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公开(公告)号：CN105734346A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410769376.9
申请日：2014-12-12
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明公开了一种含氢量可调的金属块体材料及其制备方法。该材料由金属基体和金属氢化物复合而成，所述金属基体为铝或铝合金；所述金属氢化物为氢化锆或氢化钛；含有的金属氢化物的体积分数为2％～33％，含氢量为1000μg/g～10000μg/g。该材料的制备方法为粉末冶金法，通过等静压成型实现材料的致密化。本发明可精确调节金属块体材料的含氢量，制备的金属块体材料具有力学性能和耐久性良好且氢含量释放可控的特点，可用于氢含量测试标样和其它需要精确控制释放氢气气量的场合。
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公开(公告)号：CN105397092A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510779737.2
申请日：2015-11-13
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： B22F7/06
摘要： 本发明涉及一种高体积分数铝基复合材料的表面防腐处理方法，首先将铝基复合材料放入带有除气管的纯铝包套中，封焊纯铝包套，对纯铝包套内部抽真空后封口，然后采用热等静压实现纯铝包套和铝基复合材料的扩散粘接，再通过机加工去除除气管和纯铝包套表面氧化层，露出纯铝包套的新鲜表面，最后采用传统电镀工艺在新鲜表面电镀一层金属防腐层。本发明通过在材料表面扩散粘接一层铝，获得了良好的改性过渡层，该过渡层与复合材料能够达到冶金结合，具有良好的结合力，同时也为后续实施电镀金属防腐层提供了条件；本发明有效解决了高体积分数铝基复合材料因添加相含量较高导致的腐蚀防护难题，可实现高体积分数铝基复合材料在腐蚀环境下的可靠应用。
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公开(公告)号：CN103848620B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210520890.X
申请日：2012-12-06
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： C04B35/26 , C04B35/622
摘要： 本发明提供一种LiMnZn铁氧体材料及其制备方法，该材料由主成分和副成分组成，其中主成分用化学式表示为：Li0.5xMnyZn1-x-yFe2+0.5xO4，其中x＝0.2～0.6，y＝0.3～0.5；副成分为SiO2、ZrO2、Bi2O3中的一种或几种，副成分的含量按主成分总重量计为：SiO2 50～1000ppm、ZrO250～500ppm、Bi2O3 20～1000ppm。本发明较好地实现了饱和磁感应强度、电阻率和居里温度等性能参数的匹配，可以大幅度降低该材料在微波器件应用中的涡流损耗，实现器件的小型化，拓宽材料的使用温度范围。本发明采用固态反应法进行铁氧体粉体的合成，然后采用常规压制-烧结法制备铁氧体块体材料，通过成形剂的选择、压制工艺、成形剂脱出工艺和烧结工艺的优化来制备具有高饱和磁通密度和高电阻率的铁氧体材料，操作简单，制备成本低廉，容易实现工业化生产。
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公开(公告)号：CN103848620A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210520890.X
申请日：2012-12-06
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： C04B35/26 , C04B35/622
摘要： 本发明提供一种LiMnZn铁氧体材料及其制备方法，该材料由主成分和副成分组成，其中主成分用化学式表示为：Li0.5xMnyZn1-x-yFe2+0.5xO4，其中x＝0.2～0.6，y＝0.3～0.5；副成分为SiO2、ZrO2、Bi2O3中的一种或几种，副成分的含量按主成分总重量计为：SiO2？50～1000ppm、ZrO250～500ppm、Bi2O3？20～1000ppm。本发明较好地实现了饱和磁感应强度、电阻率和居里温度等性能参数的匹配，可以大幅度降低该材料在微波器件应用中的涡流损耗，实现器件的小型化，拓宽材料的使用温度范围。本发明采用固态反应法进行铁氧体粉体的合成，然后采用常规压制-烧结法制备铁氧体块体材料，通过成形剂的选择、压制工艺、成形剂脱出工艺和烧结工艺的优化来制备具有高饱和磁通密度和高电阻率的铁氧体材料，操作简单，制备成本低廉，容易实现工业化生产。
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公开(公告)号：CN102531605A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010596428.9
申请日：2010-12-20
