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公开(公告)号：CN116332226A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211489280.8
申请日：2022-11-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: C01G19/02 , C01B21/082 , G01N33/00
Abstract: 本发明属于半导体氧化物技术领域，更具体地，涉及用于低温下检测H2S气体的复合材料及其制备和应用。本发明首先制备Sb掺杂SnO2微球的前驱体，然后与具有网状结构的g‑C3N4混合研磨后煅烧，得到本发明用于低温检测硫化氢气体的复合材料。其中g‑C3N4的网状结构具有较大的表面积，容易将疏松多孔ATO微球包裹住，在煅烧过程中二者紧密接触，生成的ATO@n‑CN复合材料可以形成异质结，在紫外光的照射下，可以显著提高光生载流子的分离和转移效率，因此可以生成更多的光生电子与复合材料表面的物理吸附氧分子结合，形成更多的高活性化学吸附氧离子，从而可以与更多的H2S气体发生反应，使气敏性能提升。
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公开(公告)号：CN112666236A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202010307875.1
申请日：2020-04-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N27/327
Abstract: 本发明属于电化学传感器领域，公开了一种传感器集成芯片及其制备，该电化学传感器集成芯片，包括位于晶圆级半导体基底上的参考电极和对电极，在参考电极和对电极上各设置有绝缘层，外延硅层则外延沉积在绝缘层上；该外延硅层的一端位于参考电极的上方，另一端位于对电极的上方；半导体基底与外延硅层包围形成内部中空结构，该中空结构用于作为电解液腔容纳电解液；外延硅层上还开设有孔洞，在该外延硅层的表面及孔内壁上自内向外均依次沉积有工作电极绝缘层、工作电极层和隔膜层；孔洞与电解液腔相连通。本发明通过采用Surface MEMS(表面微机械)工艺在半导体基底(如硅基晶圆)上实现规模制备电流型电化学传感器，降低传感器成本，提高普及率。
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公开(公告)号：CN110512273B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910724860.2
申请日：2019-08-07
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于晶体生长特殊工艺处理领域，涉及一种提高单晶结晶质量的方法，更具体地，涉及一种提高溴铅铯单晶结晶质量的方法。本发明在现有的采用垂直熔体法生长溴铅铯单晶的方法基础上，针对其存在的晶体成分偏析、结晶质量不佳的技术问题，提出在晶体生长之前，对单晶原料容器所在的生长区增加设置自上而下逐渐升高的温度梯度，促进熔融态单晶原料成分的对流，增加该熔体的均匀性及结晶过冷度，进而提高溴铅铯单晶结晶质量。
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公开(公告)号：CN109761602B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910153087.9
申请日：2019-02-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低阻热敏陶瓷材料及制备方法与应用，属于电子陶瓷元件技术领域。该热敏陶瓷材料的主要成分的化学式为((Bi0.5Q0.5)xBam‑x)TiO3；其中Q为碱金属元素Na或K；其中m的取值范围为1≤m≤1.007，x的取值范围为0.001≤x≤0.007。制备方法为将钛酸铋钠或钛酸铋钾陶瓷粉末与碳酸钡粉末、二氧化钛粉混合后进行煅烧，再依次通过流延、叠片、压片和切片，得到成型生坯；将成型生坯在温度大于等于280℃条件下分解流延过程中混入的有机物，再在还原气氛中煅烧，得到陶瓷块体；再将陶瓷块体再在含氧气氛中煅烧。本发明方法制得的片式钛酸钡基热敏陶瓷具有极低的室温电阻率，较高的升阻比，较高的温度系数。
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公开(公告)号：CN108546114B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201810346749.X
申请日：2018-04-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01C7/10 , C04B35/468 , C04B35/626 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种宽温区负温度系数热敏陶瓷材料及其制备方法，其中负温度系数热敏陶瓷材料的原材料组成包括BaTiO3、TiO2、M1O、M2O、M3O、M4O以及M5O，M1为Sm、Nd、Y、La、以及Nb中至少1种元素；M2为Si、Al、以及Ti中的至少2种元素；M3为Sr、以及Pb中的至少1种元素与Ca元素的组合；M4为Sb、以及Bi中的至少1种元素；M5为Na、K、以及Li中的至少1种元素。本发明通过对陶瓷材料关键的组成成分，相应制备方法的整体流程工艺、各个反应步骤的条件参数进行改进和进一步优选，通过对钛酸钡基半导体热敏陶瓷进行掺杂改性，能够获得钛酸钡基、测量温区达300度以上的宽温区NTC热敏陶瓷材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109206135B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201811135337.8
