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公开(公告)号:CN111668326B
公开(公告)日:2022-07-29
申请号:CN202010574078.X
申请日:2020-06-22
申请人: 三立智能电气有限公司
IPC分类号: H01L31/0336 , H01L31/0352 , H01L31/105 , H01L31/18
摘要: 本发明公开了一种CuAlO2/SiC紫外光电二极管,包括顶电极和底电极,两电极之间由顶电极向底电极方向依次设置有P型晶体CuAlO2薄膜、I型SiC薄膜和N型SiC衬底,本发明还公开了一种CuAlO2/SiC紫外光电二极管的制备方法,首先对N型SiC衬底进行清洗,清洗后吹干待用;在清洗后的N型SiC衬底上进行本征SiC同质外延层生长;在本征SiC同质外延层上进行P型晶体CuAlO2异质外延层生长;在P型晶体CuAlO2异质外延层上制作顶电极;对N型SiC衬底下表面制作底电极,最终形成CuAlO2/SiC紫外光电二极管,本发明具有良好的光电响应,稳定性好,反应灵敏,加工工艺重复性好。
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公开(公告)号:CN114792742A
公开(公告)日:2022-07-26
申请号:CN202210427840.0
申请日:2022-04-22
申请人: 深圳大学
IPC分类号: H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/0336 , G01J1/42
摘要: 本发明提供了一种基于改性SnTe薄膜的光电传感器及其制备方法,包括:将硅基底原料进行清洗,并去除硅基底原料表面氧化物,得到硅基底;在硅基底的周边上生长形成围设有窗口的绝缘层;在绝缘层围设的窗口处制备Si掺杂SnTe层;在硅基底背离绝缘层的硅基底第一端面处制备第一电极,并进行退火处理;在Si掺杂SnTe层上制备第二电极,获得基于改性SnTe薄膜的光电传感器。在无表面氧化物的硅基底上生长绝缘层,在绝缘层的窗口处生长制备Si掺杂SnTe层,不对硅基底进行蚀刻,不需要破坏硅基底表面的平整度,使Si掺杂SnTe层与基底的交界平整,降低传感器的暗电流密度。
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公开(公告)号:CN114709281A
公开(公告)日:2022-07-05
申请号:CN202210349931.7
申请日:2022-04-02
申请人: 浙江理工大学
IPC分类号: H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18
摘要: 本发明公开了一种基于氧化镓异质结构的日盲紫外探测器及制备方法,所述探测器依次包括蓝宝石衬底,置于蓝宝石衬底上方的β‑Ga2O3光吸收层,置于β‑Ga2O3光吸收层上方的SSO层,置于SSO层上方的第一测试电极以及置于β‑Ga2O3光吸收层上方的第二测试电极;其中于β‑Ga2O3光吸收层与SSO层,形成β‑Ga2O3/SSO异质结,构成内界电场,以分离光生载流子。所制备的氧化镓基紫外探测器性能稳定,灵敏度高,响应速度快,具有自供电性能可实现对波长小于280nm的日盲紫外光的有效探测,在高压电晕检测领域具有很大的应用前景。
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公开(公告)号:CN110867500B
公开(公告)日:2022-05-20
申请号:CN201910994256.1
申请日:2019-10-18
申请人: 江苏大学
IPC分类号: H01L31/18 , H01L31/0336 , H01L31/074 , H01L31/0224
摘要: 本发明提供了一种高转换效率的Si/ZnO异质结太阳电池的制备方法,依次包括以下步骤:1)清洗硅片;2)制备中间层薄膜;3)氧化退火;4)制备AZO薄膜;5)制备背电极;6)安装掩模板;7)制备前电极;8)移除掩模板;9)还原退火,形成太阳能电池,p‑Si/n‑ZnO结构的太阳能电池以硅片作为衬底,中间层薄膜,正面N型AZO薄膜,前电极和背电极,各太阳能电池结构均采用磁控溅射技术,工艺简单,成本低,操作方便;采用的界面修饰方法简单,工艺过程及手段,操作方便,成本低;采用该界面修饰方法后能提高Si/ZnO异质结太阳电池转换效率。
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公开(公告)号:CN114388651A
公开(公告)日:2022-04-22
申请号:CN202111533149.2
申请日:2021-12-15
申请人: 西安理工大学
IPC分类号: H01L31/111 , H01L31/0336 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要: 本发明公开了一种具有高通流能力的SiC双HEJ‑LTT,在第一外延层上表面,自中心向边缘依次间隔覆盖有三个短基区;第一短基区与第二短基区之间嵌有第一阳极隔离结;第二短基区与第三短基区之间嵌有第二阳极隔离结;第三短基区外侧裸露的第一外延层上表面嵌有阳极终端结;还包括第一阳极发射区与阳极钝化层、各个欧姆金属、中心阳极、逆导阴极、门极;第一外延层的下表面从边缘向中心依次覆盖有三个缓冲层及两个阴极隔离结,还包括各个欧姆金属、阴极钝化层、阴极。本发明还公开了该种具有高通流能力的SiC双HEJ‑LTT的制造方法。本发明的器件,在导通状态下,具有更强的通流能力。