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： C04B35/565 , C04B35/626
摘要： 一种高热导率SiC基微波衰减材料，该材料由W和两种具有不同电阻率的SiC组成，其中W的含量为0～15wt.％，具有低电阻率的SiC的含量为3～40wt.％，其余为具有高电阻率的SiC。其制备方法为：将纯度为高纯Si粉和C粉混合后进行烧结，改变烧结的气体气氛制得高纯SiC粉和掺杂N的SiC粉，将高纯SiC粉、掺杂N的SiC粉与W粉混合后在1900℃～2100℃、氩气气氛下热压烧结，热压的压力为20～100Mpa。然后将热压后的材料在2100～2200℃、1大气压的氩气气氛下热处理。该微波衰减材料在室温的热导率大于120W/m·K，在8-40GHz介电常数ε达到20以上，损耗角正切tgθ＞0.1。
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公开(公告)号：CN101337812B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200810118319.9
申请日：2008-08-13
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： C04B35/47 , C04B35/453 , C04B35/622
摘要： 本发明属微波陶瓷制备技术领域，特别涉及一种压控可调钛酸锶钡基复合陶瓷材料及其制备方法。本发明采用Ba1-xSrxTiO3与低介电常数、低介电损耗的Mg1-yZnyO相复合，并加入少量的Ta2O5对(1-m)Ba1-xSrxTiO3-mMg1-yZnyO复合陶瓷进行掺杂改性来满足介电常数适中、低微波介电损耗和较高的压控可调性等压控可调微波陶瓷的性能要求。用固相反应法或共沉淀包覆法制得钛酸锶钡基复合陶瓷粉体，再用不加任何成型剂的冷等静压成型及常压烧结工艺获得高致密、高纯净度的陶瓷块体。本发明压控可调钛酸锶钡基复合陶瓷材料适用于相控阵移相器、可调滤波器、延迟线、振荡器、共振器等微波器件。
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公开(公告)号：CN100590101C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200810104411.X
申请日：2008-04-18
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明公开了一种氧化铪掺杂氧化铈栅电介质材料及其制备方法，本发明主要采用传统的陶瓷烧结技术将10～20%摩尔的氧化铪掺杂到氧化铈中，在1400℃下高温烧结，得到相应的氧化铪掺杂氧化铈陶瓷靶材，随后采用激光脉冲沉积技术，在经过标准RCA清洗过程后的n型Si片上沉积氧化铈掺杂氧化铪薄膜。本发明制备的氧化铈掺杂氧化铪介电陶瓷薄膜为单晶薄膜，与衬底材料的取向关系为(111)HDC//(001)Si和[110]HDC//[110]Si；并且具有非常小的漏电流密度，适于做高κ栅介质使用。
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公开(公告)号：CN101337812A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810118319.9
申请日：2008-08-13
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： C04B35/47 , C04B35/453 , C04B35/622
摘要： 本发明属微波陶瓷制备技术领域，特别涉及一种压控可调钛酸锶钡基复合陶瓷材料及其制备方法。本发明采用Ba1－xSrxTiO3与低介电常数、低介电损耗的Mg1－yZnyO相复合，并加入少量的Ta2O5对(1－m)Ba1－xSrxTiO3－mMg1－yZnyO复合陶瓷进行掺杂改性来满足介电常数适中、低微波介电损耗和较高的压控可调性等压控可调微波陶瓷的性能要求。用固相反应法或共沉淀包覆法制得钛酸锶钡基复合陶瓷粉体，再用不加任何成型剂的冷等静压成型及常压烧结工艺获得高致密、高纯净度的陶瓷块体。本发明压控可调钛酸锶钡基复合陶瓷材料适用于相控阵移相器、可调滤波器、延迟线、振荡器、共振器等微波器件。
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公开(公告)号：CN201309961Y
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200820123627.6
申请日：2008-11-10
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本实用新型公开了一种滚筒式磁控溅射设备，包括溅射室及内置的靶托和放置试样的样品台，所述的溅射室为双开门可抽拉式结构，靶托与放置试样的样品台分别固定在两门上，两门分别通过支撑架安置于导轨上且可沿导轨移动。所述固定靶托的门上安装有扳手，靶托可随溅射室门上的扳手联动，门与扳手为可绕固定支点左右180°旋转的结构。所述的放置试样的样品台为内置滚筒式结构。滚筒与固定其门可实现左右双向120°旋转并可实现上、下角度倾斜。其可用于粉末或颗粒表面薄膜沉积批量的制备且可以满足均匀镀膜的要求。
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