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公开(公告)号：CN110416333B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910625116.7
申请日：2019-07-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/0203 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于微纳制造相关技术领域，其公开了一种紫外光电探测器及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：(1)采用光刻套刻工艺和蒸发镀膜工艺在带有氮化硅绝缘层的硅基底上制备电极层；(2)在电极层上制备紫外探测薄膜，所述紫外探测薄膜是Mn掺杂CsPbBr3xCl3(1‑x)紫外探测薄膜，其是通过在所述电极层上依次蒸镀PbCl2层、CsBr层、CsCl层和MnCl2层而形成的；其中，x为0.05～0.1；(3)采用滴涂方式在所述紫外探测薄膜上制备封装保护层，以将所述紫外探测薄膜进行封装，由此得到所述紫外光电探测器。本发明的成本更低且更易得，制备工艺更简单，光吸收系数更高，载流子传输更快速，适用性较强。
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公开(公告)号：CN111403605A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010195870.4
申请日：2020-03-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微纳制造相关技术领域，其公开了一种自供能钙钛矿光电探测器及其制备方法，所述光电探测器包括玻璃基底、CsPbIBr2光敏薄膜、PMMA修饰层及Ag电极层，所述玻璃基底包括基底及设置在所述基底上的ITO导电层，所述CsPbIBr2光敏薄膜设置在所述ITO导电层上；所述PMMA修饰层设置在所述CsPbIBr2光敏薄膜远离所述ITO导电层的表面上，所述Ag电极层设置在所述PMMA修饰层远离所述CsPbIBr2光敏薄膜的表面上。本发明的生产成本和工艺复杂性相较其他钙钛矿光电探测器更；且PMMA修饰层的引入有利于进一步钝化CsPbIBr2光敏薄膜的缺陷，提高载流子传输速率及减少不利的非辐射复合损失，从而提高光电探测器的灵敏度和响应速率。
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公开(公告)号：CN110422818A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910680395.7
申请日：2019-07-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于传感器技术领域，并具体公开了一种基于超亲水层的复合微纳结构传感器的制备方法及产品。所述方法包括：采用溶液法在传感基底的上表面生长制备超亲水微纳米结构并以此作为超亲水层；将配置好的敏感材料分散液采用定量滴涂的方式滴涂到制备于传感基底上表面的所述超亲水层上，从而敏感材料分散液对所述超亲水层在咖啡环区域以内的超亲水微纳米结构形成均匀包覆；将包覆有敏感材料的超亲水纳米层进行浸泡和烘干。所述产品为采用该制备方法制备得到的传感器。本发明所制备的传感器具有敏感材料层包覆均匀、结构稳定、灵敏度高以及机械结构性能强的特点，因而尤其适用于石英晶体微天平的应用场合。
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公开(公告)号：CN109378384B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201811133721.4
申请日：2018-09-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微纳制造与光电子器件相关技术领域，其公开了一种硫化钼钙钛矿复合柔性光探测阵列器件及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：(1)采用化学气相沉积工艺制备连续硫化钼薄膜；(2)将连续硫化钼薄膜刻蚀成多个硫化钼薄膜块以形成硫化钼薄膜方形阵列，并在每个硫化钼薄膜块上制备金属对准标记；(3)将所述硫化钼薄膜方形阵列及所述金属对准标记同步转移至柔性基底表面上；(4)在所述硫化钼薄膜的表面制备金属电极，并在所述硫化钼薄膜方形阵列的外侧形成疏水层；(5)将钙钛矿溶液涂覆在所述硫化钼薄膜的表面以形成钙钛矿薄膜阵列，并进行封装，直至制备完成。本发明提高了质量，灵活性及稳定性较好，响应速度快。
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公开(公告)号：CN107731939A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710867913.7
申请日：2017-09-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0224 , G02F1/1343 , G03F7/00 , G06F3/041 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/022466 , G02F1/13439 , G03F7/00 , G06F3/041 , G06F2203/04103
Abstract: 本发明属于微钠制造相关技术领域，其公开了基于光衍射的柔性透明碳电极制备方法，该方法包括以下步骤：(1)提供基底，并在所述基底上旋涂一层负性的光刻胶；(2)将掩膜设置在所述光刻胶上，并进行曝光处理，所述掩膜上设置有网格图形，所述网格图形呈矩形，其四个角部分别连接有大尺寸图形；(3)采用显影液对曝光后得到的样品进行显影后，再进行清洗以得到光刻胶悬浮网格；(4)将步骤(3)得到的样品在保护气体氛围下进行热解，并进行剥离以得到独立的整片碳网格结构，即柔性透明碳电极。本发明通过一次曝光即可获得光刻胶悬浮网格，工艺简单，参数容易控制，成品率较高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106449627A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610948352.9
