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公开(公告)号：CN118146802A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410129819.1
申请日：2024-01-31
Abstract: 本发明涉及一种硒掺杂碲化汞胶体量子点合成方法及其应用，所述合成方法包括以下步骤：将卤化汞加入到油胺中，得到卤化汞的油胺络合溶液；向该溶液中快速注入三正辛基碲膦和油胺硒脲的混合前驱体溶液，使混合前驱体与卤化汞反应生成硒掺杂碲化汞胶体量子点。本发明合成方法通过简单的一步法合成了硒掺杂碲化汞胶体量子点，大大简化了碲化汞胶体量子点合成门槛，使其更可控、更快捷、更廉价。
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公开(公告)号：CN117488288A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311338798.6
申请日：2023-10-17
IPC: C23C18/12
Abstract: 本发明提供了一种Ⅳ‑Ⅵ族半导体薄膜及其制备方法，将A溶于有机极性溶剂形成第一溶液，B溶于有机极性溶剂形成第二溶液，将第一溶液和第二溶液混合后得到前驱体溶液，或者将A和B混合后溶于有机极性溶剂中得到前驱体溶液，A为Ⅳ族化合物，B为Ⅵ族化合物；将基片放入所述前驱体溶液中，通过化学浴沉积反应过程在第一温度下进行薄膜生长，得到所需厚度的所述半导体薄膜。本发明直接将基片放在Ⅳ族化合物、Ⅵ族化合物的溶液中，在适宜温度下即可生长半导体薄膜；相比于溶液化学原位反应合成的薄膜，工艺简单、便利、可大面积制备半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN116639665A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202211093989.6
申请日：2022-09-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请提供一种吸收带边尖锐的四足状HgTe量子点合成方法，该吸收带边尖锐的四足状HgTe量子点合成方法，包括：制备第一预设浓度的碲源溶液；制备第二预设浓度的汞前驱体溶液；利用注射泵向汞前驱体溶液按照预设注射速率注入预设体积的碲源溶液，得到量子点溶液；将量子点溶液反应生长预设时长后获得四足状HgTe量子点。本申请通过简单的注射泵泵入的方式合成HgTe量子点，注入速率、注入时间等工艺条件可控、合成工艺重复性高。
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公开(公告)号：CN115411189A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210991162.0
申请日：2022-08-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种量子点红外探测器及其制备方法，所述量子点红外探测器包括：底电极层、电子阻挡层、p型层、有源层、电子运输层、强n型层、顶电极层，所述的量子点红外探测器的结构方式为由下到上依次为底电极层、电子阻挡层、p型层、有源层、电子运输层、强n型层、顶电极层。所述的量子点红外探测器制备方法，包括制备电子阻挡层、制备p型层、制备有源层、制备电子传输层、制备n型层、制备顶电极层。所述的量子点红外探测器可将红外探测器波段拓展至1700nm范围，截止区域达到1900nm，极大提升了探测范围，在短波红外光探测领域有着良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115161010A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210801538.7
申请日：2022-07-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: C09K11/02 , C09K11/56 , C09K11/88 , C09K11/66 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L31/0352 , H01L31/08
Abstract: 本申请提供一种离子型量子点的提纯方法和量子点薄膜制备方法，采用长链型量子点溶液和配体前驱体溶液制备含有配体前驱体杂质的第一离子型量子点粉末；向承载有所述第一离子型量子点粉末的容器中加入提纯剂；摇晃或震荡容器，以使提纯剂与配体前驱体杂质充分作用；丢弃已作用的提纯剂，向容器再次加入提纯剂，直至加入提纯剂后溶液不变色；对提纯后的第一离子型量子点粉末进行真空干燥处理，得到不包含配体前驱体杂质的第二离子型量子点粉末。本申请的提纯方法可以有效地去除残留的配体前驱体，减小量子点的间距，增加量子点薄膜的迁移率，提升量子点光电转换器件的光响应性能；此外，经提纯后的量子点薄膜质量、致密度、均匀性均有明显提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110579526B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201910829431.1
申请日：2019-09-03
