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公开(公告)号：CN118146802A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410129819.1
申请日：2024-01-31
Abstract: 本发明涉及一种硒掺杂碲化汞胶体量子点合成方法及其应用，所述合成方法包括以下步骤：将卤化汞加入到油胺中，得到卤化汞的油胺络合溶液；向该溶液中快速注入三正辛基碲膦和油胺硒脲的混合前驱体溶液，使混合前驱体与卤化汞反应生成硒掺杂碲化汞胶体量子点。本发明合成方法通过简单的一步法合成了硒掺杂碲化汞胶体量子点，大大简化了碲化汞胶体量子点合成门槛，使其更可控、更快捷、更廉价。
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公开(公告)号：CN115477947A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210996542.3
申请日：2022-08-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种汞基硫属化合物量子点及其制备方法、传感器。所述方法包括：在第一溶剂中加入汞盐，得到第一混合物；在所述第一混合物中加入有机磷和镉基硫属化合物量子点溶液，得到第二混合物；在所述第二混合物中加入第二溶剂，得到汞基硫属化合物量子点。本发明通过简单的固‑液界面反应制备出单分散、优异光学性质、高品质汞基硫属化合物量子点，较传统的合成工艺，本发明工艺简单可控，且产率较高，可大规模制备，在生物成像、红外光电器件等领域有广泛应用前景。
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公开(公告)号：CN115477947B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202210996542.3
申请日：2022-08-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种汞基硫属化合物量子点及其制备方法、传感器。所述方法包括：在第一溶剂中加入汞盐，得到第一混合物；在所述第一混合物中加入有机磷和镉基硫属化合物量子点溶液，得到第二混合物；在所述第二混合物中加入第二溶剂，得到汞基硫属化合物量子点。本发明通过简单的固‑液界面反应制备出单分散、优异光学性质、高品质汞基硫属化合物量子点，较传统的合成工艺，本发明工艺简单可控，且产率较高，可大规模制备，在生物成像、红外光电器件等领域有广泛应用前景。
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公开(公告)号：CN105735314B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201610268698.4
申请日：2016-04-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电磁打桩装置，包括基座、地面线圈组、桩体、夹桩机构和桩体线圈组。本发明利用线圈组之间产生的电磁排斥/吸引力，可完全替代传统打桩中所产生的冲击力/静压力；通过设计不同的电流波形实现对电磁打桩力的灵活控制，从而达到最佳的打桩效果；通过电流波形选择，可提高单次打桩速度，提升打桩效率，对周围土体的振动和影响较小。在此基础上，本发明提出一种电磁打桩方法以及一种电磁拔桩方法。本发明无污染，低噪声，安装方便，施工简单，适应性和可扩容性强，安全系数高，不受土质和桩类型影响，特别适合城市施工和夜间施工需要，尤其是建筑物密集处、高层建筑、狭小空间建筑物的桩基础工程。
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公开(公告)号：CN119947542A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510040031.8
申请日：2025-01-10
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司 , 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种小尺寸碲化汞薄膜及其制备方法、短波红外探测器，该小尺寸碲化汞薄膜及其制备方法包括：在无水无氧环境中,将卤化汞与DMF、ME、BTA混合震荡，得到混合交换液；在无水无氧环境中,将CdTe量子点溶液加入混合交换液并进行震荡，发生阳离子交换反应产生碲化汞量子点溶液；在无水无氧环境中,使用清洗剂与反溶剂对碲化汞量子点溶液进行清洗提纯，离心后加入分散剂制备成碲化汞量子点浆料；在无水无氧环境中,将碲化汞量子点浆料旋涂，制备出小尺寸碲化汞薄膜。本申请能够提高碲化汞薄膜的质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119931631A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510040127.4
申请日：2025-01-10
