一种高温环境下碳化硅陶瓷基复合材料微区残余应力的测试方法

    公开(公告)号:CN115773835A

    公开(公告)日:2023-03-10

    申请号:CN202111057811.1

    申请日:2021-09-09

    Abstract: 本发明涉及一种高温环境下碳化硅陶瓷基复合材料微区残余应力的测试方法,包括:(1)将碳化硅陶瓷基复合材料薄片放入内置加热元件的Raman光谱仪测试腔内,启动加热程序,升温至测试温度,启动激光电源并搜集样品各微区的Raman光谱数据;所述微区包括基体、界面和纤维;(2)利用绘图软件将Raman光谱数据绘制成图,标定材料微区的特征峰,利用重心法则计算特征峰的等效波长λb;(3)先根据在高温环境下Raman特征峰等效波长λb与常温态标准波长λ0的差值,得到Raman峰频移Δλ,再根据残余应力σr与频移Δλ的线性定量关系σr=C×Δλ,得到残余应力σr值。

Patent Agency Ranking