- 专利标题: 一种基于CuAlO2/SiC紫外光电二极管及制备方法
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申请号: CN202010574078.X申请日: 2020-06-22
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公开(公告)号: CN111668326B公开(公告)日: 2022-07-29
- 发明人: 胡继超 , 李丹丹
- 申请人: 三立智能电气有限公司
- 申请人地址: 陕西省咸阳市秦都区文兴西路装备制造产业园管委会102室
- 专利权人: 三立智能电气有限公司
- 当前专利权人: 三立智能电气有限公司
- 当前专利权人地址: 陕西省咸阳市秦都区文兴西路装备制造产业园管委会102室
- 代理机构: 西安弘理专利事务所
- 代理商 韩玙
- 主分类号: H01L31/0336
- IPC分类号: H01L31/0336 ; H01L31/0352 ; H01L31/105 ; H01L31/18
摘要:
本发明公开了一种CuAlO2/SiC紫外光电二极管,包括顶电极和底电极,两电极之间由顶电极向底电极方向依次设置有P型晶体CuAlO2薄膜、I型SiC薄膜和N型SiC衬底,本发明还公开了一种CuAlO2/SiC紫外光电二极管的制备方法,首先对N型SiC衬底进行清洗,清洗后吹干待用;在清洗后的N型SiC衬底上进行本征SiC同质外延层生长;在本征SiC同质外延层上进行P型晶体CuAlO2异质外延层生长;在P型晶体CuAlO2异质外延层上制作顶电极;对N型SiC衬底下表面制作底电极,最终形成CuAlO2/SiC紫外光电二极管,本发明具有良好的光电响应,稳定性好,反应灵敏,加工工艺重复性好。
公开/授权文献
- CN111668326A 一种基于CuAlO2/SiC紫外光电二极管及制备方法 公开/授权日:2020-09-15
IPC分类: