公开(公告)号：CN1847140A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200610011781.X

申请日：2006-04-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 范炜 ,  张大成 ,  李婷 ,  罗葵 ,  田大宇 ,  李静 ,  王颖

IPC: B82B3/00

Abstract: 本发明提供一种纳米宽度梁结构的加工方法，属于纳电子机械系统(NEMS)加工工艺领域。该方法的工艺流程包括：台阶刻蚀、纳米宽度侧墙形成、纳米宽度梁结构形成和纳米宽度梁结构释放四个步骤。本发明能够加工出纳米宽度的梁结构，准确控制梁结构的纳米级厚度，并且梁结构形状规则，工艺流程简单，不使用湿法腐蚀释放，成品率高，重复性好，效率高。

公开(公告)号：CN1797805A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200410101832.9

申请日：2004-12-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘晓娣 ,  张大成 ,  王玮 ,  李婷 ,  罗葵 ,  田大宇

IPC: H01L49/00 ,  G01N27/12

Abstract: 本发明提供一种薄膜气体传感器的制备方法，属于气体传感器工艺技术领域。该方法包括：基片清洗和腐蚀，采用溅射和剥离方法制备铬/铂电极，得到表面平整的带有电极图形的基片；在带有电极图形的基片上使用直流反应磁控技术淀积氧化锡纳米敏感薄膜，并且剥离薄膜敏感材料，使之图形化；高温退火后，划片、封装。由于在表面较平坦的基片上使用直流磁控反应溅射的方法制得氧化锡薄膜，薄膜敏感材料厚度及成分均匀可控、灵敏度高、响应快、一致性好、稳定性好。该制备加工方法对传感器自身的污染小、使用的薄膜材料较少，可降低对环境的污染、与集成电路工艺相兼容，工艺重复性好、适合于批量生产。

公开(公告)号：CN1540386A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN03127940.6

申请日：2003-04-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 张大成 ,  张威 ,  李婷 ,  田大宇 ,  刘蓓 ,  罗葵 ,  王颖 ,  李静 ,  王兆江 ,  王阳元

IPC: G02B26/08 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明公开了一种加工制造微电子机械系统元器件的方法，目的是提供一种能够满足不同用户、不同器件加工需求、适用于微电子机械系统(MEMS)的元器件加工制造方法。本发明的技术方案为：一种元器件的制造方法，包括下述步骤中的至少二个：1)压阻制备；2)薄膜制备；3)薄膜穿通释放。本发明提出的适用于微电子机械系统(MEMS)的可分段使用的硅薄膜压阻器件制造方法，为实现MEMS技术研究向分工合作的专业化发展奠定了坚实的基础。由于它具有分段使用、可裁剪的特点，因此可以让更多的人更专业的进入MEMS领域，不同的用户可以根据自己的需求截取所需步骤。这种加工制造方法的提出和标准工艺的开发将给MEMS技术的发展带来革命性的变化和发展。