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公开(公告)号：CN106050592A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610599707.8
申请日：2016-07-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
CPC classification number: F03H1/0031
Abstract: 霍尔推力器散热支架，属于霍尔推力器领域，本发明为解决大功率下霍尔推力器整体或者局部过热问题。本发明包括散热环、径向散热底沿、m个导热支撑肋板、放电通道安装环面和n个隔热块；散热环为中心线轴向延伸的圆环结构，散热环的底端设置有向外折痕的径向散热底沿，径向散热底沿的下表面沿周向均匀设置有n个隔热块，且每个隔热块均设置有穿透径向散热底沿的底板安装孔；放电通道安装环面与散热环同轴设置，放电通道安装环面通过沿周向均布的m个导热支撑肋板与散热环的内侧壁连接；相邻两个导热支撑肋板之间的径向孔洞为安装外励磁线圈和外磁屏提供空间；导热支撑肋板与散热环顶端的轴向距离为散热环轴向高度的1/7～1/5。
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公开(公告)号：CN105928283A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610265051.6
申请日：2016-04-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于蓄水池储冷的间接空冷系统，具体涉及一种基于蓄水池储冷的间冷机组空冷系统，以解决夏季白天与夜晚空气存在较大温差，白天环境温度过高导致空冷机组背压易超限，空冷机组安全性降低，且晚间空气温度较低、机组负荷率较低导致空冷塔冷却能力未利用的问题，它包括凝汽器、循环水泵、空冷塔、蓄水池、散热器和凝结水泵；通过在白天温度相对较高时利用通过蓄水池存储的晚间低温循环水，实现了晚间的冷能在白天的利用。本发明用于间接空冷机组。
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公开(公告)号：CN103678940B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201310749932.1
申请日：2013-12-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F19/00
Abstract: 基于有效湍流强度瞬时模型的风速波动不确定性估计方法。涉及基于有效湍流强度瞬时模型的风速波动不确定性估计方法。为解决以现有理论模型为基础的风速波动的不确定性估计方法，在风速小的区域和风速大的区域均给出相同宽的误差带，存在过大的预报误差，既不符合实际情况也不能用于帮助电网制定合理的调度计划的问题，本发明通过Mallat小波分解和重构算法得到湍动残差的瞬时标准差，并根据平均风速，利用有效湍流强度模型拟合，实现了对风速波动的不确定性估计。本发明用于风电场功率预测，从而帮助电网制定合理的调度计划，确定旋转备用，安全经济地保证电网的运行。
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公开(公告)号：CN105834175A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610251732.7
申请日：2016-04-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: B08B9/027 , B08B2209/027 , F03H1/0087
Abstract: 霍尔推力器放电通道污染膜自清洗方法，涉及一种霍尔推力器放电通道的清洗方法。为了解决现有的霍尔推力器自清洗方法适用性差的问题。包括：首先，在自清洗电源的作用下，阳极向气体分配器运动的电子与从气体分配器注入的推进剂的原子发生碰撞，产生电离，生成自清洗离子；然后，控制内线圈或外线圈单独励磁形成磁场，所述自清洗离子在由内线圈或外线圈形成的磁场作用下，轰击放电通道的外壁面或内壁面，清除附着在放电通道的外壁面或内壁面的污染膜，实现放电通道污染膜的自清洗。无需拆解推力器对放电通道9内壁面和外壁面上附着的污染膜进行清洗。
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公开(公告)号：CN105736273A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610221522.3
申请日：2016-04-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: F03H1/0081 , H01F7/00
Abstract: 一种大高径比霍尔推力器的磁路结构，属于航天电推进技术和等离子体技术领域，本发明为解决霍尔推力器保持体积不增加的情况下，为了增大放电通道高径比存在磁路结构设计不理想的问题。本发明包括上磁极板、下导磁底板、内铁芯、外导磁罩和磁屏；外导磁罩的上边沿设置环形结构的上磁极板；下导磁底板的上表面中心位置设置有圆柱形结构的内铁芯；磁屏包括外磁屏、内磁屏和磁屏底座；外磁屏为圆筒型结构，磁屏底座为圆环形平板结构，内磁屏为向下开口的喇叭型结构，内磁屏的喇叭小口端与内铁芯的侧壁之间存在间隙，内磁屏的喇叭大口端固定在磁屏底座的内环端，磁屏底座的外环端固定在外导磁罩的内侧壁上；外磁屏的下边沿固定在磁屏底座的环面上表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105736272A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610153168.5