申请日：2016-10-26
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02E60/13 , Y02P70/521 , H01L25/167 , B82Y40/00 , H01G11/08 , H01G11/32 , H01G11/86 , H01L35/325 , H01L51/0021 , H01L51/441
Abstract: 本发明属于微型能量转化与储存器件技术领域，具体公开了一种钙钛矿太阳能电池集成器件及其制备方法，该集成器件包括从上至下依次设置的钙钛矿太阳能电池、温差发电片和超级电容器；钙钛矿太阳能电池包括从上至下依次设置的导电基底、光阳极、钙钛矿光敏层及碳对电极；温差发电片设置在所述钙钛矿太阳能电池与超级电容器之间，温差发电片与钙钛矿太阳能电池通过串联方式实现电性连接；超级电容器设置在温差发电片的冷面层上。本发明还公开了上述钙钛矿太阳能电池集成器件的制备方法。本发明的集成器件结构简单，光电转化效率高，且电能存储量大、存储和输出十分稳定，还具备制作方便，成本低廉，适合大面积工业化生产的优点。
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公开(公告)号：CN103219418B
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201310099378.7
申请日：2013-03-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/0336
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于TiO2/ZnO纳米异质复合结构的紫外光探测器结构，其最底层为基底材料，其上为叉指电极，并覆盖一层ZnO薄膜，薄膜之上为ZnO纳米棒，纳米棒表面为TiO2纳米结构。本发明还公开了所述紫外光探测器的制备方法：（1）在基底薄片上镀上金属电极形成叉指电极；（2）镀上ZnO薄膜；（3）合成ZnO纳米棒阵列；（5）在ZnO纳米棒表面形成TiO2纳米结构。本发明的紫外光探测器在保持ZnO紫外探测器超高光电流增益的同时引入TiO2纳米结构，形成异质结能够消除ZnO表面氧空穴陷阱态的影响，同时加快载流子分离减少复合，必然显著提高探测器的灵敏度和光电流增益，此外TiO2的包裹将显著提高探测器的化学稳定性。
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公开(公告)号：CN103996542A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410162535.9
申请日：2014-04-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01G9/20
Abstract: 本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺，包括步骤：1)在洁净硅片上热生长一层SiO2薄膜、2)在有SiO2层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的SiO2，将光刻的图形转移到SiO2层、4)镀Cu膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的Cu、6)生长Si微米线阵列、7)在Si微米线表面镀一层ZnO膜、8)在Si微米线表面生长ZnO纳米线、9)在ZnO纳米线表面制备一层CdS薄膜、10)在ZnO/CdS结构表面沉积一层CdSe薄膜、11)在ZnO/CdS/CdSe结构表面沉积IrOx量子点。本发明提供的这种微纳分级结构制造工艺用在光电化学太阳能电池光阳极的应用中，有利于光吸收和光生载流子的分离、收集和传输，为光电化学太阳能电池光阳极微纳结构的设计与制造提供一种解决方案。
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公开(公告)号：CN102447011B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110421633.6
申请日：2011-12-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于制造太阳能电池光阳极的方法及其产品，该方法包括：(1)在单晶硅片上涂布光刻胶并通过光刻将掩膜上的微尺度图案进行转移；(2)通过镀膜工艺镀上银膜；(3)清洗以去除光刻胶；(4)采用氟化氢和H2O2的混合溶液作为刻蚀剂进行金属催化刻蚀，由此形成微柱或微孔结构；(5)对单晶硅片上残留的金属银膜进行清洗处理；(6)采用氟化氢和AgNO3的混合溶液作为刻蚀剂再次进行金属催化刻蚀，由此形成纳米线结构；以及(7)清洗硅片，去除第二次刻蚀过程所形成并残留在硅片表面的银。按照本发明，可以获得纳米线和微孔或微柱阵列相结合的微纳结构，并具备高效率、低成本，适宜太阳能电池大批量生产的特点。
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公开(公告)号：CN101614930A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910063263.6
申请日：2009-07-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/39
Abstract: 本发明提供了一种太赫兹波参量振荡器频率调谐方法，通过连续改变太赫兹波参量振荡器的泵浦波长，而不需改变泵浦光的入射角度，就可实现相干窄带的太赫兹波高精度的连续调谐输出。本发明频率调谐精度高(尤其是在长波长部分)，能够克服角度调谐技术中由于三波互作用区间的变化所导致太赫兹波参量振荡器振荡特性的改变，并且将本发明与角度调谐技术相结合，可以显著扩展太赫兹波参量振荡器的频率调谐范围，有望达到远小于1THz的低频区域，这是单独使用角度调谐技术所难以达到的。基于此调谐技术的太赫兹波参量振荡器，可广泛用于医学诊断、精细光谱分析、生物医学成像、太赫兹通讯等太赫兹光电子技术领域。
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