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公开(公告)号:CN114023835A
公开(公告)日:2022-02-08
申请号:CN202111182664.0
申请日:2021-10-11
申请人: 华南师范大学
IPC分类号: H01L31/0352 , H01L31/0336 , H01L31/113
摘要: 本发明公开一种量子点超晶格光电探测器。该光电探测器自下而上依次包括:衬底;光敏层,其包括设置在所述衬底上的两层二维材料及其上方的量子点超晶格;金属电极层,包括源电极和漏电极,所述源电极和所述漏电极形成沟道。所述二维材料与所述量子点超晶格材料形成异质结,所述源电极和所述漏电极被配置为使电流能够通过所述光敏层,所述量子点超晶格被配置为在暴露于入射电磁辐射时产生电子‑空穴对以产生可检测的变化电流。本发明可以提高器件的电学性能,增强电荷转移,响应速度更快。
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公开(公告)号:CN113990971A
公开(公告)日:2022-01-28
申请号:CN202111195026.2
申请日:2021-10-11
申请人: 华南师范大学
IPC分类号: H01L31/0352 , H01L31/0336 , H01L31/113
摘要: 本发明公开一种基于量子点超晶格和二维材料复合的光电探测器。该光电探测器自下而上依次包括:衬底;金属电极层,包括源电极和漏电极,源电极和漏电极之间形成沟道;光敏层,其包括设置在所述沟道上的二维材料上方的量子点超晶格。二维材料与量子点超晶格形成异质结,源电极和漏电极被配置为使电流能够通过光敏层,量子点超晶格被配置为在暴露于入射电磁辐射时产生电子‑空穴对以产生可检测的变化电流。
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