公开(公告)号：CN113105257B

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202110323519.3

申请日：2021-03-26

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 廖春景 ,  董绍明 ,  张翔宇 ,  阚艳梅 ,  章龙龙 ,  林玲 ,  顾炎

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/565 ,  C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  G01N3/20

Abstract: 本发明涉及一种纤维增强陶瓷基复合材料用界面层及其筛选方法，所述纤维增强陶瓷基复合材料用界面层的组分为SiBN，其中Si的含量为2.01～25.19at%，B的含量为49.03～73.32at%，N的含量为22.38～40.97at%，各组分百分含量之和为100at%。

公开(公告)号：CN109384466B

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN201710682197.5

申请日：2017-08-10

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 董绍明 ,  丁奇 ,  倪德伟 ,  王震 ,  阚艳梅 ,  周海军

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明涉及一种自由基引发剂改性聚硼硅氮烷高效制备致密SiBCN陶瓷的方法，包括：在惰性气氛的保护下，将含有乙烯基官能团的液态聚硼硅氮烷和自由基引发剂混合后并在50～150℃交联固化0.5～2小时，得到透明固体，所述自由基引发剂为过氧类引发剂或/和偶氮类引发剂；将所得透明固体于惰性气氛中、900～1400℃下热处理2～4小时，得到所述致密SiBCN陶瓷。本发明利用自由基引发剂改性聚硼硅氮烷，陶瓷产率从17%左右提高到74%左右。

公开(公告)号：CN113773099A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202010523437.9

申请日：2020-06-10

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 陈小武 ,  董绍明 ,  杨金山 ,  胡建宝 ,  高乐 ,  张翔宇

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/65

Abstract: 本发明涉及一种连续纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，将质量比为（5～20）：（10～30）：（60～80）的硅源、碳源和SiC粉制备成浆料；将所述浆料通过流延方式引入二维纤维布中得到流延膜，再通过叠层、气压固化、排胶和烧结致密化，得到所述连续纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料；其中所述气压固化包括：真空度为1～20kPa；固化压力为40～80个大气压；固化温度为100～150℃；固化时间为1～2小时。

公开(公告)号：CN113773098A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202010518716.6

申请日：2020-06-09

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 陈小武 ,  董绍明 ,  杨金山 ,  胡建宝 ,  廖春景 ,  张翔宇

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/565

Abstract: 本发明公开一种高电磁波屏蔽碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法。所述高电磁波屏蔽碳化硅陶瓷基复合材料包括碳化硅基体以及均匀分布在所述碳化硅基体周围的Al2O3/RE2O3透波相和SiBCN吸波相构成的透波/吸波网络；所述高电磁波屏蔽碳化硅陶瓷基复合材料中所述Al2O3/RE2O3透波相的质量百分含量为5~15wt%，所述SiBCN吸波相的质量百分含量为10~25wt%；RE为Dy、Y、Er或Yb，优选为Y。

公开(公告)号：CN113135758A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202110323660.3

申请日：2021-03-26

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 廖春景 ,  董绍明 ,  靳喜海 ,  倪德伟 ,  章龙龙 ,  林玲 ,  顾炎

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/80 ,  C04B35/84 ,  C23C16/36 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明涉及一种高通量制备SiBCN用沉积装置及高通量制备SiBCN的方法，所述高通量制备SiBCN用沉积装置包括：坩埚体、用于盖住所述坩埚体的含有多个第一通孔的石墨板、以及设置在石墨板第一通孔中的用于放置基体的顶部设置有法兰的石墨套管；所述坩埚体为空心结构；或者，所述坩埚体为实心结构且实心结构内设置有与石墨板中第一通孔对应的第二通孔。

公开(公告)号：CN109680366B

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201710979752.0

申请日：2017-10-19

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 杨金山 ,  董绍明 ,  黄凯 ,  丁玉生 ,  王震 ,  何平 ,  高乐 ,  周海军