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公开(公告)号:CN114300555A
公开(公告)日:2022-04-08
申请号:CN202111495137.5
申请日:2021-12-08
申请人: 华南师范大学
IPC分类号: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18
摘要: 本发明属于光电探测器技术领域,公开了一种基于TaIrTe4/Si异质结的的光电探测器及其制备方法。所述光电探测器是基于TaIrTe4/Si异质结的光电探测器,其结构为顶电极/TaIrTe4/Si异质结/板底电极,所述TaIrTe4/Si异质结是在Si/SiO2衬底上蚀刻Si窗口,使TaIrTe4纳米片与Si充分接触得到,在TaIrTe4/Si异质结外的TaIrTe4边缘制作顶电极。该器件在808nm照射下表现出光响应度、检测率高和快速响应速度。实现了从325nm到1550nm的宽带敏感检测区域,光开关曲线稳定且重现性好,可为Weyl半金属二维材料在光电子器件应用中的发展开辟新途径。
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公开(公告)号:CN114188428A
公开(公告)日:2022-03-15
申请号:CN202111515023.2
申请日:2021-12-13
申请人: 湘潭大学
IPC分类号: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18
摘要: 本发明提供了一种硒化锗复合材料的光电器件及其制备方法,该方法包括:制备硒化锗纳米片悬浮液;将制得的纳米片悬浮液通过电泳沉积到ITO基板上形成硒化锗膜;将经过电泳沉积处理的ITO基板进行干燥处理;将经过干燥处理的ITO基板通过离子层连续吸附反应依次在镉离子的前驱体溶液和硫离子或硒离子的前驱体溶液吸附4~8min,交替循环吸附3~10次,在硒化锗膜上形成硫化镉膜或硒化镉膜;将经过离子吸附处理的ITO基板进行干燥处理,即得硒化锗复合材料的光电器件。本发明通过电泳沉积法和离子层连续吸附反应法制备出高光响应特性的硒化锗复合材料光电器件。该方法操作简单,易于控制,实验环境要求低,有利于工业化推广。
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公开(公告)号:CN111524995B
公开(公告)日:2022-02-15
申请号:CN202010315454.3
申请日:2020-04-21
申请人: 昌吉学院
IPC分类号: H01L31/105 , H01L31/0336 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要: 本发明公开了一种β‑Ga2O3/GaN异质结日盲/可见盲双色紫外探测器,采用β‑Ga2O3/GaN异质结结构。并公开了其制备方法。与传统单色探测器相比,本发明实现了通过施加的不同偏压,在β‑Ga2O3/GaN异质结处形成不同深度的耗尽层,实现了一个器件的两种工作模式,即在较小偏压下,耗尽层为Ga2O3层,器件只对275nm以下日盲波段的光有响应;在较大偏压下,耗尽层延伸到GaN层,光响应延伸到365nm的可见盲波段。
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公开(公告)号:CN114023835A
公开(公告)日:2022-02-08
申请号:CN202111182664.0
申请日:2021-10-11
申请人: 华南师范大学
IPC分类号: H01L31/0352 , H01L31/0336 , H01L31/113
摘要: 本发明公开一种量子点超晶格光电探测器。该光电探测器自下而上依次包括:衬底;光敏层,其包括设置在所述衬底上的两层二维材料及其上方的量子点超晶格;金属电极层,包括源电极和漏电极,所述源电极和所述漏电极形成沟道。所述二维材料与所述量子点超晶格材料形成异质结,所述源电极和所述漏电极被配置为使电流能够通过所述光敏层,所述量子点超晶格被配置为在暴露于入射电磁辐射时产生电子‑空穴对以产生可检测的变化电流。本发明可以提高器件的电学性能,增强电荷转移,响应速度更快。
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公开(公告)号:CN111063751B
公开(公告)日:2022-02-08
申请号:CN201910742807.5
申请日:2019-08-13
申请人: 合肥工业大学
IPC分类号: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18
摘要: 本发明公开了一种超薄无机窄带异质结光电探测器及其制备方法,该光电探测器是基于单晶硅和铜镓碲薄膜形成的异质结而构成的光电转化机构。本发明的探测器在铜镓碲薄膜的厚度达到20nm以上时即可获得在近红外区域的窄带光谱响应(半峰宽≈110nm),且该探测器具有制作工艺简单、光谱选择性好、性能优越且稳定等特点。
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