公开(公告)号：CN102828204B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201210312070.1

申请日：2012-08-29

Applicant: 峨嵋半导体材料研究所

Inventor： 詹科 ,  种娜 ,  陈国忠 ,  杨卫东

IPC: C25C5/02 ,  C30B29/62 ,  C30B7/12

Abstract: 本发明公开了一种电解法制备电极用针状银的方法，该方法包括如下步骤：1）硝酸银制备、2）配制电解液、3）铸造银阳极板、4）装槽、5）银离子和酸度测定、6）开始电解、7）获取针状银产品电、8）取出的针状银用高纯水浸泡；本方法包含了提纯和电化学加工技术，本方法通过设置合适的银离子浓度、酸度、电流密度、极间距离等工艺参数，使电解液中银离子产生浓度梯度和浓度差，阴极上银晶体的生长不断的从银离子低浓度向高浓度的方向伸展，晶体生长的速度大于新的晶核生成和生长速度，从而获得针状的晶体，本方法生产的针状银可用于探测设备的探针或电极，针状银的纯度≥4N，可完全取代进口产品，满足国内生产需求。

公开(公告)号：CN102899712B

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201210312574.3

申请日：2012-08-30

Applicant: 峨嵋半导体材料研究所

Inventor： 陈国忠 ,  杨卫东

IPC: C30B1/00 ,  C30B29/02

Abstract: 本发明公开了一种超高纯砷单晶体片的制备方法，包括如下步骤：（1）石英管表面处理（2）超高纯砷脱氧封装（3）置于水平管式炉内（4）水平管式炉熔料和冷却结晶，本发明利用石英管封闭和砷高温熔化时自身产生的压力，达到砷熔化和晶体生长的目的，在常温过冷条件下，管内液态砷达到过冷度时生长晶体，每管生成30～60片，并以孪晶方式生成单晶片，可满足国内产品质量要求及出口质量要求，有较好的应用前景。