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公开(公告)号：CN104746130A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510185220.0
申请日：2015-04-17
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种离子液体中低温下直接电解制备晶体硅的方法，用于解决电沉积法制备硅过程中一直存在的低温和晶体结构不能兼顾的问题。本方法重要创新是以低温离子液体为电解液，以液态金属及其合金为阴极，利用离子液体熔点低、不易挥发的特性，以及液态金属电极中硅的溶解-析出平衡，在90～120℃的低温范围内成功制备了立方型的晶体硅。本发明的特点包括：操作温度低、离子液体体系稳定、工艺步骤简单易操作；可通过恒流、恒压进行控制、易于实现连续生产，可显著降低硅生产能耗和成本。本发明在半导体材料的制备中具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103537269B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310494950.X
申请日：2013-10-21
Applicant: 中国科学院广州地球化学研究所
Abstract: 本发明属于光催化材料技术领域，公开了一种TiO2纳米管组装{001}面单晶光电极及其制备方法与应用。该光电催化电极由电解-煅烧法制备得到：把钛片置于氟化铵、醋酸的水与乙二醇的混合溶液中电解后，取出钛片，洗涤，用两片玻璃片夹住钛片煅烧，去掉玻璃片二次煅烧，即得到TiO2纳米管组装{001}面单晶光电极。本发明的制备方法工艺简单，操作方便，得到的TiO2纳米管组装{001}面单晶光电极，克服了单一材料的低效率及低活性、普通粉末光催化剂催化效率低及回收利用难等缺点，具有高活性及易于重复使用等优点。将其应用于环保领域中去除有害微生物及降解有机污染物等方面具有显著效果。
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公开(公告)号：CN102828204B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201210312070.1
申请日：2012-08-29
Applicant: 峨嵋半导体材料研究所
Abstract: 本发明公开了一种电解法制备电极用针状银的方法，该方法包括如下步骤：1）硝酸银制备、2）配制电解液、3）铸造银阳极板、4）装槽、5）银离子和酸度测定、6）开始电解、7）获取针状银产品电、8）取出的针状银用高纯水浸泡；本方法包含了提纯和电化学加工技术，本方法通过设置合适的银离子浓度、酸度、电流密度、极间距离等工艺参数，使电解液中银离子产生浓度梯度和浓度差，阴极上银晶体的生长不断的从银离子低浓度向高浓度的方向伸展，晶体生长的速度大于新的晶核生成和生长速度，从而获得针状的晶体，本方法生产的针状银可用于探测设备的探针或电极，针状银的纯度≥4N，可完全取代进口产品，满足国内生产需求。
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公开(公告)号：CN104294346A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410617876.0
申请日：2014-11-05
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种二氧化钛光子晶体的制备方法，其步骤如下：a)钛片表面除杂处理；b)在钛片表面制备TiO2光子晶体：采用两电极电解系统，以两片经步骤a)处理后的钛片分别作为阳极和对电极，在所述阳极和对电极之间变换施加电压，进行电化学阳极氧化，以在阳极钛片表面制备二氧化钛光子晶体；c)晶化处理：将步骤b)所得表面带有二氧化钛光子晶体的钛片清洗除杂后于350-550℃煅烧，即得到晶化后的TiO2光子晶体。该阳极氧化-煅烧方法解决了传统模板法成本昂贵、工序繁琐以及耗时长的问题，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN104164698A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410360550.4
申请日：2014-07-25
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及提高单晶氧化锌纳米棒表面增强拉曼散射信号的方法。本发明是通过在单晶ZnO纳米棒阵列上制备出一层多晶ZnO纳米颗粒薄膜，形成单晶ZnO纳米棒/多晶ZnO纳米颗粒薄膜核/壳结构的纳米棒阵列；以此单晶ZnO纳米棒/多晶ZnO纳米颗粒薄膜核/壳结构的纳米棒阵列作为表面增强拉曼散射基底，对目标分子进行拉曼散射信号的检测。本发明中的核/壳结构的纳米棒阵列的制备方法简单、条件温和并且时间短；与单晶ZnO纳米棒阵列相比，在对目标分子4-巯基吡啶进行拉曼散射信号的检测时，所述单晶ZnO纳米棒/多晶ZnO纳米颗粒薄膜核/壳结构的纳米棒阵列上可以检测到更强的目标分子4-巯基吡啶的拉曼散射信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104032373A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410309915.0