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管气体传感器及其阵列制备方法，该场效应晶体管(FET)气体传感器为量子点修饰栅电极的栅敏FET气体传感器，其栅敏电极层(5)为两层复合结构或由复合材料构成的单层结构，其中，两层复合结构包括金属薄膜层和沉积在该金属薄膜层表面上的量子点层；由复合材料构成的单层结构具体是由量子点与金属或类金属材料组合的复合材料构成的单层结构。本发明通过对栅敏FET其内部组成及结构、相应制备方法等进行改进，以量子点同时作为栅极和气体敏感层，利用量子点栅敏电极对不同气体的吸附特性来调控栅极偏压以及沟道调制效应，能够得到高灵敏、低功耗和高选择性的室温气体传感器，达到检测低浓度目标气体(如H2)的效果。
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公开(公告)号：CN111423869A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010203444.0
申请日：2020-03-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于晶面控制抑制量子点表面缺陷态的方法，属于化合物半导体纳米材料制备技术领域。将铅前驱物溶液加热至40℃～70℃，然后快速注入浓度为0.6mol/L～0.8mol/L的硫源或硒源溶液；再缓慢滴加浓度为0.1mol/L～0.2mol/L的硫源或硒源溶液，再加入配体，随后加入反溶剂至溶液变浑浊后离心，沉淀即为有配体包裹的体心四方晶格结构的硫化铅量子点、硒化铅量子点、硫化铅/硒化铅核壳量子点或硒化铅/硫化铅核壳量子点；铅前驱物的物质的量大于加入的硫源或硒源的物质的量之和；整个反应均在保护性气体下进行。本发明最终产物能够有效缓解{100}晶面的暴露情况，避免氧气及水分的入侵，表面缺陷态少，在空气中稳定性好。
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公开(公告)号：CN110568692B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201910816511.3
申请日：2019-08-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/19
Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料及量子点的显示器件，包括显示单元，所述显示单元包括多色量子点背光源和相变滤波器，所述多色量子点背光源包括基底和多色量子点发光组件，该多色量子点发光组件设置在该基底的上表面上，以用于发射复色光；所述相变滤波器包括从下至上依次设置的隔离层、第一F‑P谐振腔、相变材料层和第二F‑P谐振腔，在相变材料层上施加电压进行电刺激或照射激光进行激光刺激，利用所述相变材料层在非晶态和晶态之间相互转化时的透射率变化来对多色量子点发光组件发出的复色光进行过滤，从而获得所需波长和强度的单色光，进而实现色彩的显示。本发明能实现颜色的调制，能透过15％以上的一定波长可见光，有效提高透光比例。
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公开(公告)号：CN110797419A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911035464.5
申请日：2019-10-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于偏振相关窄带探测器领域，具体涉及一种叉指电极结构偏振相关窄带探测器、其制备和应用。自下而上包括衬底、金属背板、二氧化硅层、叉指电极结构阵列层以及胶体量子点层；其中所述叉指电极结构阵列层由若干个叉指电极单元结构纵横排列构成，所述叉指电极单元结构包括中空结构以及中空结构两侧的条形金属，所述中空结构包括两端的中空条形结构以及中间的中空增宽结构。叉指电极结构阵列上产生的局域表面等离激元共振效应与谐振腔的共同作用使得特定波长光能量逐渐被转化吸收殆尽，由探测材料胶体量子点转化为电信号，提高该偏振相关窄带探测器对光的吸收率。
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公开(公告)号：CN110568692A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910816511.3
申请日：2019-08-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/19
Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料及量子点的显示器件，包括显示单元，所述显示单元包括多色量子点背光源和相变滤波器，所述多色量子点背光源包括基底和多色量子点发光组件，该多色量子点发光组件设置在该基底的上表面上，以用于发射复色光；所述相变滤波器包括从下至上依次设置的隔离层、第一F-P谐振腔、相变材料层和第二F-P谐振腔，在相变材料层上施加电压进行电刺激或照射激光进行激光刺激，利用所述相变材料层在非晶态和晶态之间相互转化时的透射率变化来对多色量子点发光组件发出的复色光进行过滤，从而获得所需波长和强度的单色光，进而实现色彩的显示。本发明能实现颜色的调制，能透过15％以上的一定波长可见光，有效提高透光比例。
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