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公开(公告)号：CN116206946A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211096206.X
申请日：2022-09-08
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/02 , H01L23/367 , H01L23/373 , C23C16/40 , C23C16/50 , C23C16/56 , C30B25/18 , C23C14/48 , C23C16/01
Abstract: 本发明公开一种大尺寸高热导率衬底的制备方法，包括以下步骤：准备基础衬底和高导热衬底；在基础衬底上进行离子注入，将基础衬底依次分为功能衬底薄层、离子掩埋层和分离层；在功能衬底薄层上键合第一SiO2介质层；在高导热衬底上键合第二SiO2介质层；将基础衬底的第一SiO2介质层面和高导热衬底的第二SiO2介质层面键合，形成键合体；对键合体进行加热处理，将功能衬底薄层从基础衬底上分离，形成功能衬底薄层/SiO2介质层/高导热衬底的复合衬底。本发明实现大尺寸均匀复合衬底材料制备，解决现有氮化物光电器件散热及复合衬底应力过高的问题。
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公开(公告)号：CN116153244A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310180268.7
申请日：2023-02-15
Applicant: 北京大学
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明公开了一种用于LED驱动的PWM和PAM复合型显像方法。本发明合成的电流驱动信号用于图像灰度数据的显示，高位灰度数据的循环显示提升了显示刷新率；在低灰度图像显示时，设定最小脉宽阈值，当输入图像的灰度数据小于幅值调整阈值脉宽对应的灰度数据时，不再减小电流脉冲宽度，而是调整电流脉冲幅值；通过对低灰度图像数据的电流脉冲幅值和电流脉冲宽度的混合调制，提高了低灰度图像的显示刷新率，并避免了低灰度图像显示时的“麻点”效应，提高了显示效果；本发明通过电流脉冲宽度和电流脉冲幅度的混合调制方式，提高了在显示低灰度图像时的刷新率，使得显示效果稳定；避免了在显示低灰度图像时的“麻点”效应，使得显示效果良好。
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公开(公告)号：CN116121862A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310140721.1
申请日：2023-02-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直式光辅助金属有机物化学气相沉积装置及其沉积方法。本发明采用光场垂直作用于层状反应剂气流上，光场与反应剂气流的作用路径短，减小了所需激光功率，降低了光辅助MOCVD装置的设计难度、提高了安全性；同时减少了光场在MOCVD气场中的传播过程，提高了光场功率的利用效率；通过生长衬底随衬底托盘的自转和公转，使生长腔内的生长衬底之间和每片生长衬底内均匀地获得光场产生的活性反应剂，实现大尺寸IE高均匀性的光辅助MOCVD外延生长；本发明中光生反应剂的产生过程和光生反应剂的化学气相沉积过程空间上分离，简化了光辅助金属有机物化学气相沉积装置中的光场‑流场‑温场耦合设计。
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公开(公告)号：CN115323475B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202210925338.2
申请日：2022-08-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高指数晶面六方氮化硼薄膜的制备方法。本发明在高指数晶面衬底上形成单晶AlN模板层构成高指数晶面衬底，在单晶AlN模板层上形成氧富集的AlxOy薄层；在AlxOy薄层上形成BmNn薄膜，得到复合结构；将具有AlN薄膜的低指数晶面衬底与复合结构物理压合，高温重构形成h‑BkNl薄膜；破坏氧富集的AlxOy薄层，得到具有h‑BkNl薄膜的低指数晶面AlN模板；h‑BkNl薄膜具有与高指数晶面衬底相同的晶面取向，能够具有指定晶面取向，打破现有制备技术瓶颈；高指数晶面衬底能够重复利用；采用沉积和高温重构的方式制备h‑BN薄膜能够降低工艺难度，避免采用昂贵的高温设备，提高产率并降低成本。
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公开(公告)号：CN115074824B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210851067.0
申请日：2022-07-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用边缘金属掩膜技术制备氮化镓单晶衬底的方法。本发明采用在复合外延基板上制备金属掩膜环，限域外延生长GaN单晶牺牲层，再通过原位温差梯度法，利用单晶石墨烯的层间解耦分离得到自支撑的GaN单晶牺牲层，然后扩径外延得到GaN单晶厚膜，最后化学机械法修整GaN单晶厚膜，得到无应力的自支撑GaN单晶衬底；金属掩膜环与氢化物气相外延法氮化镓单晶制备工艺兼容性良好，对氮源分解反应具有高效催化作用，禁止GaN单晶厚膜的边缘生长的同时提高GaN单晶衬底的晶体质量并增大曲率半径；GaN单晶牺牲层与复合外延基板利用单晶石墨烯的层间解耦分离，最终得到的自支撑GaN单晶衬底中无失配应力积聚与缩径问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115663078B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211354352.8