申请日：2016-03-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
CPC classification number: F03H1/0081
Abstract: 一种小功率会切磁场等离子体推力器的变截面通道结构，涉及会切磁场等离子体推力器领域。本发明是为了解决现有会切磁场等离子体推力器在小功率工况下，通流密度较低时电离不足导致性能下降，而通流密度较高时等离子体与壁面作用加剧同样导致性能下降的问题。该通道由陶瓷通道和永磁铁构建，陶瓷通道为一体件结构，分为通道上游部分和通道下游部分两段，从通道上游部分到通道下游部分渐扩的通道结构，陶瓷通道的外壁面用于与永磁铁内壁面实现间隙配合。该结构提高上游电离区的原子密度和电离率，同时电离产生的离子加速喷出过程中降低了与通道壁面作用，延长推力器寿命。它用于会切磁场等离子体推力器小功率工况下。
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公开(公告)号：CN103835905B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201410074742.9
申请日：2014-03-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 多级会切磁场等离子体推动器的变截面通道，本发明属于会切磁场等离子体推动器领域，尤其涉及会切磁场等离子体推动器的变截面通道。本发明是为了解决现有会切磁场等离子体推动器直通道壁面容易出现气体工质逸漏的问题。等离子体推动器的陶瓷通道内侧壁沿陶瓷通道的轴向方向嵌固有n个圆环形的凸台，n个凸台的内侧壁均为圆柱面，或n个凸台的轴向截面的内侧壁均呈拱形，其中n为正整数，本发明通过在通道内部增加凸台来改变截面，使等离子体推动器的陶瓷直通道壁面呈现出变截面的形式，这就使得气体工质在壁面处能够充分电离，防止壁面气体逸漏，从而消除出口可能存在的二次羽流。本方发明适用于会切磁场等离子体推动器中。
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公开(公告)号：CN105652832A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201511022188.0
申请日：2015-12-29
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 内蒙古蒙达发电有限责任公司 , 南京遒涯信息技术有限公司
IPC: G05B19/418
CPC classification number: Y02P90/02 , G05B19/41865 , G05B2219/32252
Abstract: 本发明是基于空冷机组三维滑压曲线二维设计的DCS系统及其应用方法，具体涉及火力发电领域。本发明为了解决现有技术DCS系统中滑压运行模块未考虑背压变化的滑压曲线设计造成空冷机组未在最佳工况下工作，导致热损耗偏差较大的问题，进而提出了基于空冷机组三维滑压曲线二维设计的DCS系统及其应用方法。本发明基于空冷机组三维滑压曲线二维设计的DCS系统包括：用于输入负荷值的输入模块；用于滑压运行曲线的运算模块；用于输入背压，修正滑压和限幅主蒸汽压力的叠加模块；用于输出最优主蒸汽压力的输出模块。本发明系统的应用方法是基于空冷机组三维滑压曲线二维设计的DCS系统获得最优主蒸汽压力。本发明适用于火力发电。
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公开(公告)号：CN103790794B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410074568.8
申请日：2014-03-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 多级会切磁场等离子体推力器用辐射散热装置，它涉及一种辐射散热装置，以解决多级会切磁场等离子体推力器的阳极温度较高，以及出口处的高温和陶瓷内壁由于粒子的碰撞引起的磁分界面处高温，这些造成推力器通道内壁和阳极受热短时间内急剧增强，这些热量传导严重影响了永磁铁的磁性，以及推力器工作稳定性和可靠性差、使用寿命短的问题，它包括散热圆筒、散热板、两个散热锥筒和两个散热器，推力器壳体布置在两个散热锥筒之间，推力器壳体的上部和下部分别套装有一个所述散热器，推力器壳体上套装有散热板，散热板位于两个散热器之间，散热圆筒的封闭端与推力器壳体固接。本发明用于多级会切磁场等离子体推力器。
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公开(公告)号：CN103775297B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410075274.7
申请日：2014-03-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F03H1/00
Abstract: 多级尖端会切磁场等离子体推力器分段陶瓷通道，涉及等离子推进领域。它是为了解决多级尖端会切磁场等离子体推力器出口区羽流震荡,羽流发散角较大，陶瓷通道壁面温度过高,电离率较的问题。本发明陶瓷通道前段为挡板式结构，减小电子对推力器前端面腐蚀，同时与出口永磁铁构成磁回路，具有一定屏蔽作用，减小出口羽流区的磁场强度，电子更容易进入通道进行电离，电势降集中在出口磁分界面，减小羽流发散角；中段氮化硼陶瓷具有较低二次电子发射系数，电子温度较高，电离率较高；近阳极区后段隔热陶瓷减少了通道对阳极热量吸收，阳极热量通过阳极底面导热散出，减少了对永磁铁的散热，避免永磁铁因温度过高而退磁。本发明适用于等离子推进领域。
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