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公开(公告)号：CN113871880A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111136976.8
申请日：2021-09-27
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于带状线的同轴馈电微带天线，涉及微波毫米通信技术领域，包括：第一金属层、以及依次位于第一金属层一侧的第一介质层、第二金属层、第二介质层、第三金属层、第三介质层和寄生贴片天线；其中，第一介质层内包括带状线，带状线沿平行于第一金属层所在平面的方向延伸；第二金属层包括第一开口；第二介质层包括过孔和多个第一通孔；沿垂直于第一金属层所在平面的方向，过孔的正投影位于第一开口内；第三金属层包括第二开口，沿垂直于第一金属层所在平面的方向，辐射贴片天线的正投影位于第二开口内；第二金属层通过第一通孔与第三金属层连接；由于带状线通过过孔连接至辐射贴片天线并进行馈电，因而提高了微带天线的增益和带宽。
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公开(公告)号：CN113760792A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111058579.3
申请日：2021-09-10
Applicant: 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
Abstract: 本申请涉及基于FPGA的图像存取的AXI4总线控制电路及其数据传输方法，具体而言，涉及数字电路设计领域。本申请提供的基于FPGA的图像存取的AXI4总线控制电路；当需要对视频数据进行写入或者读取的时候，SoC中的ARM处理器可以发送使能信号来使能AXI读控制状态机、AXI写控制状态机，以此开始读操作或者写操作，也可以接收读写操作的中断信号；写操作是将连续的帧视频数据在写控制状态机和写状态机的操作下，采用AXI4的总线协议将数据写至采用AXI4接口的DDR3控制器中，读操作是将采用AXI4接口的DDR3控制器端的视频数据利用AXI读状态机、AXI读控制状态机将数据写入到读FIFO；读写操作均采用双状态机控制，即在读或写过程中，通过两个状态机相互配合完成AXI4端口的读或写的操作。
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公开(公告)号：CN113707732A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110898541.0
申请日：2021-08-05
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于布拉格反射镜的波导型Ge/Si雪崩光电二极管及制备方法，该雪崩光电二极管包括阳极、Ge电极接触层、吸收层、电荷层、倍增层、阴极、衬底层、保护层、多周期布拉格反射镜和光波导，其中，倍增层、电荷层、吸收层、Ge电极接触层及阳极自下而上依次设置在衬底层上，阴极设置在衬底层上且位于倍增层的侧面；多周期布拉格反射镜和光波导分别位于倍增层、电荷层和吸收层形成的叠层结构的相对两侧；多周期布拉格反射镜覆盖在多周期布拉格反射镜、光波导、阴极的上表面。该雪崩光电二极管利用布拉格反射镜的强反射作用，提高光的耦合效率，增强了器件的光吸收，提高了器件的响应度。
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公开(公告)号：CN113707709A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110845349.5
申请日：2021-07-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种具有积累层外延栅极M I S结构A l GaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法,该器件设置积累介质层覆盖A l GaN层表面以及GaN层表面，分别与欧姆源极、欧姆漏极相接；积累介质层上方生长外延层，外延层左端和右端通过离子注入形成P+区和N+区；N+区上方形成外延栅极，作为器件的栅极，外延层右端上方形成外延漏极；欧姆漏极与外延漏极通过导线连接，作为器件的漏极；当该器件正向工作时，可通过积累介质层在GaN层表面产生大量电子，该积累电子与二维电子气相连，构成导通沟道，使得器件具有较低的比导通电阻；器件关断时，积累层电子消失，部分的二维电子气类似于分区掺杂的作用，可显著改善器件的电场分布，大幅度提高器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN112271421B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202011035344.8
申请日：2020-09-27
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种玻璃基高隔离度三维双工器，从上到下依次包括：第一金属层、第一介质层、第二金属层、键合层、第三金属层、第二介质层、第四金属层，其中，键合层和第三金属层位于第二金属层、第二介质层之间的中间位置，粘合层位于键合层和第三金属层两侧且位于第二金属层、第二介质层之间。本发明提出的玻璃基高隔离度三维双工器，采用玻璃基板代替硅衬底制作三维无源器件，由于玻璃的相对介电常数远小于硅衬底，采用玻璃基板代替硅衬底制作三维无源器件，可以消除高频电路中的涡流效应，显著降低了无源器件的高频损耗，使得本实施例双工器的功耗显著降低，提高了双工器的品质因数，进而提高了双工器的频率选择性和宽阻带特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113571577A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110623695.9
