-
公开(公告)号：CN117631458A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210979100.8
申请日：2022-08-16
Applicant: 联芯集成电路制造(厦门)有限公司
Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂涂布方法，包含提供一晶片，晶片上有一图案，将晶片放置于一光致抗蚀剂涂布机上，并从一喷嘴注入一光致抗蚀剂至晶片的一中央区域上，进行一旋转涂布步骤，旋转涂布步骤包含:启动光致抗蚀剂涂布机使光致抗蚀剂涂布机旋转达到一第一转速，并且将第一转速提升至一第二转速，在维持第二转速的过程中进行多次急刹，使第二转速瞬间降到一第三转速，然后再回升到第二转速。
-
公开(公告)号：CN117619690A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311611160.5
申请日：2023-11-29
Applicant: 上海派拉纶生物技术股份有限公司
IPC: B05D1/32 , B05D1/00 , B05D7/14 , B05D7/24 , B05D3/00 , B05D3/14 , C23G5/032 , C23G1/00 , C23G1/26
Abstract: 本发明涉及医疗器械防护技术领域，尤其涉及B05D1/00领域，更具体的涉及一种医用板针的涂敷方法。医用板针的涂敷方法包括以下步骤：S1、清洗；S2、前处理；S3、掩膜；S4、涂敷；S5：去掩膜；其中涂敷所使用的材料包括派瑞林，本发明中涂覆后的医用板针防护效果，绝缘性能优异，膜层针尖膜层收缩值较小，有优异的综合使用性能。
-
公开(公告)号：CN117568935A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311421413.2
申请日：2023-10-27
Applicant: 深圳技术大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂的多晶钙钛矿薄膜及其的制备方法。所述多晶钙钛矿薄膜含有铈离子；所述钙钛矿的薄膜材料为MAPbBr3。本发明提供的稀土掺杂的多晶钙钛矿薄膜，由于铈离子的掺杂，可以在很大程度上调控钙钛矿晶体的成核与生长，钝化表面缺陷，从而提高了薄膜的致密性和结晶特性。所提供的稀土掺杂的多晶钙钛矿薄膜的制备方法，具有制备方法简单、成本低廉。所提供的光电探测器，其响应电流约为12nA，探测率可以达到2.1×1011Jones。
-
公开(公告)号：CN110342317B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201910732357.1
申请日：2019-08-09
Applicant: 湖南麓汶新材料有限公司
Inventor： 游金龙
Abstract: 本发明公开一种高品质金葱粉生产线及生产工艺，生产线包括用于分切原料的分切设备，用于真空电镀的真空电镀设备、用于涂布上色的上色设备、用于成型外形的外形成型设备、用于打粉的上粉设备以及用于回收浮粉的浮粉回收设备。本发明自动化程度更高，利于高效高品质生产金葱粉，而且可生产出不同规格和形状的金葱粉膜。
-
公开(公告)号：CN117463578A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210857477.6
申请日：2022-07-20
Applicant: 沈阳芯源微电子设备股份有限公司
Abstract: 本发明提出了一种改善晶圆上光阻涂布均匀性的方法，在光刻胶涂胶时，涂胶步骤中，1500‑3500rpm/min时的打胶时间设置要小于胶泵总打胶时间(根据粘度不同，通过实验调整时间配比，占打胶时间百分之85％‑95％，随光刻胶粘度增加适当降低打胶时间)，进而留下一部分打胶时间在其下一步骤打出光刻胶，然后再以1000‑3500rpm/min的转速旋转一定时间成膜。提高光刻胶膜厚的均匀性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117446864A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311393521.3
申请日：2023-10-25
Applicant: 集美大学
Abstract: 本发明提供了一种过渡金属二硫化物薄膜的制备方法及热退火炉，属于薄膜材料制备技术领域。本发明将过渡金属二硫化物对应的前驱体化合物与复合溶剂混合，将所得前驱体化合物溶液涂覆在绝缘衬底I的表面，固膜后在绝缘衬底I的表面形成前驱体化合物薄膜，之后在前驱体化合物薄膜的表面放置绝缘衬底II，得到绝缘衬底I/前驱体化合物薄膜/绝缘衬底II工件，将其叠层放置于第一碳片与第二碳片形成的夹层结构中，进行退火处理使所述前驱体化合物反应转化为过渡金属二硫化物，得到过渡金属二硫化物薄膜。采用本发明方法能够快速制备连续过渡金属二硫化物薄膜，且制备得到的过渡金属二硫化物薄膜质量好。