申请日：2014-07-02
Applicant: 长沙理工大学
Abstract: 本发明涉及一种新型纳米二氧化钛和氧化铝复合粉体的制备方法，本方法中以四氯化钛和六水三氯化铝为原料，采用电化学方法制备了TiO2/Al2O3复合粉体。以XRD对粉体进行表征发现，以电解TiCl4和AlCl3的混合溶液得到的粉体中，氧化铝主要分布在颗粒的表面。分别电解TiCl4与AlCl3的水溶液，待成胶后再混合而得到的粉体中，两种成分布比较均匀。对复合粉体进行高温处理，在500℃可以得到R-TiO2/-Al2O3的复合粉体，而在950℃可以得到R-TiO2/-Al2O3的复合粉体，在1200℃可以得到Al2TiO5复合陶瓷粉体。
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公开(公告)号：CN103757688A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410000512.8
申请日：2014-01-01
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种制备碲-碲化铅纳米晶组装超晶格纳米线阵列的方法，属于纳米材料制备技术领域。其特征是该方法采用二次阳极氧化法制备的多孔阳极氧化铝为模板（PAA）；在含有Pb和Te离子的点解液中；采用脉冲电化学沉积技术，施加负偏置电压，在PAA孔道中交替进行PbTe和Te元素的电化学沉积，最终得到的Te-PbTe纳米晶组装超晶格纳米线阵列。本发明的效果和益处是产物为呈有序排列的，由两种不同的物质交替构成的，即由碲纳米晶与铅碲纳米晶构成的碲-碲化铅纳米晶组装超晶格纳米线，制备方法简单，成本低廉，组分和结构易调控，在能源、热电、光学和电学等方面存在重要的潜在应用前景。
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公开(公告)号：CN102392282B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201110381115.6
申请日：2011-11-26
Applicant: 济南大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及碲化镉半导体薄膜制备技术领域一种在水相碱性条件下电化学制备碲化镉半导体薄膜的方法，采用三电极电化学沉积体系，在温度为20℃～80℃、阴极沉积电位为-1.0V~-2.0V下从碱性前躯体沉积溶液中电化学沉积CdTe薄膜在沉积基体上，并通过对沉积出的CdTe薄膜退火处理来提高薄膜的结晶质量。采用高的阴极电位避免了低阴极电位下形成的非晶态CdTe在后期热晶化处理时薄膜缩聚所导致的开裂问题；采用弱碱性溶液，减少了电解质溶液对沉积基底的腐蚀；弱碱性溶液中H+离子浓度低，电沉积过程中生成的H2气较少，解决了沉积过程中氢气生成引起的针状气孔问题，薄膜致密度和光电性能大大改善。
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公开(公告)号：CN103451717A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310398366.4
申请日：2013-09-05
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 一种金属有机聚合物材料的制备方法是在电解槽中，以离子液体为电解液，金属电极或钛基氧化物电极为阳极，钛板为阴极，接通电源，控制温度和电流密度，进行电合成，后固液分离，并用溶剂清洗，再用氯仿洗涤，烘干，获得金属有机聚合物材料；最后除去合成金属有机聚合物材料孔道内和表面的有机配体、金属盐离子以及溶剂分子，即制得金属有机聚合物材料。本发明方法在常温常压下进行，反应条件温和，工艺流程简单，反应容易控制，而且清洁卫生，环境友好，无二次污染等优点。
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公开(公告)号：CN102605417A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210032617.2
申请日：2012-02-14
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 本发明公开了一种聚合物纳米管的制备方法：(1)将电解溶剂、单体A和单体B、支持电解质加入三电极电解池中配制成电解液，采用恒电位法进行聚合，在工作电极上电沉积得到共聚物薄膜；(2)将步骤(1)获得的表面沉积共聚物薄膜的工作电极置于空白溶液中，在初始电位-0.6～0V、最高电位1.0～2.0V、扫描速率0.1～0.5V/s条件下进行循环伏安扫描，扫描周期为100～1000，扫描结束后，获得表面沉积聚合物纳米管的工作电极，将表面沉积聚合物纳米管的工作电极后处理，获得所述的聚合物纳米管；本发明制备方法简便，聚合物纳米管几乎覆盖在整个电极表面，宏观呈现膜状，可以应用于液晶显示器，智能窗等领域。
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