申请日：2018-09-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子陶瓷元件制备技术领域，更具体地，涉及一种具有高的正温度系数的热敏陶瓷材料及其制备方法。该热敏陶瓷材料的主要成分的化学式为(Ca0.03(Bi0.5Q0.5)xSryBa0.97‑x‑y)Ti1.01O3,其中Q为碱金属元素Na或K，x取值范围为0.01‑0.06，y取值范围为0.01‑0.2。本发明方法制得的钛酸钡热敏陶瓷具有较高的温度系数，开关温度可以调节，温度系数(α(10/25))大于30％。
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公开(公告)号：CN109112627B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201811160371.0
申请日：2018-09-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于高能射线探测器材料领域，更具体地，涉及一种提高溴铅铯单晶电阻率的方法，其通过对溴铅铯单晶的Pb位进行一价阳离子Ag离子掺杂，补偿所述溴铅铯晶体内的施主型本征缺陷，以提高溴铅铯单晶的电阻率，由此解决熔体法生长的CsPbBr3晶体存在大量的本征缺陷，严重影响晶体的结晶质量，导致电阻率下降，探测效率低等的技术问题。
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公开(公告)号：CN110112287A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910415264.6
申请日：2019-05-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于磁性材料与元器件技术领域，更具体地，涉及一种基于多铁异质结交换偏置效应的电写磁读存储器。其自下而上依次包括铁电单晶衬底、底电极、多铁层、磁性固定层、磁性绝缘层和磁性自由层，巧妙地将具有自旋阀效应和具有交换偏置效应的器件结构整合在一起，同时两种结构中的磁性固定层为共用结构层，该磁性固定层与多铁层构成多铁/铁磁性异质结功能层，发挥主要钉扎功能，还与磁性绝缘层和磁性自由层构成自旋阀结构，实现高低阻态的变化。其中电控异质结结构中由于交换偏置效应和磁电耦合效应存在，通过对底顶电极施加方向相反的电场后，会得到两层铁磁层的高阻态，低阻态两种状态，可以运用于非易失、及低功耗的电控磁存储器件。
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公开(公告)号：CN108336979A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810091296.0
申请日：2018-01-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种集成式射频信号滤波和放大器件，包括：压电衬底及依次排列于压电衬底上的输入换能器、半导体薄膜和输出换能器；输入换能器用于接收射频信号，并将射频信号转化为声表面波；半导体薄膜用于在施加电压的情况对声表面波进行放大处理；输出换能器用于将放大后的声表面波转化为射频信号。半导体薄膜设置于输入换能器和输出换能器之间，且半导体薄膜、输入换能器和输出换能器均置于压电衬底上，输入换能器将位于特定波段的射频信号转化为声表面波，声表面波与施加有电场的半导体薄膜作用实现放大，放大后的声表面波经过输出换能器转化为射频信号，进而实现对射频信号的滤波和放大，该滤波和放大器件具有集成度高的优点。
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公开(公告)号：CN108193271A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201711466810.6
申请日：2017-12-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种溴铅铯单晶的水平移动区熔制备方法，具体包括以下步骤：(1)将石英安瓿置于反应炉腔内，通入甲烷进行镀碳膜处理得到镀碳安瓿；(2)向该镀碳安瓿内装入溴铅铯粉料，抽真空并密封，置于热处理炉中使溴铅铯粉料先熔化后降温凝固形成多晶料棒；(3)将装有多晶料棒的密封安瓿置于水平移动区熔炉内，将加热器升温至620-650℃，使加热器从密封安瓿的尖端开始移动至密封安瓿的尾端，由此完成溴铅铯晶体的生长，得到溴铅铯晶体。本发明通过对其关键的整体流程工艺设计、以及各个步骤的反应条件及参数进行改进，与现有技术相比能够有效解决晶体生长过程中机械震动大、晶体内部的热应力高、难以生长大尺寸溴铅铯单晶等问题。
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