公开(公告)号：CN116425546A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310422731.4

申请日：2023-04-19

申请人： 吉林大学

发明人： 王启亮 ,  刘正帅 ,  吕宪义 ,  李柳暗 ,  牟草源 ,  许洪新 ,  邹广田

IPC分类号： C04B35/528 ,  C04B35/622

摘要： 本发明公开了一种大粒径高占比金刚石/碳化硅复合材料制备方法，属于超硬材料合成技术领域，该方法包括：214μm～250μm金刚石、硅粉和碳化硅酸碱处理后，在氩气保护下等离子净化处理；金刚石75％wt～90％wt、碳化硅7％wt～20％wt和硅3％wt～5％wt混匀后加液态石蜡，得到混合粉末，过筛，内组装，冷压预压成型，高温预处理脱蜡，外组装，烘干，高温高压合成，然后降温降压，得到聚晶烧结体，磨床去杯，除杂清洗后得到金刚石/碳化硅聚晶烧结体，本发明利用预处理后的大尺寸且高占比的金刚石、硅和碳化硅采用高温高压法制备高导热性且极低孔隙率的金刚石/碳化硅复合材料。

公开(公告)号：CN116516312A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310419801.0

申请日：2023-04-19

申请人： 吉林大学

发明人： 王启亮 ,  刘正帅 ,  吕宪义 ,  李柳暗 ,  许洪新 ,  邹广田

IPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/44 ,  C23C16/02 ,  C23C16/56

摘要： 本发明公开了一种低温条件下在金刚石表面镀覆硅的方法，属于金刚石/碳化硅复合材料合成技术领域，包括将金刚石颗粒用去离子水反复清洗直至水质电导率为000uS/cm，于200℃烘干1h～3h；将烘干的金刚石颗粒放入配置好的浓度为0.15g/mL～0.3g/mL的NaOH溶液中于70℃～90℃进行水浴加热持续搅拌1h～2h，将碱处理后的金刚石颗粒用去离子水清洗至水质中性；取碱处理后的金刚石颗粒以及硅粉加入进配好的硅烷偶联剂醇溶液中，60℃～70℃水浴加热，反应1h～2h；反应结束后表面经处理的金刚石颗粒用无水乙醇清洗2～3次，用鼓风干燥箱进行烘干处理，使得金刚石表面涂层硅物质对金刚石表面改性。

公开(公告)号：CN116425546B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202310422731.4

申请日：2023-04-19

申请人： 吉林大学

发明人： 王启亮 ,  刘正帅 ,  吕宪义 ,  李柳暗 ,  牟草源 ,  许洪新 ,  邹广田

IPC分类号： C04B35/528 ,  C04B35/622

摘要： 本发明公开了一种大粒径高占比金刚石/碳化硅复合材料制备方法，属于超硬材料合成技术领域，该方法包括：214μm～250μm金刚石、硅粉和碳化硅酸碱处理后，在氩气保护下等离子净化处理；金刚石75％wt～90％wt、碳化硅7％wt～20％wt和硅3％wt～5％wt混匀后加液态石蜡，得到混合粉末，过筛，内组装，冷压预压成型，高温预处理脱蜡，外组装，烘干，高温高压合成，然后降温降压，得到聚晶烧结体，磨床去杯，除杂清洗后得到金刚石/碳化硅聚晶烧结体，本发明利用预处理后的大尺寸且高占比的金刚石、硅和碳化硅采用高温高压法制备高导热性且极低孔隙率的金刚石/碳化硅复合材料。

公开(公告)号：CN115714143A

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202211478574.0

申请日：2022-11-23

申请人： 吉林大学

发明人： 李柳暗 ,  刘正帅 ,  李根壮 ,  王启亮 ,  李红东 ,  吕宪义 ,  邹广田

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/40 ,  H01L21/329

摘要： 本发明公开了一种肖特基二极管及其制备方法，涉及半导体功率器件技术领域，该肖特基二极管包括重掺杂P型材料的衬底，在衬底的上表面生长的轻掺杂P型材料的漂移层，对漂移层进行刻蚀处理后得到的第一凹槽结构，在第一凹槽结构中沉积形成的N型结构，沉积在漂移层和N型结构上的场板，在衬底的下表面沉积的第一电极，在场板和漂移层上表面沉积的第二电极。本发明通过改变场板和结终端扩展结构的相对空间位置，实现了导通电阻和耐压性能的平衡并获得高的巴利加优值。