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公开(公告)号：CN102427072A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110226611.4
申请日：2011-08-04
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Abstract: 一种用于将功率组件与端子平面元件电连接的装置，该装置用于将功率组件的彼此相距的平行设置的连接平面元件对与紧邻且彼此借助绝缘平面元件隔离的端子平面元件对电连接。两个连接平面元件分别具有导入平面元件，导入平面元件重叠并且构造有沿轴向对准的孔。在重叠的两个导入平面元件之间设置有绝缘成型件，绝缘成型件构造有孔和从孔的边缘在一侧沿轴向伸出的管套筒，管套筒通过一个导入平面元件的孔延伸到承载件的孔中，承载件具有用于接触螺栓元件的内螺纹区段。端子平面元件分别具有带有用于接触螺栓元件的留空部的接触区段。借助接触螺栓元件一个接触区段被挤压向一个导入平面元件并且第二接触区段被挤压向第二导入平面元件。
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公开(公告)号：CN102404262A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110222003.6
申请日：2011-07-29
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Inventor： 马库斯·霍夫迈尔
IPC: H04L25/03
CPC classification number: H03K17/18 , H03K17/689 , H03K2017/0806 , H04L25/4902
Abstract: 用于运行功率半导体的驱动器的PWM输出端的方法，用来在功率半导体的驱动器(2)的PWM输出端(4)输出模拟值(A)，在该方法中：将模拟值(A)转换为固定PWM频率(fP)的具有两个信号电平(Hi、Lo)的PWM信号(6)，并且在二进制附加值(F)的非激活状态(0)下：在PWM输出端(4)输出PWM信号(6)，或者在附加值(F)的激活值(1)下：在PWM输出端(4)一起输出PWM信号(6)和附加信号(18)，其中，作为附加信号(18)，以大于PWM频率(fP)的信号频率(fS)将PWM信号(6)当前的信号电平(Hi、Lo)与各自另一信号电平(Lo、Hi)交替输出。
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公开(公告)号：CN102347289A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110221974.9
申请日：2011-07-29
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
CPC classification number: H01L25/072 , H01L23/04 , H01L23/053 , H01L23/3735 , H01L24/48 , H01L2224/48227 , H01L2224/4846 , H01L2224/48472 , H01L2924/00014 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及一种具有至少一个用于衬底的定位装置的功率半导体模块，所述功率半导体模块具有：框架状或者杯状壳体；以及用于至少一个衬底的至少一个凹处。该衬底仅构造为开关衬底或者构造为基板，所述基板带有至少一个布置于该基板上的开关衬底。此外，壳体在所述凹处中具有至少一个带弹性部段和接触元件的定位装置，其中，至少一个接触元件力配合地贴靠在衬底的所配属的侧面上，并且由此将压力施加到该侧面上。通过根据本发明的功率半导体模块，衬底在壳体中的布置方案得到改进，并且该布置方案使得简单地装配成功率半导体模块是行得通的。
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公开(公告)号：CN102324917A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110123824.4
申请日：2011-05-10
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Inventor： 冈特·柯尼希曼 , 亚历山大·米尔赫费尔 , 马库斯·霍夫迈尔 , 丹尼尔·奥伯内德尔
IPC: H03K17/567
CPC classification number: H03K17/691 , H03K17/18
Abstract: 本发明涉及一种用于通过变压器段传送二进制信号的方法。在用于通过功率半导体(4)的驱动器(2)的变压器段分别传送代表信号(8a)的二进制值(10a，b)的方法中：-为第一值(10a)将第一脉冲群(18a)作为正脉冲(20b)和负脉冲(20a)的序列输入给变压器(14)的输入端(12)，或为第二值将第二脉冲群(18b)作为负脉冲(20a)和正脉冲(20b)的序列输入给变压器(14)的输入端(12)，将各自的所述脉冲群(18a，b)分别输入给变压器(14)，在变压器(14)的输出端(16)上，从已传送的脉冲群(18a，b)内输出量(UA，IA)的极性序列(22a，b)中检测出第一值(10a)或第二值(10b)。
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公开(公告)号：CN102201393A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110077362.7
申请日：2011-03-24
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/485 , H01L23/00
CPC classification number: H01L24/50 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079
Abstract: 介绍了一种具有电器件(10)和复合膜(12)的电路系统。电器件(10)具有电路结构化的金属层(14)。复合膜(12)具有电路结构化的逻辑金属层(22)和电路结构化的功率金属层(20)以及在功率金属层(20)与逻辑金属层(22)之间的电绝缘膜(18)。电路结构化的功率金属层(20)和电绝缘膜(18)构造有凹部(24)。将逻辑金属层(22)穿过凹部(24)压入贴靠在电器件(10)的电路结构化的金属层(14)上。该逻辑金属层(22)与电器件(10)的电路结构化的金属层(14)导电连接。根据本发明的电路系统使得镀通连接部可以被简单地制造，并且能以适当的方式直接在芯片连接工艺过程中被实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102145794A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201110025010.7
申请日：2011-01-20
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Inventor： 斯特凡·斯塔罗韦茨基
