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公开(公告)号：CN117713511A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410079715.4
申请日：2024-01-19
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H02M1/08 , H03K17/042 , H03K17/082 , H03K17/12 , H03K17/687 , H02M1/00
Abstract: 本发明涉及一种单电源可调驱动电阻SiC MOSFET驱动电路，包括电源电路、可变栅极电阻驱动电路、以及用于测试目标SiC MOSFET Q5开关特性的双脉冲测试电路，通过在目标SiC MOSFET Q5开通/关断过程的不同阶段切换不同的驱动电阻，提高了目标SiC MOSFET Q5的开通/关断速度，其中在器件开通/关断的漏源电流变化的时期，采用一个电阻对目标SiC MOSFET Q5栅极进行充电和放电，减小器件开通/关断延时，提高电压和电流的上升速率。在器件开通/关断的其余时期增大驱动电阻抑制目标SiC MOSFET Q5开关过程中的电压和电流尖峰和振荡，相比于传统驱动电路，能够在有效抑制电压、电流超调和振荡的同时保持较低的开关损耗，提高目标SiC MOSFET Q5的栅极驱动性能，并且电路结构简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN117614432A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311428545.8
申请日：2023-10-30
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03K17/687 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提出了一种提升体硅LDMOS性能的动态背栅控制系统及体硅LDMOS的制造方法，该系统包括体硅LDMOS，包括栅极金属及背栅金属；动态背栅控制电路，其包括依次电连接的波形产生器、三电平逆变器、负电压转换器及电平转换器；负电压转换器包括负电压输出端和零电压输出端；负电压输出端连接电平转换器的第一输入端，零电压输出端连接电平转换器的第二输入端并接地；电平转换器的第一输出端连接栅极金属，其第二输出端连接背栅金属。本发明具有独立的背栅电极，通过在衍生的背栅电极上施加偏置，诱导界面电荷，调制外延层的电场分布，增加体内漏电端的电场，使其提高击穿电压，又因其漂移区采用重掺杂而具有低的比导通电阻，改进了两者之间的折中关系。
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公开(公告)号：CN117517932A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311844340.8
申请日：2023-12-29
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明属于超大规模集成电路可测性设计领域，公开了一种芯粒间TSV测试电路及测试方法，通过芯粒测试配置电路配置测试路径、测试指令和读写数据寄存器；通过读写数据寄存器组接收测试向量和捕获测试响应；通过TSV阵列测试控制电路控制TSV测试的初始化、测试、捕获操作；通过地址解码电路选择TSV阵列中的待测行；通过测试向量生成电路生成测试TSV所需的测试向量；通过比较电路判断测试TSV是否存在故障；通过TSV接收阵列和TSV发送阵列控制测试向量在TSV上的发送与测试响应的接收。本发明所提出的测试电路满足芯粒间TSV的测试需求，减少了硬件面积的占用，测试过程高度自动化，芯粒测试成本下降。
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公开(公告)号：CN117042471A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310948173.5
申请日：2023-07-31
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种插指结构的共聚物有机反相器及制备方法，包括衬底、2个有机场效应晶体管、电源端、接地端、输出端、输入端和互连线；每个有机场效应晶体管均包括有机半导体层、光刻介质阻挡层、源极、漏极和栅极；源极包括n个源极指节；漏极包括n个漏极指节，n个漏极指节与n个源极指节等距交错插设，且形成2n‑1个源漏间隙；栅极包括布设在源漏间隙正上方的2n‑1个栅极指节。本发明能有效利用光刻介质阻挡层，将光刻引入有机电路的制备，能有效保护有机半导体材料，并能实现在同一基板上集成多个有机场效应晶体管。另外，插指结构能提高电路的导通电流以及减小导通电阻，同时可以很好的降低电路开启电压，降低电路功耗。
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公开(公告)号：CN116634780A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310632181.9
申请日：2023-05-31
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H10K10/46
