公开(公告)号：CN107532039B

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201680025739.5

申请日：2016-05-17

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 饭田慎太郎 ,  樱井英章

IPC: C09D179/08 ,  C09D5/02 ,  C09D5/44

Abstract: 在本发明中，电沉积液(11)含有聚合物粒子、有机溶剂、碱性化合物及水，聚合物粒子由主链中不具有阴离子性基团的聚酰胺酰亚胺和/或聚酯酰亚胺构成，聚合物粒子的以个数为基准的中值粒径(D50)为0.05～0.5μm，且以个数为基准，在中值粒径(D50)的粒径±30％以内所存在的粒子为总粒子的50％以上。

公开(公告)号：CN107112077B

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201580058201.X

申请日：2015-10-29

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 樱井英章 ,  川村贤治 ,  田窪毅

IPC: H01B7/00 ,  H01B7/02 ,  H01B13/00 ,  H01B13/16 ,  H01F5/06

Abstract: 本发明提供一种绝缘电线及其制造方法，所述绝缘电线在铜线表面具有通过电沉积法形成的绝缘外皮，所述绝缘电线的特征在于，包含该绝缘外皮的横截面形状为六边形，且在该铜线的六边形截面的各角部形成有抑制该绝缘外皮的膨胀的切角部分，该切角部分的长度为该六边形截面的平坦部的长度的1/3～1/20，该绝缘电线在卷绕状态下的孔隙率为5％以下。

公开(公告)号：CN105144353B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201480020867.1

申请日：2014-05-14

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 土井利浩 ,  樱井英章 ,  曽山信幸

IPC: H01L21/316 ,  C08L33/26 ,  C08L39/06

CPC classification number: H01L21/02197 ,  C09D133/26 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02282 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明提供一种铁电薄膜形成用组合物及其制造方法。本发明的铁电薄膜形成用组合物是通过预烧工序及烧成工序来调整成膜的杨氏模量，且即使每一次的涂膜较厚，烧成时也几乎不发生龟裂而能够获得结晶性较高的薄膜，从而可减少涂膜次数而提高薄膜的制造效率。通过使用铁电薄膜形成用组合物，即使每一次的涂膜较厚，烧成时也几乎不发生龟裂而形成结晶性较高的薄膜，所述铁电薄膜形成用组合物的特征在于，该铁电薄膜形成用组合物是包含铁电薄膜的前驱体、溶剂及反应控制物质，且通过涂膜的预烧及烧成来形成铁电薄膜的组合物，上述反应控制物质的含量是在200℃～300℃的预烧阶段中成膜的杨氏模量为42GPa以下且在400℃～500℃的烧成阶段中成膜的杨氏模量成为55GPa以上的量。

公开(公告)号：CN106133932B

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201580015351.2

申请日：2015-03-20

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 土井利浩 ,  樱井英章 ,  曽山信幸

IPC: H01L41/187 ,  C01G25/00 ,  H01L41/318

Abstract: 本发明的掺杂Ce的PZT系压电膜形成用组合物含有PZT系前体、二醇及聚乙烯吡咯烷酮等，所述PZT系前体含有构成复合金属氧化物的各金属原子。组合物中的金属原子比Pb:Ce:Zr:Ti满足(1.00～1.28):(0.005～0.05):(0.40～0.55):(0.60～0.45)，且以Zr与Ti的金属原子比的合计比例成为1的比例含有PZT系前体。组合物100质量％中所占的PZT系前体的浓度以氧化物浓度计为17～35质量％，组合物100质量％中的二醇的比例为16～56质量％，聚乙烯吡咯烷酮等的比例相对于PZT系前体1摩尔，以单体换算为0.01～0.25摩尔。

公开(公告)号：CN104072134B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201410055715.7

申请日：2014-02-19

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 土井利浩 ,  樱井英章 ,  曽山信幸

IPC: C04B35/491 ,  C04B35/622

CPC classification number: H01B3/448 ,  C04B35/491 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6585 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/33 ,  H01L37/025 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318 ,  Y10T428/31938

Abstract: 本发明提供一种PZT系铁电薄膜形成用组合物及其制造方法以及PZT系铁电薄膜的形成方法。该PZT系铁电薄膜形成用组合物的特征在于，组合物100质量%中的PZT前驱体的比例以氧化物换算计为17～35质量%，组合物100质量%中的二醇的比例为16～56质量%，聚乙烯吡咯烷酮或聚乙二醇的比例相对于1摩尔的上述PZT前驱体以单体换算计为0.01～0.25摩尔，水的比例相对于1摩尔的上述PZT前驱体为0.5～3摩尔，其中，排除在上述组合物100质量%中以0.6～10质量%的比例进一步包含碳链为6以上12以下的直链一元醇的组合物。