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司 , 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及一种金掺杂碲化汞胶体量子点的合成方法及红外光探测器，金掺杂碲化汞胶体量子点的合成方法包括以下步骤：制备汞前驱体溶液和碲前驱体溶液；向所述汞前驱体溶液注入所述碲前驱体溶液，配制成碲化汞量子点溶液；在所述碲化汞量子点溶液中加入氯金酸溶液，从而得到所述金掺杂碲化汞胶体量子点。本发明合成方法通过后处理的溶液法合成了金掺杂碲化汞胶体量子点，大大简化了碲化汞胶体量子点合成门槛，使其更可控、更快捷、更廉价。
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公开(公告)号：CN118738173A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410800929.6
申请日：2024-06-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/115 , H01L31/0296 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种硫汞族胶体量子点短中红外探测器，依次包括：衬底、底电极、共混型量子点层、硫汞族量子点层、薄膜层和顶电极；其中，所述共混型量子点层与硫汞族量子点层用于形成n‑on‑p型PN结；所述底电极、顶电极用于连接正、负电荷，使电流导通；所述薄膜层用于对所述硫汞族量子点层进行缓冲、保护。本公开实施例通过将共混型量子点层与硫汞族量子点层形成顶部透光的基于n‑on‑p型PN结的硫汞族量子点器件，在短中波红外具有光电探测性能好及应用成本低的优点。
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公开(公告)号：CN115657303B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202211218465.5
申请日：2022-10-06
Applicant: 华中科技大学 , 杭州海康威视数字技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种双级联超构透镜的设计方法及长波红外超构透镜成像系统，属于透镜与微纳光子学领域，方法包括：利用严格耦合波分析法，计算不同半径的柱状结构单元在长波红外特征波长入射时引入的相位突变、以及在长波红外的色散分布，得到多组半径‑相位突变‑色散分布，以组成柱状结构单元库；以令双级联超构透镜可对入射光线进行波前调控以及校正入射光线的高级像差为目标，确定超表面六方晶格周期阵列的目标相位分布；根据目标相位分布，以同一超表面中各六方晶格的色散分布一致性最高为目标，从选取的结果中确定每一六方晶格处柱状结构单元的半径。采用特殊的色散设计方式，使超构光学元件用于红外大口径成像应用领域。
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公开(公告)号：CN117800397A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311872452.4
申请日：2023-12-29
Applicant: 华中科技大学 , 杭州海康威视数字技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种制备氧化钨半导体气敏材料的方法及其传感器，属于传感器领域，先将钨的前驱体溶解在溶剂中，得到清澈透明的溶液，再向清澈透明的溶液中加入增敏材料前驱体，获得均匀的混合溶液，将混合溶液置于反应器中，然后离心分离获得固体反应物，将固体反应物清洗后烘干，接着，将金属纳米颗粒溶解在去离子水中，将单原子金属增敏处理的氧化钨半导体气敏材料加入其中反应，采用离心分离收集产物，将产物清洗后干燥，获得单原子和金属纳米颗粒两者同时增敏处理的双功能位点氧化钨半导体气敏材料。本发明还提供制备如上气敏材料的方法以及气体传感器。本发明能解决现有的氧化物半导体气体传感响应迟缓、相应弱以及稳定性不足的问题。
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公开(公告)号：CN118738173B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202410800929.6
申请日：2024-06-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10F77/14 , H10F30/29 , H10F77/123 , H10F71/00
Abstract: 本发明公开了一种硫汞族胶体量子点短中红外探测器，依次包括：衬底、底电极、共混型量子点层、硫汞族量子点层、薄膜层和顶电极；其中，所述共混型量子点层与硫汞族量子点层用于形成n‑on‑p型PN结；所述底电极、顶电极用于连接正、负电荷，使电流导通；所述薄膜层用于对所述硫汞族量子点层进行缓冲、保护。本公开实施例通过将共混型量子点层与硫汞族量子点层形成顶部透光的基于n‑on‑p型PN结的硫汞族量子点器件，在短中波红外具有光电探测性能好及应用成本低的优点。
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