Abstract: 本发明公开了一种具有电荷柱补偿结构的耐高压LDR‑OFET，包括横向共聚物器件本体和若干个电荷柱；横向共聚物器件本体包括衬底、有机共聚物半导体层、栅介质层、栅极、源极和漏极；位于栅极和漏极之间的有机半导体层形成为有机半导体漂移区；有机半导体漂移区的横向长度L＝5～15μm；若干个电荷柱均匀竖向布设在有机半导体漂移区内，每个电荷柱的顶端均贯穿栅介质层，且与栅介质层顶部相齐平；每个电荷柱的底端均与衬底顶面之间的距离为0.01～0.03μm。本发明通过在有机半导体漂移区及正上方的栅介质层内设置电荷柱的方式，使得有机半导体漂移区内的电荷重构，优化有机半导体漂移区的电场分布，从而能使整个器件的击穿电压超过1200V。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116053302B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310208764.9
申请日：2023-03-07
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明提出了一种基于双SOI结构的背栅辅助RESURF系统及双SOI结构的制造方法，包括双SOI结构和外围背栅自动电压优化控制电路，其中外围背栅自动电压优化控制电路可对双SOI结构的背栅进行电压控制。本发明与传统的RESURF技术相比，在击穿电压不改变的情况下，降低了导通电阻，改进了两者之间的折中关系，同时也提升了双SOI结构的直流、射频以及开关性能。
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公开(公告)号：CN116056468A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310156323.9
申请日：2023-02-23
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于PEDOT:PSS/SiC有机无机异质结的自供电紫外光电探测器及其制备方法，包括衬底；PEDOT:PSS有机层，所述PEDOT:PSS有机层为p型导电，所述PEDOT:PSS有机层附着于所述衬底表面；第一电极，与所述衬底形成欧姆接触；以及，第二电极，与所述PEDOT:PSS有机层形成欧姆接触。本发明可以实现自供电的光电探测模式，即在零偏压下也能完成光信号到电信号的转换响应度大，外量子效率高，制备方法简单，使用成本低。
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公开(公告)号：CN115859103A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211525203.3
申请日：2022-11-30
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F18/214 , G06N20/00
Abstract: 本发明公开了一种用于机器学习训练数据的准线性变换方法，包括步骤1、获取数据集，明确输入X和输出Y，对数据集输入X和输出Y之间的关系进行模拟，获取Y随X的变化形式；步骤2、定义转换函数，该函数可近似模拟输入X与输出Y之间的变化关系；步骤3、优化步骤2中的转换函数，代入输入X进行数据变换，将其转换成Z作为新的模型输入；步骤4、构建新的输入Z和输出Y之间的机器学习模型。本发明通过转换函数对输入数据进行数据变换，使得机器学习模型中的输入与输出呈现准线性化关系，可降低机器学习模型的复杂度，有效提高机器学习模型的模拟精度。
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公开(公告)号：CN115688611A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211703517.8
申请日：2022-12-29
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于半导体器件结构的小空间模型实时训练方法，包括S1：在用户界面确定目标半导体器件结构，将其输入至云端数据库，获取目标半导体器件结构每个参数的数值为X；S2：基于相似性，设置自适应阈值，在云端数据库中自动筛选阈值空间内小空间训练样本数据集；S3：将小空间样本数据集传输至边缘端计算设备，利用机器学习算法，在边缘计算设备实时构建结构到电学性能的预测模型；S4：将边缘端存储的结构X输入步骤3中的模型，输出该器件的电学性能。本发明基于待测结构选取小空间，通过边缘计算实时构建进而利用机器学习算法构建模型，可实现器件结构到电学性能的预测。该方法不仅模型构建速度快，而且精度更高。
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公开(公告)号：CN115660109A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211653150.3
申请日：2022-12-22
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种机器学习模型的训练数据集均匀化处理方法，包括如下步骤：1、确定器件的数据集输入目标结构参数的变化范围；步骤2、根据数据的变化范围，进行数据预处理；步骤3、对预处理后的数据进行均匀化取值；步骤4、对数据集输入目标结构参数进行反预处理；步骤5、根据反预处理后的数据，进行训练数据集的收集；步骤6、建立机器学习模型。本发明通过训练数据集的均匀化处理技术，避免了模型训练过程中潜在的欠拟合和过拟合问题，可优化机器学习模型的应用能力，且该方案构建的模型具有泛化能力强，对随机器件目标结构参数的电学性能预测准确率高等优点。
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