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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110299446B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910550803.7
申请日：2019-06-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于存储器领域，公开了一种基于声体波激励的电控磁子阀结构，包括自上而下位于衬底(1)上的薄膜声体波谐振器子结构、磁子阀子结构及铁电交换偏置异质结子结构；薄膜声体波谐振器子结构用于向磁子阀子结构提供声体波激励；利用薄膜声体波谐振器子结构调控所产生的声体波的谐振频率与振幅，实现铁磁共振以激发磁子阀子结构中磁子流的大小，从而实现该磁子阀子结构的导通与截止，实现对该磁子阀子结构其磁子阀效应的激励。本发明通过对磁子阀关键的激励方式，对应配合设置的其他子结构等进行改进，使得该结构能够通过FBAR调整谐振频率与振幅实现铁磁共振以激发磁子阀中磁子流大小，实现器件的开断，达到存储的功能。
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公开(公告)号：CN110112287A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910415264.6
申请日：2019-05-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于磁性材料与元器件技术领域，更具体地，涉及一种基于多铁异质结交换偏置效应的电写磁读存储器。其自下而上依次包括铁电单晶衬底、底电极、多铁层、磁性固定层、磁性绝缘层和磁性自由层，巧妙地将具有自旋阀效应和具有交换偏置效应的器件结构整合在一起，同时两种结构中的磁性固定层为共用结构层，该磁性固定层与多铁层构成多铁/铁磁性异质结功能层，发挥主要钉扎功能，还与磁性绝缘层和磁性自由层构成自旋阀结构，实现高低阻态的变化。其中电控异质结结构中由于交换偏置效应和磁电耦合效应存在，通过对底顶电极施加方向相反的电场后，会得到两层铁磁层的高阻态，低阻态两种状态，可以运用于非易失、及低功耗的电控磁存储器件。
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公开(公告)号：CN110112287B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201910415264.6
申请日：2019-05-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于磁性材料与元器件技术领域，更具体地，涉及一种基于多铁异质结交换偏置效应的电写磁读存储器。其自下而上依次包括铁电单晶衬底、底电极、多铁层、磁性固定层、磁性绝缘层和磁性自由层，巧妙地将具有自旋阀效应和具有交换偏置效应的器件结构整合在一起，同时两种结构中的磁性固定层为共用结构层，该磁性固定层与多铁层构成多铁/铁磁性异质结功能层，发挥主要钉扎功能，还与磁性绝缘层和磁性自由层构成自旋阀结构，实现高低阻态的变化。其中电控异质结结构中由于交换偏置效应和磁电耦合效应存在，通过对底顶电极施加方向相反的电场后，会得到两层铁磁层的高阻态，低阻态两种状态，可以运用于非易失、及低功耗的电控磁存储器件。
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公开(公告)号：CN110299446A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910550803.7
申请日：2019-06-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于存储器领域，公开了一种基于声体波激励的电控磁子阀结构，包括自上而下位于衬底(1)上的薄膜声体波谐振器子结构、磁子阀子结构及铁电交换偏置异质结子结构；薄膜声体波谐振器子结构用于向磁子阀子结构提供声体波激励；利用薄膜声体波谐振器子结构调控所产生的声体波的谐振频率与振幅，实现铁磁共振以激发磁子阀子结构中磁子流的大小，从而实现该磁子阀子结构的导通与截止，实现对该磁子阀子结构其磁子阀效应的激励。本发明通过对磁子阀关键的激励方式，对应配合设置的其他子结构等进行改进，使得该结构能够通过FBAR调整谐振频率与振幅实现铁磁共振以激发磁子阀中磁子流大小，实现器件的开断，达到存储的功能。
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公开(公告)号：CN110228822A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910415278.8
申请日：2019-05-17
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于磁性材料领域，更具体地，涉及一种具有交换偏置效应的铁磁/反铁磁异质结及其制备。该多铁异质结具有MFe2O4/BiFeO3双层膜结构，其中MFe2O4作为铁磁层，BiFeO3作为反铁磁层，M为Ni或Co。选择具有高居里温度的反尖晶石型铁氧体MFe2O4(M＝Co、Ni)作为铁磁材料，充分利用MFe2O4的居里温度和BiFeO3的奈尔温度相近，在室温时具有优良的铁磁性，具有提高体系截止温度的极大潜力。本发明提供的多铁异质结，CoFe2O4/BiFeO3双层薄膜的矫顽场HC＝15.84KOe，且在3K时还观察到了明显的交换偏置场(HEB(3K)＝-142.5Oe)。
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