申请日：2021-06-04
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/47
Abstract: 本发明提出了一种由肖特基结势垒控制的逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法。通过N型漏区提供的额外电子抽取通道，该IGBT器件在常规逆导型结构的基础上，利用漏极与电子抽取通道之间形成肖特基接触。由于较高的金属功函数，肖特基接触部分产生的结势垒会在通道中形成具有一定面积的空间电荷区，当漏极偏压较低时能够起到阻挡电子的作用。本发明提出的晶体管保留了逆导结构的优点，能够明显抑制器件关断时的电流拖尾现象，降低器件的关断损耗，并且通道中产生的空间电荷区随着漏极偏压的变化实现了变化的漏区电阻，有利于彻底消除器件导通时由常规逆导结构引起的电流折返现象，最终缓解了器件在正向特性和开关特性之间的矛盾关系。
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公开(公告)号：CN109888010B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201910079724.2
申请日：2019-01-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明提出了一种具有P型屏蔽层的AlGaN/GaN异质结垂直型场效应晶体管及其制作方法，该器件的主要特点是采用了P型屏蔽层，同时利用AlGaN/GaN异质结的二维电子气和特殊的漂移区形成电流的低阻导电通道。由于P型屏蔽层的作用，可以减小沟道的浓度以获取合适的阈值电压。器件关断时，P型屏蔽层有效降低了栅介质层中的峰值电场，提高了器件的可靠性，二维电子气引入了新的电荷，改变了器件中的电场分布，提高了击穿电压，同时弱化了击穿电压与漂移区浓度之间的矛盾关系。器件导通时，由于新的导电通道改变了传统垂直型场效应晶体管的电流分布，使得在漂移区浓度较低的情况下也能实现较低的导通电阻。
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公开(公告)号：CN113270474A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110378328.7
申请日：2021-04-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供了一种由阳极耗尽区控制的短路阳极横向绝缘栅双极型晶体管及其制作方法。该器件在传统LIGBT结构的基础上引入了轻掺杂的N型阱区和重掺杂的N+型阳极区，N型阱区被N型缓冲区包围，P+型阳极区和N+型阳极区被N型阱区包围，此外N+型阳极区位于柱状P+型阳极区之间，并在下方留出了电流通道。N型阱区加强了结自建电势的作用，有利于促进阳极耗尽区的形成，N+型阳极区则提供了额外的电子抽取通道。该器件能够明显缓解器件关断时的电流拖尾现象，降低器件的关断损耗，并且由结自建电势形成的耗尽区可以控制电流通道的开启，彻底消除器件导通时由传统短路阳极结构引起的电流折返现象，改善了器件在正向特性和开关特性之间的性能折中关系。
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公开(公告)号：CN109672446B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201910049492.6
申请日：2019-01-18
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03M1/66
Abstract: 本发明涉及一种分段伪数据加权平均DEM电路，包括：数据分段电路、伪数据加权平均电路、数据动态单元匹配电路、数据输入端、数据输出端、第一时钟信号端以及第二时钟信号端；其中，数据分段电路分别与伪数据加权平均电路、数据动态单元匹配电路连接；数据输入端与数据分段电路连接；数据输出端分别与伪数据加权平均电路、数据动态单元匹配电路连接；第一时钟信号端分别与伪数据加权平均电路、数据动态单元匹配电路连接；第二时钟信号端与伪数据加权平均电路连接。通过这种DEM电路，能够消除由于多比特DAC单元之间的不匹配所导致的DAC整体的非线性，提升整个调制器的性能。
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公开(公告)号：CN111060198B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201911223181.3
申请日：2019-12-03
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01J1/44 , G01S7/4861
Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，具体涉及一种面向激光雷达线性/盖格模式兼容门控采样前端电路，包括N×N个像素单元、N个外部处理电路，N×N个像素单元中每一行N个像素单元对应连接一个外部处理电路，像素单元包括偏置电压和雪崩光电二极管，偏置电压与雪崩光电二极管的阳极连接；偏置电压包括线性偏置电压和盖格模式偏置电压；像素单元还包括：线性/盖格模式选择电路，与雪崩光电二极管的阴极连接；跨阻放大器电路，与线性/盖格模式选择电路连接；门控采样电路，与跨阻放大器电路连接；外部处理电路包括：移位寄存器(SR)，与门控采样电路连接；ADC电路，与门控采样电路连接。本发明可扩展性强、可扩展性强、测量精度高。
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