-
公开(公告)号：CN116376433B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202211701207.2
申请日：2022-12-28
Applicant: 齐鲁工业大学
IPC: C09D183/06 , C09D183/08 , C09D5/08 , C09D5/00 , B05D5/00 , B05D7/14 , B05D1/00 , B05D1/02
Abstract: 提供一种具有机械化学稳定性的MSC防腐超滑涂层及其防腐方法。MSC防腐超滑涂层能够通过喷涂方法制备，同时具有机械化学稳定性、高硬度和对不同基材的强附着力。超滑防腐MSC涂层涂覆在金属上；所述MSC涂层由EPFS、GPOSS与HPS团聚得到，EPFS链和GPOSS笼与HPS结合形成球状团簇，MSC表面的平均摩擦系数测得低至0.0756，MSC在不锈钢基材上的附着力可以达到9.47±0.32MPa；在1000次磨损循环后，水滴仍可以从涂层表面滑离，没有任何残留。MSC能够保护金属免受恶劣环境的腐蚀，例如，它可以承受500小时的铜离子加速酸性盐雾(CASS)腐蚀试验。MSC对金属基材的优异腐蚀保护性能使其可用于海洋基础设施和运输设备。
-
公开(公告)号：CN117406519A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202210795530.4
申请日：2022-07-07
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: G02F1/1506 , G02F1/153 , G02F1/155 , G02F1/1523 , C23C14/35 , C23C14/08 , B05D1/00 , B05D3/06 , B05D7/24
Abstract: 本发明涉及一种高分辨率图案化电致变色显示器件及其制备方法。所述高分辨率图案化电致变色显示器件，包括依次层叠设置的第一透明电极层、缓冲层、含有多个孔洞阵列排布的电致变色层、填充于孔径且覆盖在电致变色层上的凝胶电解质层和第二透明电极层。
-
公开(公告)号：CN117343638A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202210735927.4
申请日：2022-06-27
Applicant: 上海艾深斯科技有限公司
Inventor： 郑学刚
IPC: C09D183/04 , C09D7/65 , C08G77/04 , C08G77/06 , B05D1/00
Abstract: 形成多孔的介电涂层的方法，通过(A)将包含(i)具有式[RSi(OH)2O0.5]m[RSiO1.5]n[RSi(OH)O]p[SiO2]k[Si(OH)O1.5]a[Si(OH)2O]b[Si(OH)3O0.5]c[Si(OH)O(CH2)2Si(OH)O]d[Si(OH)2O(CH2)2Si(OH)2O]e[Si O1.5(CH2)2SiO1.5]f的硅氧烷共聚物、(ii)溶剂和(iii)热或光自由基引发剂的溶液组合物施加至半导体器件；和(B)去除溶剂和固化硅氧烷共聚物制剂，从而在半导体器件上形成具有闭孔的多孔低k涂层。
-
公开(公告)号：CN109656108B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN201811181921.7
申请日：2018-10-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/30 , H01L21/67 , H01L21/027 , B05B13/04 , B05D1/00
Abstract: 本发明提供一种显影处理装置、显影处理方法以及存储介质。显影处理装置具备：旋转保持部，其保持晶圆并且使该晶圆旋转；显影液供给部，其具有喷嘴，所述喷嘴包括与晶圆的表面相向的液体接触面和在该液体接触面开口的喷出口；以及控制器，其中，控制器执行如下的控制：在晶圆旋转时，使喷出口喷出显影液，并且一边使液体接触面与表面的显影液接触一边使喷嘴从晶圆的外周侧向旋转中心侧移动的控制；在执行该控制后，一边使液体接触面与表面的显影液接触一边使喷嘴从晶圆的旋转中心侧向外周侧移动的控制；以及在执行该控制期间，使晶圆的转速与液体接触面的中心向外周靠近相应地逐渐下降的控制。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
1917
records
(took 0.022 seconds)