CPC classification number: B65D75/327 , B65D75/367 , B65D2585/86
Abstract: 一种具有至少一个功率半导体模块和一个运输包装的布置，功率半导体模块具有底部件、壳体和连接件，运输包装针对每个功率半导体模块都具有平面地构成的覆盖层、覆盖膜和至少一个皿形的塑料成型体。所述至少一个塑料成型体仅部分地包围所配属的功率半导体模块，塑料成型体的一部分不直接紧贴在功率半导体模块上。至少一个功率半导体模块的第一侧直接或者间接处于覆盖层的第一主面上，而覆盖膜则直接和/或者间接覆盖功率半导体模块的其他侧并且至少部分地紧贴在塑料成型体上。运输包装对于运输时出现的机械影响是特别坚固耐用的，以及原则上可以用于防止静电放电并且在无需打开运输包装的情况下便可以读出安设在至少一个功率半导体模块上的标记。
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公开(公告)号：CN102118100A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201110005331.0
申请日：2011-01-05
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Inventor： 斯特凡·舒勒
IPC: H02M1/088
CPC classification number: H03K17/082 , H03K17/165 , H03K2017/0806
Abstract: 本发明涉及一种用于功率半导体器件(2)的电路布置，该电路布置包括：多个模块(M1、M2、M3、M4)，在这些模块中，各有一个驱动器(3)与至少一个功率半导体器件(2)通过至少一条第一线路(4)连接，其中，设置有通过第二线路(6)与驱动器(3)相连的开关时间点电路(5)，利用该开关时间点电路能够针对驱动器(3)中的每一个驱动器生成独享的开关信号(SA1、SA2、SA3、SA4)。根据本发明的电路布置克服根据现有技术的缺陷、尽可能耐用。即使在与不是为了实现耐用性而安排的控制电路进行组合时，也应实现该电路布置的耐用性。根据本发明还提供一种用于运行功率半导体电路的方法，利用该方法能够延长功率半导体电路的使用寿命。
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公开(公告)号：CN102110679A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010528255.7
申请日：2010-10-21
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Inventor： 汤姆斯·施托克迈尔
CPC classification number: H01L25/072 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种具有三维表面轮廓的衬底的功率半导体模块及其制造方法，其具有：衬底；用于对外电连接的连接元件；和大量功率半导体构件，衬底具有电绝缘层，在电绝缘层上布置第一金属层，第一金属层自身被结构化并进而构成第一分层，在第一金属层上布置带至少一个第二分层的第二金属层，第二分层具有三维表面轮廓。制造时以具有绝缘层及具有自身结构化的进而构成第一分层的第一金属层的基础衬底开始。接着，构成第二金属层使得构成具有三维表面结构的各个分层。在将第二分层布置在所配属的第一分层上之后，将功率半导体构件布置在第二金属层上。其中对衬底进行了改进，该功率半导体模块对于内部电连接装置的简单布置方案也是行得通的。
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公开(公告)号：CN102055305A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010531192.0
申请日：2010-10-29
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
CPC classification number: H02M7/003 , H05K7/1432
Abstract: 一种模块化构造的变流器系统，有多个构成相应的主模块的变流器组件的开关柜，主模块由子模块组成，子模块构成各自的开关模块和电容器模块。开关柜具有用于电气连接变流器组件的连接装置和针对每个变流器组件都具有滑轨系统用于机械布置变流器组件。电容器模块具有用于与配属的开关模块和与开关柜电气连接的直流电压接触装置和滑动元件。开关模块具有冷却装置、功率半导体模块、交流电压接触装置和直流电压接触装置、滑动元件。子模块的滑动元件堆叠地布置在开关柜滑轨系统的相同滑轨中，开关柜的连接装置形成堆叠的第一部分，电容器模块形成堆叠的第二部分，开关模块形成堆叠的第三部分，并由此构成堆叠的部分所需要的符合线路要求的电气连接。
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公开(公告)号：CN101996954A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010250906.0
申请日：2010-08-10
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Inventor： 斯文·贝尔贝里希
CPC classification number: H01L24/29 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29298 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/83191 , H01L2224/83447 , H01L2224/83801 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/15724 , H01L2924/15747 , H01L2924/19043 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01032 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01031 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 本发明涉及一种芯片，在这种芯片中，在由半导体材料形成的芯片体(1)的一侧上设置有用于产生钎焊连接的层复合体(2)，其中，所述层复合体(2)由多个彼此相叠跟随的、用物理涂覆法制成的金属层(3、4、5、6)形成，并且其中，在位于层复合体(2)表面上的贵金属层(6)与芯片体(1)之间设置有可被钎焊的钎焊层(5)。为了避免焊料(7)不希望地穿过层复合体(2)，则按照本发明提出，钎焊层(5)具有至少一个通过中断涂覆法而形成的界面(G1、G2)。本发明给出一种可以尽量简单并且成本低廉地制造的芯片，这种芯片能够以很高的工艺可靠性得以钎焊。尤其在多次钎焊时，会确保钎焊连接良好的机械强度和/或导电能力。
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