公开(公告)号：CN107709632A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201680037591.7

申请日：2016-06-21

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 矶村洵子 ,  樱井英章

IPC: C25D13/06 ,  C08L79/08 ,  C09D5/44 ,  C09D179/08

Abstract: 本发明的水分散型绝缘覆膜形成用电沉积液含有聚合物粒子、有机溶剂、碱性化合物及水，其中，聚合物粒子包含具有规定的结构单元的聚酰胺酸，聚合物粒子的体积标准的中值粒径(D50)为0.08～0.7μm。

公开(公告)号：CN102433532B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201110299927.6

申请日：2011-09-28

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 黛良享 ,  有泉久美子 ,  吉田勇气 ,  樱井英章

IPC: C23C14/08 ,  H01L31/048 ,  H01L31/049 ,  H01L51/52 ,  B32B9/00

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本发明提供适合形成透明性和阻气性优异的薄膜的气相沉积材和具备该薄膜的薄膜片材以及层压片材。本发明的气相沉积材为混合第一氧化物粉末和第二氧化物粉末而制作的气相沉积材，其特征在于，上述第一氧化物粉末为MgO粉末，第一氧化物粉末的第一氧化物纯度为98％以上，上述第二氧化物粉末为CaO和ZnO的混合粉末，第二氧化物粉末的第二氧化物纯度为98％以上，气相沉积材由含有第一氧化物粉末和第二氧化物粉末的颗粒构成，气相沉积材中的第一氧化物与第二氧化物的摩尔比为5～90∶95～10，且颗粒的碱度为0.1以上。

公开(公告)号：CN102473625B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201080029671.0

申请日：2010-04-21

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 曾山信幸 ,  渡边敏昭 ,  樱井英章

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02087 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282

Abstract: 本发明将以混合重量比计含有50∶50～0∶100选自β‐二酮类、β‐酮酸酯类、多元醇类、羧酸类、烷醇胺类、α‐羟基羧酸、α‐羟基羰基衍生物和腙衍生物中的1种或2种以上的有机溶剂与水的CSD涂布膜除去用液喷射或滴加至CSD法中热处理前的基板外周端部，将涂布膜除去、并防止颗粒的发生而不会发生裂纹或局部剥离的情况。

公开(公告)号：CN103130502B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201110375437.X

申请日：2011-11-23

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 野口毅 ,  樱井英章 ,  藤井顺 ,  渡边敏昭 ,  曽山信幸

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/491 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种能够提高寿命可靠性的铁电薄膜及使用该铁电薄膜的薄膜电容器。本发明的铁电薄膜采取如下形态，即由选自包括Bi、Si、Pb、Ge、Sn、Al、Ga、In、Mg、Ca、Sr、Ba、V、Nb、Ta、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd、Li、Na、K、P、B、Ce、Nd、Sm及Cs的组中的1种或2种以上元素构成的金属氧化物以某种恒定比例混合在由(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3(式中，0.9＜x＜1.3，0≤y＜0.1，0≤z＜0.9)所示的复合金属氧化物中的混合复合金属氧化物的形态，其中，层叠2～23层的烧成层而构成，烧成层的厚度t为45～500nm，烧成层中存在的晶粒的定方向最大径的平均X为200～5000nm，烧成层均满足1.5t＜X＜23t的关系。

公开(公告)号：CN105393338A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201480041141.6

申请日：2014-08-27

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 土井利浩 ,  樱井英章 ,  曽山信幸

IPC: H01L21/316 ,  C01G33/00 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L41/318

CPC classification number: H01L41/1876 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L28/56 ,  H01L28/75 ,  H01L41/318

Abstract: 本发明提供一种膜中的各组成大致均匀，且压电特性及介电特性较高的PNbZT薄膜的制造方法。本发明的PNbZT薄膜的制造方法，其包含如下工序：准备满足组成式PbzNbxZryTi1-yO3且锆及钛的浓度比Zr/Ti不同的多种溶胶-凝胶液，其中，0＜x≤0.05、0.40≤y≤0.60及1.05≤z≤1.25；以浓度比Zr/Ti阶段性变小的方式从多种溶胶-凝胶液中选择规定的溶胶-凝胶液，在基板上将溶胶-凝胶液的涂布及临时烧结重复进行两次以上，由此在基板(12)上层叠浓度比Zr/Ti阶段性变小的两层以上的临时烧结膜(11a～11c)；及将多个临时烧结膜(11a～11c)一并烧成，由此得到单一的PNbZT薄膜(11)的工序。