申请日：2022-11-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二维晶体过渡层的氮化铝复合结构的制备方法。本发明通过在外延衬底的第一周期性沟槽上转移二维晶体过渡层，二维晶体过渡层上在形成与第一周期性沟槽错开的第二周期性沟槽，然后沉积支撑保护层，再沉积实现所需的AlN基材料的功能层，采用热氧化法除去二维晶体过渡层，获得半悬空的AlN复合结构；本发明工艺难度低，适于大规模产业化生产；周期性沟槽和AlN功能层的设计窗口大，能够满足不同用途深紫外光源器件和射频电子器件的材料需求，应用范围广。
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公开(公告)号：CN115911094A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211443885.3
申请日：2022-11-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/778 , H10B51/30 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于外延技术的三端铁电存储器及其制备方法。本发明利用外延技术实现高质量的铁电介质层和沟道；通过插入层、阻挡层和高阻缓冲层的引入，大大降低了铁电存储器的漏电问题，使得该器件具有更好的稳定性和耐受性，提升器件的寿命，降低器件的产热和功耗；利用ScAlN铁电介质层作为铁电功能层的同时，与GaN形成异质结，以异质结的界面作为沟道，相比于传统铁电存储器沟道和铁电介质层分离的结构，简化了工艺步骤；并且由于异质结沟道中载流子浓度和载流子迁移率远大于传统铁电存储器中的半导体沟道，使得本发明中的三端铁电存储器具有更高的功率密度和更好的高频特性，能够被用于射频和大功率电路等领域。
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公开(公告)号：CN115663078A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211354352.8
申请日：2022-11-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二维晶体过渡层的氮化铝复合结构的制备方法。本发明通过在外延衬底的第一周期性沟槽上转移二维晶体过渡层，二维晶体过渡层上在形成与第一周期性沟槽错开的第二周期性沟槽，然后沉积支撑保护层，再沉积实现所需的AlN基材料的功能层，采用热氧化法除去二维晶体过渡层，获得半悬空的AlN复合结构；本发明工艺难度低，适于大规模产业化生产；周期性沟槽和AlN功能层的设计窗口大，能够满足不同用途深紫外光源器件和射频电子器件的材料需求，应用范围广。
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公开(公告)号：CN115430450A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211045142.0
申请日：2022-08-30
Abstract: 本发明涉及热催化剂技术领域，尤其涉及一种Rh纳米颗粒修饰III族氮氧化物Si催化剂的制备方法及其应用，通过分子束外延法（MBE）与高温退火相结合，制得III族氮氧化物NWs/Si载体，利用光沉积法在载体表面锚定Rh纳米颗粒（Rh NPs）制得所需热催化剂，通过降低关键基元反应的活化能改变决速步骤，从而获得了较低的反应启动温度。本发明的制备方法具有操作简单，高度可控，制造成本低的优点。将制得的热催化剂应用在CO2热催化氢化至CO的反应中，避免了高温高压等严苛的实验条件，且大大提高了CO2氢化产CO的速率。Rh NPs具有高度的分散性，确保了高效、长效催化CO2氢化反应的发生。与现有的商业催化体系相比，CO2氢化活性高出4个数量级，具有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN114975700A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210914235.6
申请日：2022-08-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化物LED的制备与无损界面分离方法。本发明采用原子辐照技术，改性在透明衬底上的二维原子晶体层，得到辐照区，在改性后的二维原子晶体层制备氮化物LED结构，再通过金属功能层固化支撑基板，从透明衬底背面入射可见光激光，定向破坏二维原子晶体层的辐照区，得到从透明衬底上分离出来的氮化物LED结构、金属功能层和支撑基板的整体结构；本发明能够实现界面无损分离，透明衬底的重复使用，与氮化物LED和Micro‑LED的外延与加工工艺兼容，应用于晶圆级氮化物LED和微米级Micro‑LED阵列的制造与分离，无需预置氮化物牺牲层，无需额外磨抛工艺；本发明节能环保、工艺简单并适于批量生产。
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