IPC: D01F9/12 ,  D01F1/10

Abstract: 本发明涉及一种超长石墨烯纤维及其制备方法，所述超长石墨烯纤维具有沿纤维轴向择优取向的石墨烯片层结构，所述超长石墨烯纤维的长度至少为50cm，优选为米级以上、直径在10～1000μm之间，优选为100～1000μm之间。

公开(公告)号：CN109468568B

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201710801357.3

申请日：2017-09-07

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 牛亚然 ,  钟鑫 ,  朱涛 ,  李红 ,  周海军 ,  董绍明 ,  郑学斌 ,  孙晋良 ,  丁传贤

IPC: C23C4/04

Abstract: 本发明涉及一种抗裂纹扩展的稀土硅酸盐环境障碍涂层及制备方法，所述稀土硅酸盐环境障碍涂层依次包括基体、位于所述基体表面的粘结层、面层、以及位于所述粘结层和面层之间的中间层；所述粘结层为Si层，所述中间层为Yb2Si2O7层，所述面层为稀土单硅酸盐Re2SiO5。本发明设计的涂层采用Yb2Si2O7为中间层和稀土硅酸盐为表面层的结构，具有显著的抗裂纹扩展能力和优良的抗热震性能。

公开(公告)号：CN111662091A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010543816.4

申请日：2020-06-15

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 倪德伟 ,  卢俊 ,  董绍明 ,  廖春景 ,  杨金山 ,  阚艳梅 ,  丁玉生 ,  张翔宇

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/571 ,  C04B35/622 ,  B33Y70/10 ,  B33Y10/00

Abstract: 本发明涉及一种短碳纤维增强Csf/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法，所述短碳纤维增强Csf/SiC陶瓷基复合材料的制备方法包括：（1）将短碳纤维、分散剂、粘结剂和溶剂混合，得到短碳纤维浆料；（2）将所得短碳纤维浆料通过3D打印成型制备得到短碳纤维定向排列的增强体；（3）将所得增强体经过干燥和排胶后，再制备界面相和部分SiC基体，最后经过致密化工艺，得到所述短碳纤维增强Csf/SiC陶瓷基复合材料。

公开(公告)号：CN111454073A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010326441.6

申请日：2020-04-23

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 倪德伟 ,  陈博文 ,  董绍明 ,  陈小武 ,  何平 ,  王震 ,  丁玉生 ,  张翔宇

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/58 ,  C04B35/56

Abstract: 本发明涉及一种高导热、强结合、耐烧蚀的超高温陶瓷基复合材料及其制备方法，所述超高温陶瓷基复合材料的制备方法包括：（1）选取碳纤维编织成碳纤维预制体，所述碳纤维的热导率＞40W/m·K；（2）采用化学气相渗透法在碳纤维预制体中碳纤维表面沉积界面层；（3）通过溶胶凝胶法、浆料浸渍法、前驱体浸渍裂解法向碳纤维预制体中引入碳源和陶瓷相，再结合反应熔渗法实现致密化，得到所述高导热、强结合、耐烧蚀的超高温陶瓷基复合材料。

公开(公告)号：CN107353004B

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201710586771.7

申请日：2017-07-18

Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所

Inventor： 杨金山 ,  黄凯 ,  董绍明 ,  胡建宝 ,  张翔宇

IPC: C04B35/52 ,  C04B35/632 ,  C04B35/634 ,  B33Y10/00 ,  B33Y30/00 ,  B33Y70/10 ,  B28B1/00

Abstract: 本发明涉及一种直接挤出型3D打印制备三维石墨烯的方法，包括：将石墨稀、分散剂分散于乙醇中，得到石墨烯悬浮液；将增稠剂和石墨烯悬浮液混合后，在70～90℃下水浴加热1～2小时，得到石墨烯浆料；将所得石墨烯浆料转移至打印成型设备中，根据三维模型逐层打印，得到所述三维石墨烯。本发明采用3D打印的方式可以对模型进行设计，获得周期性结构的多孔三维石墨烯，而且成型速度快，周期短，具有规模化的潜力。