗处理后置于样品托放在沉积室内，向沉积室内充入氢气、甲烷和笑气，流量比为H2∶CH4∶N2O＝750∶75～90∶2～10，在微波功率2～2.5kw、基底温度900～1100℃，气压13～40kPa下生长金刚石单晶。本发明具有方法简单，生长速度快，质量好，成本低，污染小等优点，在N2O浓度的增加对全球气候增温效应越来越显著情况下，既利用废气节能减排，又促进了金刚石的生产。
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